公开(公告)号：CN105191029B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201480013121.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 野田進 ,  冲野刚士 ,  北村恭子 ,  田中良典 ,  梁永

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18 ,  H01S3/0085 ,  H01S3/10 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1215 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供能增大倾斜角、光的损失少、射出倾斜光束的二维光子晶体面发光激光器。其具有层叠有二维光子晶体(2DPC)层(11)和活性层(12)的结构，所述二维光子晶体(2DPC)层(11)通过在板状的母材(114)上二维地配置空位(111)而形成有折射率分布，活性层(12)通过电流的注入而产生波长λL的光，所述激光器沿着与2DPC层(11)的法线成倾斜角θ的方向使激光束振荡，2DPC层(11)中，各空位(111)经调制地配置于具有周期性的简单二维点格的各晶格点，所述简单二维点格通过形成二维驻波而形成波长λL的光的共振状态且固定该光以使其不会射出至外部，该调制的相位Ψ使用倒易矢量G’↑和各晶格点的位置矢量r↑、由Ψ＝r↑·G’↑表示，所述倒易矢量G’↑使用2DPC层(11)内的波长λL的光的波数矢量k↑＝(kx,ky)、2DPC层(11)的有效折射率neff、及与简单二维点格的规定的基准线所成的方位角来表示，倒易矢量。

公开(公告)号：CN106921111A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201710102175.7

申请日：2017-02-24

Applicant: 成都光创联科技有限公司

Inventor： 许远忠

IPC: H01S5/06

CPC classification number: H01S5/06 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开的一种修正半导体激光器远场发散角不对称的方法，旨在提供一种耦合效率高的方法。本发明通过下述技术方案予以实现：在半导体激光器非圆对称的波导结构发射区域的光场中，设置一对方向相反且镜像对称，可在10°～30°实时可调楔形棱镜相对角度的光学组件无焦系统，在实际使用中，可根据每一片激光器芯片去调节调楔形棱镜相对角度，改变光束入射到第二块棱镜斜面的角度，将多侧模的激光束聚焦成圆整的光斑圆，匹配不同激光器远场发散角的不对称，使楔形沿棱镜斜面方向的慢轴光束被扩大到半导体激光器轴模波导结构快轴一致的光路，经过整形后的光斑圆通过透镜耦合到光纤。解决了现有技术采用柱面镜，导致激光器发散角大而不对称的缺点。

公开(公告)号：CN102934300B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201180029449.5

申请日：2011-04-06

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： A.布赖德纳泽尔 ,  A.S.阿夫拉梅斯库 ,  A.莱尔 ,  S.陶茨

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/0078 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及一种用于发出相干电磁辐射（10）、具有垂直远场特征（121）的激光光源，具有用于产生相干电磁辐射的半导体层组（1），在基底（2）上具有有源区（3），其中在运行中至少从射束输出耦合面（4）的主发射区（5）以射束方向（11）发出相干电磁辐射，通过半导体层组（1）的侧面形成射束输出耦合面（4），并且具有过滤元件（13），其在垂直的远场射束轮廓（121）中抑制在运行中产生、来自射束输出耦合面（4）的、与主发射区（5）垂直偏移的且在空间上分离的副发射区（6）发出的相干电磁辐射（12）。

公开(公告)号：CN103918142A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280053838.6

申请日：2012-09-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 克里斯托夫·艾克勒 ,  森克·陶茨

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/34333 ,  G02B1/11 ,  H01L33/58 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/16 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种用于制造光电子半导体构件(1)的方法，其具有下述步骤：在生长衬底(3)上外延地生长具有有源层的半导体层序列(2)；在半导体层序列(2)和生长衬底(3)上成形正面小平面(4)；借助用于在制成的半导体构件(1)中产生的辐射(R)的阻光层(5)对正面小平面(4)的一部分进行覆层，其中阻光层(5)借助定向的覆层方法来生成并且在覆层时借助于通过生长衬底(3)和/或通过至少一个遮光条(6)的遮蔽来进行对阻光层(5)的结构化，所述遮光条设置在生长衬底(3)上和/或附近。

公开(公告)号：CN103138155A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210502015.9

申请日：2012-11-30

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 谷坂真吾 ,  小泉大树

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01L33/005 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有：准备晶片的工序，该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件；在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序，俯视观察，该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序，该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。

公开(公告)号：CN101855798B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880115311.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 园部真也 ,  枡井真吾

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/168 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/166 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。

公开(公告)号：CN101888059B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010179947.5

申请日：2010-05-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 川西秀和 ,  泽畠淳二

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。

公开(公告)号：CN101553962B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680039345.1

申请日：2006-08-24

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法 ,  W·兰斯

IPC: H01S3/105 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/0207 ,  G11B7/127 ,  G11B7/22 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。

公开(公告)号：CN101953039B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200980104808.1

申请日：2009-02-05

Applicant: 通快激光两合公司

Inventor： S·G·P·施特罗迈尔 ,  C·蒂尔科恩

IPC: H01S5/40 ,  G02B27/09

CPC classification number: H01S5/4031 ,  G02B19/0004 ,  G02B19/0057 ,  G02B19/0061 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4081 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及一种二极管激光器结构(2)，具有多个彼此相邻地设置的带状发射器(31至38)，这些带状发射器以其SA轴线在相同的方向上取向并且在该方向上彼此相对错位地设置，其中，这些带状发射器(31至38)中的至少几个的分别涉及SA轴线的射束参数乘积(BPPSA)不同，根据本发明提出，这些带状发射器(31至38)的分别涉及SA轴线的射束参数乘积(BPPSA)从该二极管激光器结构(2)的中部起朝该二极管激光器结构(2)的两个边缘尤其是关于该二极管激光器结构(2)的中部镜像对称地减小。

公开(公告)号：CN102282489A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004849.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·贝法 ,  C·斯塔盖瑞斯库

IPC: G02B6/10

CPC classification number: H01S5/18 ,  G02B6/4214 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种表面反射光子器件包括：衬底；以及该衬底上的波导结构。该波导结构包括沿着其纵轴的有源区，且该有源区用于生成光。波导结构还具有在其中形成的沟槽，沟槽相对于有源区处于横向上并界定在有源区的一末端处形成倾斜端面的第一壁，第一壁具有相对于波导结构的纵轴处于不平行角度的法线。该沟槽还界定与第一壁相对而放置的第二壁。