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公开(公告)号：CN113644019B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110907503.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置，包括：平移轨道，所述平移轨道架设于预设位置；行走座，所述行走座行走于所述平移轨道上；升降座，所述升降座安装于所述行走座底端；复合上料机构，所述复合上料单元安装于所述升降座底端；其中，所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置，复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料，行走座带动料盒沿着平移轨道运动，升降座完成料盒的升降，从而完成料盒的复合上料，上料方式多样，提高了工作效率，迎合了生产需求。
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公开(公告)号：CN116470468A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310248562.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明是高可靠欠压保护电路，该欠压保护电路的：电压采样采用电阻串联的无反馈控制的结构，避免由于反馈开关噪声的不稳定问题；欠压保护参考电压采用带隙基准电压实现，避免芯片工作温度不稳定造成的影响；输出整形电路采用施密特触发器和反相器组合防干扰与整形，以滤除噪声的影响，产生高精度稳定可靠的欠压保护输出信号。本发明电路用于GaN驱动芯片里，能有效解决欠压保护电路中由于反馈回路造成的开关噪声引起的电路不稳定问题，避免了芯片工作温度不稳定造成的影响，滤除了噪声的影响，产生稳定可靠的欠压保护输出信号，达到保护驱动电路的目的。
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公开(公告)号：CN115389893A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210966795.6
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一种负压检测电路，采用带隙基准电压比较器结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，高侧负压检测电路采用带隙基准比较器，将带隙基准和电压比较器结合在一起，受温度的影响小，由于使用电流比较，速度快，可以有效避免高侧浮动电源轨的影响。
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公开(公告)号：CN115015269A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210575006.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供一种集成电路失效位置检查用装置，包括检查台，支撑架，热发射显微镜，可调节存放架结构，可调供电架结构，可调节监测架结构和显示屏，所述的检查台的下部螺栓安装有支撑架；所述的检查台的上部左侧安装有热发射显微镜；所述的热发射显微镜的下部设置有可调节存放架结构；所述的检查台的中上部安装有可调供电架结构。本发明T型旋转杆的垂直段胶接有橡胶绝缘套，有利于在使用时方便使用者握住T型旋转杆在定位槽内转动，同时方便对夹装在弹簧接线夹内的二极管进行翻转，实现全方位的检测。
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公开(公告)号：CN113098456B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112626464B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011419636.1
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
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公开(公告)号：CN112609242B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN112133808B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010775492.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种全彩氮化镓基芯片立式封装结构，包括安装座、固定座和芯片板，安装座的底部贯穿固定座的顶部并延伸至固定座的内腔，固定座的内腔开设有与安装座的表面适配的安装槽，安装座的内腔与芯片板的表面活动连接，本发明涉及芯片封装结构技术领域。该全彩氮化镓基芯片立式封装结构，在对芯片板进行安装时，将芯片板和固定架均插接进安装座内，然后在固定架与安装座之间的缝隙里填充封装胶，将固定架和安装座之间胶合住，然后将支撑架套设在芯片板表面，将支撑架插接进支撑槽内，通过支撑架对芯片板进行支撑限位，可以快速对芯片板进行封装，使得封装效率大大提高，封装工艺简化，操作简单，使用效果好。
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公开(公告)号：CN113098471A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN119758004A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411800816.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，包括温度传感器：安装于芯片表面，用于实时监测芯片温度；控制器：接收温度传感器的信号，进行数据处理和算法运算，输出控制指令；电源管理模块：根据控制器的指令，调节芯片的电源电压和频率；反馈回路：形成闭环控制，确保温控精度和响应速度；热稳态测试方法如下：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值；温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器；本发明的有益效果是：通过实时监测与动态调节，实现了芯片温度的精确控制，有效提升了芯片的稳态寿命和可靠性，为高性能芯片的热管理提供了一种创新且高效的解决方案，具有广阔的应用前景。
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