一种制备p型叉指背接触太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN116936688B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311204150.X

    申请日:2023-09-19

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,提出了一种制备p型叉指背接触太阳能电池的方法,包括以下步骤:将钝化液印刷在空穴选择性接触区,形成空穴选择性传输层,在所述空穴选择性传输层上印刷银浆,得到p型叉指背接触太阳能电池;所述钝化液由碳材料和分散剂混合而成;所述分散剂由有机溶液和稀释剂混合而成;所述有机溶液包括4‑羟基苯磺酸溶液、乙基磺酸溶液中的一种或几种。通过上述技术方案,解决了现有技术中的p型叉指背接触太阳能电池光电性能差问题。

    一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池

    公开(公告)号:CN117038759A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311234040.8

    申请日:2023-09-23

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域,提出了一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池。其中空穴传输层包括炭黑和磺酸基化合物;所述磺酸基化合物包括双三氟甲烷磺酰亚胺、全氟磺酸、PS‑b‑PERB中的一种或几种;所述的一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池的制备方法,包括:A1、对制绒后的硅片进行磷扩散制结;A2、在所述制结后的硅片正面先沉积氧化硅和氮化硅叠层薄膜,再印刷银浆;A3、在所述制结后的硅片背面制备炭黑导电薄膜,在所述炭黑导电薄膜上印刷银浆,得到晶硅太阳能电池。通过上述技术方案,解决了相关技术中的空穴传输层传输空穴能力和阻挡电子能力差,且载流子复合严重的问题。

    一种制备p型叉指背接触太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN116936688A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311204150.X

    申请日:2023-09-19

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,提出了一种制备p型叉指背接触太阳能电池的方法,包括以下步骤:将钝化液印刷在空穴选择性接触区,形成空穴选择性传输层,在所述空穴选择性传输层上印刷银浆,得到p型叉指背接触太阳能电池;所述钝化液由碳材料和分散剂混合而成;所述分散剂由有机溶液和稀释剂混合而成;所述有机溶液包括4‑羟基苯磺酸溶液、乙基磺酸溶液中的一种或几种。通过上述技术方案,解决了现有技术中的p型叉指背接触太阳能电池光电性能差问题。

    一种柔性透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN116052929A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310083509.6

    申请日:2023-02-08

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本发明涉及透明导电薄膜技术领域,提出了一种柔性透明导电薄膜及其制备方法,所述柔性透明导电薄膜,包括基板以及依次设置在基板上的金属纳米线层和有机材料层,所述有机材料层为全氟磺酸层。所述柔性透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、配制金属纳米线溶液,采用溶液加工方法在基板上制备金属纳米线层;S2、配制全氟磺酸溶液,采用溶液加工方法在金属纳米线层上制备全氟磺酸层,得到透明导电薄膜。通过上述技术方案,解决了现有技术中含金属纳米线层的透明导电薄膜无法同时具有高透光率和低方阻的问题。

    一种有机钝化铜铟镓硒的电池结构

    公开(公告)号:CN219226301U

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202320187827.2

    申请日:2023-02-11

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本实用新型涉及太阳能电池技术领域,提出了一种有机钝化铜铟镓硒的电池结构,包括衬底层,所述衬底层上依次设置有金属背电极层、铜铟镓硒层、n型缓冲层,所述n型缓冲层上设置有透明导电层,所述透明导电层为金属纳米线复合有机溶液层。所述金属纳米线复合有机溶液层包括有机溶液层,所述有机溶液层设置在所述n型缓冲层上,金属纳米线,所述金属纳米线嵌入分布于所述有机溶液层中,且所述金属纳米线排布为具有孔结构。所述有机溶液层为磺酸根有机溶液层。通过上述技术方案,解决了相关技术中铜铟镓硒的电池结构,晶界钝化无法摆脱高温高真空等复杂技术的技术问题。

    一种用于钝化的高低错位吸盘装置

    公开(公告)号:CN220774327U

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202322272168.5

    申请日:2023-08-23

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于钝化的高低错位吸盘装置,属于光伏电池应用技术领域。包括低吸盘结构和高吸盘结构,低吸盘结构包括若干支撑台一,支撑台一的上表面设置有两个吸盘台一,吸盘台一上表面两侧设置有若干个吸盘一;高吸盘结构包括若干支撑台二,支撑台二的上表面设置有若干个吸盘二,吸盘台二的上表面设置有两个吸盘二。本实用新型可实现吸盘的错位,操作简单,成本低廉。改进了无损切割机高低吸盘结构,使得高低吸盘结构之间拥有几微米到十几微米的高度差,从而产生物理应力,该应力降低了激光的切割功率,避免了大功率激光切割对光伏电池的损伤。并且便于电池片碎裂,使电池裂解之后更方便钝化液的渗入,提升了产业中电池的光电转化效率。

    一种激光切割系统
    48.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222269025U

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202323441861.7

    申请日:2023-12-15

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本申请公开了一种激光切割系统,包括:激光切割子系统,包括:第一激光器,用于在待切割基片的顶面形成开槽;第二激光器,用于基于开槽对待切割基片的顶面进行激光加热,在顶面形成激光加热路径;喷涂子系统,包括:第一喷涂设备,用于在第二激光器对待切割基片进行激光加热的同时,对第二激光器在顶面的照射区域喷涂冷却液,使得待切割基片基于温度变化的应力,沿激光加热路径断裂;第一喷涂设备包括:第一存储罐,用于存储冷却液;制冷机,用于控制第一存储罐中的冷却液处于设定低温。本申请技术方案能够调节冷却液的温度,通过适当降低冷却液的温度,降低第二激光器的功率,实现所需切割温度差,以避免高功率激光对待切割基片的激光切割损伤。

    一种电池硅片钝化液涂覆设备

    公开(公告)号:CN221783230U

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202420163320.8

    申请日:2024-01-23

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本实用新型涉及机械设备技术领域,提出了一种电池硅片钝化液涂覆设备,包括机械臂,机械臂具有两个,两个机械臂相对设置在串焊机两侧;第一伸缩件具有多个,第一伸缩件相对滑动设置在一个机械臂上,多个第一伸缩件间隔分布,多个第一伸缩件滑动后用于调整相邻两个第一伸缩件的间距;吸附件设置在第一伸缩件的输出端,第一伸缩件用于带动吸附件滑动后使相邻的两个硅片之间形成夹角;喷头相对滑动设置在另一个机械臂上,喷头用于向硅片的边缘涂覆钝化液。通过上述技术方案,解决了现有技术中的电池硅片硅片串焊以后不便对电池硅片的侧边进行钝化液涂覆的问题。

    一种晶体硅电池片切割分片钝化设备

    公开(公告)号:CN218101291U

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202222407293.8

    申请日:2022-09-08

    Applicant: 河北大学

    Abstract: 本实用新型涉及电池片切割技术领域,提出了一种晶体硅电池片切割分片钝化设备,包括用来承载并输送电池片的传输装置、以及设置在传输装置上方的激光器,激光器的发射端朝向下方,关键在于:所述设备还包括喷涂装置和风淋装置,喷涂装置的喷头和风淋装置都位于传输装置上方且喷头位于激光器与风淋装置之间,喷头的喷出口和风淋装置的出风口都朝向下方。解决了相关技术中激光切割划片后,新增侧面为高表面复合区,电池新增侧面不进行及时的钝化修复,会造成电池片的开路电压以及转化效率降低,最终的组件CTM值较低的问题。

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