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公开(公告)号：CN119730478A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411874462.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池钝化层、制备方法及其在晶体硅太阳能电池中的应用。所述晶体硅太阳能电池钝化层包括含H+有机化合物和/或含H+无机化合物。本发明首次发现H+具有钝化作用并将其应用于晶体硅电池界面钝化，获得以下有益效果：1、钝化层厚度仅为几纳米，同时具备优秀的界面钝化效果和导电性能，可以达到既能隧穿导电又能界面钝化的效果，为低成本生产硅太阳电池提供了可能；2、钝化薄膜可以采用溶液法制备，不再需要高温、高真空的设备，极大地简化了生产工艺，进一步降低了生产成本，且绿色环保、占地面积小，普适性更强。
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公开(公告)号：CN119049995A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411233904.9
申请日：2024-09-04
Applicant: 河北大学
Abstract: 本申请公开了一种硅片的寿命确定方法及相关装置，涉及半导体硅片检测技术领域，包括：确定待检测硅片。利用物理手段在待检测硅片的至少部分表面涂覆液相材料，以使待检测硅片的表面形成液相薄膜，液相材料与待检测硅片之间不存在化学反应，确保了不会对硅片造成额外的损害。利用非破坏性检测技术对待检测硅片的表面进行检测，得到待检测硅片的少子寿命，可以在不破坏硅片结构的前提下检测硅片的少子寿命。将待检测硅片的少子寿命输入至预先设置好的硅片寿命确定模型，基于大量的实验数据和理论分析，准确地预测硅片的寿命。该方案消除了可能对硅片的表面造成损害的风险，不仅保护了硅片的性能，还提高了其可重复利用性。
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公开(公告)号：CN118546557A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410938503.7
申请日：2024-07-13
Applicant: 河北大学
IPC: C09D5/24
Abstract: 本发明涉及发热涂料技术领域，提出了一种液晶相纳米凝胶发热涂料及其制备方法，液晶相纳米凝胶发热涂料包括高浓度纳米材料分散液，高浓度纳米材料分散液由高浓度纳米材料和分散剂经分散得到；高浓度纳米材料包括纳米材料和溶剂；纳米材料包括组分A；组分A为碳纳米管；纳米材料和溶剂的质量体积比为2~20mg/mL；分散时的温度小于15℃；分散时注入的能量密度大于20J/mL。通过上述技术方案，解决了相关技术中的发热涂料的电导率较低的问题，且本发明制得的发热涂料可以在常温常压下制备并在基底上涂布，可根据实用需求控制透光率和柔韧性，与传统发热涂料或电热涂层相比具有更广泛的应用场景和更简单的制备工艺。
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公开(公告)号：CN118139437A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410383287.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 河北大学
IPC: H10K39/15 , H10K39/18 , H10K30/85 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/20 , H10K71/60
Abstract: 本发明提供了一种叠层太阳电池及其制备方法，涉及光伏技术领域，该叠层太阳电池具有CNT:SAM的多功能中间复合层，其中CNT表示碳纳米管，SAM表示具有钝化硅表面缺陷同时可以传输p型或n型载流子的自组装分子，例如2PACz、4PACz或MEO‑4PACz等，该CNT:SAM的多功能中间复合层在可以实现顶太阳电池和底太阳电池电学连接的同时，还可作为顶太阳电池和/或底太阳电池的载流子选择传输层，还可以达到钝化硅材料的目的作为底太阳电池的钝化层，在获得高效率的同时，大大简化叠层太阳电池的制备工艺，降低叠层太阳电池的制备成本。
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公开(公告)号：CN117316526B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311187403.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明涉及碳纳米材料技术领域，提出了一种制备自支撑纳米碳基导电宏观体的方法及其应用，包括以下步骤：S1、将碳基材料、磺酸基化合物与溶剂混合，分散均匀后，涂覆于衬底上，得到覆于衬底上的纳米碳基导电宏观体；S2、将所述纳米碳基导电宏观体使用酸性溶液从衬底脱离，得到自支撑纳米碳基导电宏观体；所述磺酸基化合物包括十二烷基苯磺酸、全氟磺酸树脂、聚苯乙烯磺酸、樟脑磺酸中的一种或几种。通过上述技术方案，解决了现有技术中的纳米碳基宏观体难以形成自支撑结构和电导率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119031738A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411498148.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 河北大学
