一种高导热性无机铅卤钙钛矿复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111733401A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010560780.0

    申请日:2020-06-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种高导热性无机铅卤钙钛矿复合薄膜的制备方法,该方法利用化学剥离法制备的六方氮化硼纳米片作为导热添加剂,均匀分散在钙钛矿的前驱体溶液中,然后原位地制成复合薄膜。本发明的制备方法简单易行,得到的钙钛矿复合薄膜平整致密、连续性好,六方氮化硼纳米片形成了遍布薄膜的导热通道。本发明方法可以显著缓解钙钛矿薄膜在光照或电流注入时局部的热聚集,提高薄膜的散热性能。

    一种基于化学气相沉积的超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇的制备方法

    公开(公告)号:CN107381624A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710475083.3

    申请日:2017-06-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于化学气相沉积的超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇的制备方法,该方法是先以热浇筑法制备超薄碘化铅纳米片前驱体,再利用化学气相沉积技术,使用管式炉在合适的条件下将超薄碘化铅前驱体转化成超薄的无机铅卤钙钛矿纳米片或纳米线,最终获得超薄无机铅卤钙钛矿纳米团簇。本发明的制备方法方便易行,获得的无机铅卤钙钛矿超薄纳米片厚度或纳米线直径可维持在几个至十几个纳米之间,这些纳米片/线聚集在一起形成三角形或六边形的纳米团簇。本发明避免了有机配体的引入及后期复杂的薄膜旋涂过程,实现无机铅卤钙钛矿纳米结构在衬底上的直接制备。

    一种基于P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结结构的紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106784124A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611208996.0

    申请日:2016-12-23

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L31/109 H01L31/1876

    Abstract: 本发明公开了一种基于P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结结构紫外探测器及其制备方法,该探测器包括P型NiO薄膜和N型ZnO:Al薄膜构成的异质PN结。其制备方法如下:将六水合硝酸镍与甘氨酸或乙酰丙酮以一定比例混合配置成溶液,在一定温度下搅拌一段时间后旋涂成膜,薄膜退火处理后,得到NiO薄膜,之后在其上采用脉冲激光沉积的方法沉积ZnO:Al薄膜,得到P‑NiO/N‑ZnO:Al异质结。此方法制备简单,能耗低,可适用于大面积器件,由此制备的异质结具有良好的整流特性,制得的紫外探测器具有良好的性能。

    一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103194798A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310113963.8

    申请日:2013-04-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开一种过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜,构成该铁磁多晶薄膜的材料为Zn1-x(TM)xO;其中,TM为过渡金属元素Cu、Co或Mn,且对于Cu,0<x<0.03;对于Co和Mn,0<x<0.08。本发明还公开了上述过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜的制备方法,由过渡金属及锌的醋酸盐前驱体溶液制备TM掺杂ZnO纳米晶沉淀,然后经分散、旋涂得到过渡金属掺杂ZnO基铁磁多晶薄膜,为增强多晶薄膜的铁磁稳定性,改进输运特性,还进行了氢等离子优化处理。该方法工艺简单、成本低廉,可在较大范围内调节掺杂浓度,得到的多晶薄膜致密平整、附着性良好,室温下均表现明显的磁滞回线,可应用于量子自旋器件中。

    钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管

    公开(公告)号:CN115224226A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210806872.1

    申请日:2022-07-08

    Abstract: 本发明提供钙钛矿量子点薄膜及其制备方法,以及具有该钙钛矿量子点薄膜的发光二极管。钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括溶液法薄膜原位后处理步骤:在钙钛矿量子点溶液旋涂过程中快速滴加含有类卤素钝化剂的溶剂,提高所得钙钛矿量子点薄膜的荧光量子产率(PLQY)。发光二极管包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点薄膜、电子传输层、电极层。本发明通过溶液法对钙钛矿量子点薄膜进行后处理,提升了钙钛矿量子点发光层的荧光量子产率,从而提升相应的发光二极管器件外量子效率。

    一种n-i-p型钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114975844A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210599387.1

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种n‑i‑p型钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述方法包括:在清洁活化处理后的透明导电玻璃表面旋涂ZnMgO前驱液,退火形成薄膜;在ZnMgO薄膜表面直接旋涂钙钛矿前驱体溶液,以原位成膜的方式获得钙钛矿薄膜;在钙钛矿薄膜表面沉积空穴注入层、传输层和金属电极,实现n‑i‑p型钙钛矿发光二极管制备。本发明所制备得到的钙钛矿发光二极管在ZnMgO薄膜和钙钛矿薄膜之间无界面绝缘层,含大量羧酸基团的ZnMgO薄膜抑制了与钙钛矿薄膜之间的界面反应。发光二极管具有较高的载流子注入、传输能力和稳定性。

    一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114940684A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210573774.8

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种白光发光的卤化铜配合物及其制备方法和应用。卤化铜配合物由卤化铜溶液和有机配体溶液经充分混合均匀后旋涂于基片表面,旋涂过程中原位反应制得。制备得到的卤化铜配合物为薄膜形式,在紫外光激发下或电激发下具有白光发射。本方法制备的卤化铜配合物不含重金属、贵金属和稀土元素,成本低廉,原料易得。制备的卤化铜配合物本身即具有白光发光,应用于白光照明领域可有效避免器件工作时间过长导致的偏色问题。制备的卤化铜配合物薄膜不需要对该配合物进行预先合成再加工到基片上,而是在旋涂过程中原位在基片上形成,十分简便易行。该薄膜可直接作为光转换膜使用,也可再在其上层加工其他功能层制备电致发光器件。

    一种基于纳米棒的新型电致激光器件

    公开(公告)号:CN114825036A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210286630.4

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米棒的新型电致激光器件。包括依次叠层设置的导电衬底、空穴传输层、纳米棒发光层、电子传输层、阴极电极层,所述空穴传输层、阴极电极层均为条带状图案,且空穴传输层与阴极电极层的条带状图案方向正交,所述纳米棒发光层由水平取向随机分布的纳米棒构成,且纳米棒端面平整可自构谐振腔,在空穴传输层之间、以及空穴传输层与电子传输层之间的间隙均填充有绝缘填充层。本发明通过空穴传输层和阴极电极层的正交化图案处理,极大增加了单个器件制备过程中的微纳激光器数目,以保证大量随机分布的纳米棒形成有效的激光器,可有效提高器件良率,同时降低成本。

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