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公开(公告)号：CN104393086A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410541385.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/02966 , H01L31/03046 , H01L31/0512 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 一种复合光伏电池，包括：第一衬底；由第一复合半导体材料制成并形成在第一衬底上的一个或多个第一光电转换单元；形成在一个或多个第一光电转换单元上的隧道结层；以及一个或多个第二光电转换单元，由与第一衬底的材料晶格失配的第二复合半导体材料制成，经隧道结层连接到一个或多个第一光电转换单元，并相对于一个或多个第一光电转换单元而位于光入射方向中的入射侧。一个或多个第一光电转换单元和一个或多个第二光电转换单元的带隙在光入射方向上从入射侧到背侧变小。隧道结层包括位于入射侧的p型层和位于背侧的n型层，该p型层是p+型(Al)GaInAs层，该n型层是n+型InP层，相对于InP层具有拉伸应变的n+型GaInP层，或相对于InP具有拉伸应变的n+型Ga(In)PSb层。
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公开(公告)号：CN103579901A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310471812.X
申请日：2013-07-23
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/423 , G04F5/14 , G04F5/145 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/4087
Abstract: 表面发射激光器装置和原子振荡器。该激光器装置包括基板(101)、下部反射器(102)、有源层(104)、上部反射器(106，113)和配置为发光的表面发射激光器(11-14)。第二相调整层(108)、接触层(109)、第一相调整层(111)和波长调整层(112)从有源层侧依次层叠。从第二相调整层(108)的有源层侧到波长调整层(112)中部的总光学厚度约为(2N+1)×λ/4，λ代表光波长，N代表正整数。从第二相调整层(108)的有源层侧至接触层(109)中部的光学厚度约为Nλ/2。表面发射激光器(11-14)的至少两个具有设置在不同厚度的波长调整层(112)，并且配置为发射不同波长的光。
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公开(公告)号：CN103460528A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280013197.1
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/42 , B82Y20/00 , G04F5/145 , H01S5/0042 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/34313 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H03B17/00
Abstract: 所公开的表面发射激光器元件包括形成在基板上的下DBR、形成在下DBR上的有源层、形成在有源层上的上DBR、形成在有源层之上的波长调整层以及多个表面发射激光器，多个表面发射激光器构造为通过改变波长调整层的厚度而发射具有不同波长的各激光束。在该表面发射激光器元件中，波长调整层包括交替层叠GaInP和GaAsP的第一膜和交替层叠GaInP和GaAs的第二膜之一，通过局部去除该第一和第二膜中对应的一个的交替层的每一个而改变波长调整层的厚度。
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公开(公告)号：CN102439806B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号：CN102983498A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210493444.4
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102077428B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980125447.9
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。
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公开(公告)号：CN102122793A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110003470.X
申请日：2011-01-10
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18394 , B41J2/471 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S2301/14 , H01S2301/18
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。所述表面发射激光器元件包括发射激光束的发射区域和高反射率区域，该高反射率区域包括具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜，所述第一电介质膜和第二电介质膜叠置在所述发射区域内，以提供高反射率。在表面发射激光器元件中，所述高反射率区域形成在包括发射区域的中心部分的区域内，并且被构造成在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号：CN101111385B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200680003458.6
申请日：2006-11-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 能够容易地提高单一基本横模的输出的面发光激光元件包括：反射层、谐振器隔离层、活性层、选择氧化层。所述选择氧化层被设置在与振荡光的电场的驻波分布的第4周期的节对应的反射层中的位置、和在与活性层侧相反方向上，与第4周期的节相邻接的与驻波分布的腹对应的反射层中的位置之间。
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公开(公告)号：CN101356702B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780001407.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S3/00
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN101582562A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139045.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备。在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在－Y方向大于在+X和－X方向。
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