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公开(公告)号:CN116470468A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310248562.7
申请日:2023-03-15
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明是高可靠欠压保护电路,该欠压保护电路的:电压采样采用电阻串联的无反馈控制的结构,避免由于反馈开关噪声的不稳定问题;欠压保护参考电压采用带隙基准电压实现,避免芯片工作温度不稳定造成的影响;输出整形电路采用施密特触发器和反相器组合防干扰与整形,以滤除噪声的影响,产生高精度稳定可靠的欠压保护输出信号。本发明电路用于GaN驱动芯片里,能有效解决欠压保护电路中由于反馈回路造成的开关噪声引起的电路不稳定问题,避免了芯片工作温度不稳定造成的影响,滤除了噪声的影响,产生稳定可靠的欠压保护输出信号,达到保护驱动电路的目的。
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公开(公告)号:CN115389893A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202210966795.6
申请日:2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一种负压检测电路,采用带隙基准电压比较器结构,应用于GaN半桥驱动电路中,为了解决驱动电路负压的影响,抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间,高侧负压检测电路采用带隙基准比较器,将带隙基准和电压比较器结合在一起,受温度的影响小,由于使用电流比较,速度快,可以有效避免高侧浮动电源轨的影响。
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公开(公告)号:CN116455370A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202310155791.4
申请日:2023-02-23
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/16 , H02M1/44 , H03K17/687
Abstract: 本发明是EMI可调整的自适应负载输出驱动电路,包括若干组驱动电路,驱动电路的负载上沿连接有短脉冲采样电路,用于对其电压采样,短脉冲采样电路的输出端连接高速比较电路的信号输入端,用于将采样电压经若干个不同阈值的比较器后,获得对应位数温度计码,高速比较电路的输出端通过同步电路连接温度计码解码电路和锁存电路,用于对温度计码解码并锁存有效信号,锁存电路连接负载识别电路,负载识别电路根据锁存的有效信号识别生成负载判断信号,来控制各组驱动电路中主驱动通道的导通与关闭。本发明电路可用于GaN驱动芯片中,使驱动晶体管尺寸随着负载大小的变化而变化,达到驱动负载上沿时间基本恒定的目的,降低EMI辐射的同时,提高输出效率。
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公开(公告)号:CN115189690A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202210966701.5
申请日:2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/017 , H03K19/00
Abstract: 本发明是一种电容负载降压电平移位电路,采用电容负载结构,应用于GaN半桥驱动电路中,为了解决驱动电路负压的影响,抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间,降压电平移位电路采用电容负载,窄脉冲控制高侧移位电路的输入,高侧延时电路控制电容充放电回路,可以有效降低共模干扰,有效地保护GaN器件,使其栅压控制在正常工作范围内,避免负压对GaN器件的损坏,并且转换速度快、功耗低。
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公开(公告)号:CN114927453B
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202210233471.1
申请日:2022-03-10
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡麟力科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B5/04
Abstract: 本发明提供低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置,包括测试台,支撑柱,底板,第一支撑板,斜T型滑槽,控制箱,可滑动插接防护座结构,可复位检测移动座结构,可转动除尘降温罩结构,倒L型遮挡板,检测模块,吸尘器,连接管,可支撑防晃定位架结构,滑槽,滑孔和固定座所述的测试台的下端四角位置分别螺栓连接有支撑柱;所述的支撑柱之间的下部螺栓连接有底板。本发明吸尘器,第一固定管,第二固定管,金属软管和吸尘罩的设置,有利于在使用的过程中通过吸尘器工作时产生的动力,使吸尘罩进行吸尘工作,通过吸尘罩设置在插接座的上方,方便在检测的过程中提高降温效率。
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公开(公告)号:CN119644085A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411770669.9
申请日:2024-12-04
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体的模块高低温试验系统,该高低温试验系统包括硬件模组,用于对温度进行控制、数据传输,以及指令的接收;控制算法单元;该控制算法模块包括通过调整比例、积分和微分参数来优化温度控制,并使用自适应PID或模糊PID方法来提高系统的稳定性和响应速度PID控制模块;使用高灵敏度的传感器可以实现更高的温度测量精度,减少误差,提高控制的准确性,并采用MEMS执行器等新型技术,可以快速调整温度,适应快速变化的环境需求,同时通过模糊逻辑和强化学习算法,系统能够根据实时数据自动调整控制策略,适应不同的工作环境和条件,结合边缘计算和深度学习技术,可以对温度变化进行预测,提前采取措施。
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公开(公告)号:CN114910497B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202210593038.9
申请日:2022-05-27
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置,包括梯形工作台,防滑橡胶垫,带孔IC座,塑料支架,弯折观察架结构,吸尘补光架结构,电动马达,侧面支撑架,燕尾型限位滑槽,燕尾型移动滑块,锁紧螺栓,升降减速架结构,燕尾型升降板,齿槽移动板和打磨马达,所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部;所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部;所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置,有利于对的芯片表面的观察位置进行放大,保证工作人员可以清晰地看到打磨效果,提高该装置的打磨精度。
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公开(公告)号:CN115078943A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210555179.1
申请日:2022-05-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置,包括横向底板,安装架,顶紧气缸,连接座,温度检测架结构,压力检测承重架结构,测试架结构,处理器,触摸显示屏和寄存器,所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架;所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸;所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座;所述的连接座的下部安装有温度检测架结构;所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构;所述的安装架的右侧安装有测试架结构;所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整,以及增加测试功能。
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公开(公告)号:CN112104370B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202011022536.5
申请日:2020-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路,该电路包括:信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术,在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路,实现模拟信号的高速跟随和量化,达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路,在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下,快速提升ADC转换速度,具有低成本优势。
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公开(公告)号:CN112071962B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202010774402.2
申请日:2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置,包括加工箱体,加工箱体内壁的底部固定连接有转动电机,所述转动电机的输出端固定连接有加工台,所述加工台上设置有夹紧机构,所述加工箱体内壁之间的上方固定连接有固定板,所述加工箱体的内部设置有调节机构(6);该加工装置利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境,满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境,结构简单,成本低,方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。
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