IPC: H10K39/15 , H10K30/50 , H10K30/88 , H01L31/0216 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，包括：硅异质结太阳能电池；位于硅异质结太阳能电池入光侧的钙钛矿太阳能电池；硅异质结太阳能电池包括：晶体硅基底，晶体硅基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向钙钛矿太阳能电池；位于第一表面上的第一有机钝化层；位于第二表面上的第二有机钝化层；位于第一有机钝化层表面上的空穴选择接触层，空穴选择接触层与第一有机钝化层以及晶体硅基底的第一表面形成第一异质结；位于第二有机钝化层表面上的电子选择接触层，电子选择接触层与第二有机钝化层以及晶体硅基底的第二表面形成第二异质结。本申请技术方案可以降低寄生吸收，降低钝化工艺难度以及制备成本。
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公开(公告)号：CN117995938A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311736841.4
申请日：2023-12-15
Applicant: 河北大学
Abstract: 本申请公开了一种光伏组件制备系统，本申请技术方案通过采集装置能够采集定位平台上待处理电池片的位置参数，调整设备能够基于位置参数，调整待处理电池片在定位平台上的位置，使得待处理电池片为定位平台上设定的目标位置。而且调整设备具有钝化刷头，能够在调整设备对待处理电池片进行位置调整的过程中，同步为待处理电池片的切割断面涂覆钝化液。可见，本申请技术方案能够利用对待处理电池片进行位置调整的过程，同步为其切割断面涂覆钝化液，实现切割断面缺陷的钝化，降低载流子在切割面断的复合，从而提升电池效率和组件功率，无需单独钝化工艺流程，节省了钝化时间，能够及时对待处理电池片的切割断面进行钝化，提高了光伏组件的生产效率。
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公开(公告)号：CN117038759B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311234040.8
申请日：2023-09-23
Applicant: 河北大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/18 , H01L31/0256
Abstract: 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，提出了一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池。其中空穴传输层包括炭黑和磺酸基化合物；所述磺酸基化合物包括双三氟甲烷磺酰亚胺、全氟磺酸、PS‑b‑PERB中的一种或几种；所述的一种以炭黑导电薄膜作为空穴传输层的晶硅太阳能电池的制备方法，包括：A1、对制绒后的硅片进行磷扩散制结；A2、在所述制结后的硅片正面先沉积氧化硅和氮化硅叠层薄膜，再印刷银浆；A3、在所述制结后的硅片背面制备炭黑导电薄膜，在所述炭黑导电薄膜上印刷银浆，得到晶硅太阳能电池。通过上述技术方案，解决了相关技术中的空穴传输层传输空穴能力和阻挡电子能力差，且载流子复合严重的问题。
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公开(公告)号：CN117680842A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311821515.3
申请日：2023-12-27
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明涉及无损切割技术领域，提出了一种切割温度可视可控的硅太阳电池无损切割设备及方法，包括：机架；激光切割组件，可滑动的设置在机架上，激光切割组件用于加热电池板；输送带，设置在机架上；吸盘，具有若干个，若干个吸盘均间隔设置在输送带四周，吸盘用于吸附电池板；红外成像件，设置在激光切割组件上，且随激光切割组件滑动，红外成像件用于实时检测被切割的电池板的温度。通过上述技术方案，解决了只能通过试错的方法确定合适的光伏电池切割工艺，造成原料浪费的问题。
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公开(公告)号：CN115172603A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210803578.5
申请日：2022-07-07
Applicant: 河北大学
IPC: H01L51/44 , H01L51/42 , H01L27/28 , H01L27/30 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及光伏发电技术领域，提出了全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件，全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池包括多层结构，所述多层结构自下而上依次包括背面金属电极、空穴传输/钝化层、硅片、电子传输/钝化层、复合结、钙钛矿空穴传输层、钙钛矿吸收层、钙钛矿电子传输层、缓冲层、透明导电电极和和金属栅线电极，所述多层结构均采用溶液印刷法制备，所述空穴传输/钝化层和电子传输/钝化层均选用导电钝化材料。通过上述技术方案，解决了现有技术中叠层电池制作成本高及其组件功率损失大的问题。
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