公开(公告)号：CN116546817A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310532735.8

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  K·陈

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。

公开(公告)号：CN110678972B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201880029923.6

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  吕新亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  段子青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H10B41/20

Abstract: 用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。

公开(公告)号：CN110678981A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880033951.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  K·陈

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

Abstract: 描述半导体器件(例如，3D-NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。

公开(公告)号：CN110678972A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880029923.6

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  吕新亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  段子青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11551

Abstract: 用于形成3D-NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。

公开(公告)号：CN110546753A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026884.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

Abstract: 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN110419093A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017633.X

申请日：2018-03-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  陈一宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括对所述图案化特征进行等离子体处理。所述方法进一步包括在所述图案化特征以及所述基板的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法进一步包括使用各向异性蚀刻处理选择性地从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面去除所述非晶硅层以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN110088875A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN109923642A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780069211.2

申请日：2017-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 段子青 ,  陈一宏 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 处理方法包括在基板表面上和在表面特征中沉积膜，通过化学平面化从所述基板表面移除所述膜，而留下在所述特征中的所述膜。使柱从所述膜生长，使得所述柱垂直于基板表面生长。

公开(公告)号：CN108369897A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L31/18

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。