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公开(公告)号：CN112981541A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110173408.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种退火装置及其工作方法，退火装置包括退火腔主体和气流循环风机，气流循环风机设置于退火腔主体外部，气流循环风机包括旋转件和设置于旋转件外侧的壳体，壳体与退火腔主体密封连通。在退火的过程中，旋转件进行旋转以带动退火腔主体内的气流流动，使得退火腔主体内不同位置的热量发生交换，从而提高了退火腔主体内不同位置的温度的均匀性；同时，气流循环风机设置于退火腔主体的外部，不占用退火腔主体的内部空间，从而增加了可同时进行退火的待退火件的数量，提高了退火效率。
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公开(公告)号：CN112872536A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110071392.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种激光芯片的辅助焊接装置，其包括台阶热沉，用于放置COS；升降件，与所述压针连接，用于控制所述压针与COS上表面抵触；若干倾斜设置的压针，所述压针与COS一一对应设置，所述压针对COS的作用力的水平分力驱使COS朝向台阶热沉的台阶侧壁进行紧靠限位，所述压针朝向COS一端上设置有用于和COS贴合的抵触块，所述抵触块下表面和COS上表面平行，本发明具有将激光芯片固定在台阶热沉上时，使激光芯片不会偏移位置。
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公开(公告)号：CN111641109B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010526713.7
申请日：2020-06-09
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种多有源区级联的半导体激光器。所述多有源区级联的半导体激光器包括：若干级联有源区，每一所述级联有源区包括多个有源区；隧道结，在所述级联有源区的至少一侧设置，与所述级联有源区电连接；其中，在所述级联有源区中，至少一组相邻的所述有源区之间通过势垒层连接。这样周期性增益结构中可增加更多的有源区，提高了器件的内量子效率，同时也降低了载流子的密度，从而获得更多的增益。势垒层连接不具有引入新的pn结的特性，因此该层不会提高器件工作的开启的电压，同时外延生长也较隧道结简单。
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公开(公告)号：CN112670831A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011566910.8
申请日：2020-12-25
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种波长锁定半导体激光器，包括：偏振合束器；位于偏振合束器第一侧的第一半导体激光器，第一半导体激光器适于输出第一激光束，第一激光束包括偏振态相互垂直的第一主激光分量和第一副激光分量；位于偏振合束器第三侧的第二半导体激光芯片，第二半导体激光芯片适于输出第二激光束，第二激光束包括偏振态相互垂直的第二主激光分量和第二副激光分量；位于第一半导体激光器和所述偏振合束器之间的半波片；位于偏振合束器的第二侧的反射元件；偏振合束器适于将第一主激光分量和第二主激光分量合束并从偏振合束器的第四侧出射。所述波长锁定半导体激光器的稳定性和安全性提高。
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公开(公告)号：CN119362145B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411884395.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种模式调控半导体发光结构及其制备方法，模式调控半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；光栅层，位于所述第一限制层和所述有源层之间和/或所述第二限制层和所述有源层之间；其中，所述光栅层包括：多个沿腔长方向间隔排布的光栅条；至少部分数量的所述光栅条在慢轴方向的长度不同；所述光栅条沿腔长方向在所述模式调控半导体发光结构的前腔面的正投影与所述前腔面的在快轴方向的中心轴相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119666508A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510181379.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明提供一种测试样品及其制备方法，制备方法包括：形成初始样品，包括：在半导体衬底层中形成凹槽，所述凹槽自所述半导体衬底层的一侧表面延伸至部分所述半导体衬底层中；在所述凹槽的内壁以及所述凹槽侧部的所述半导体衬底层的表面形成超晶格层；在所述超晶格层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层背离所述超晶格层的一侧表面形成导电层，所述导电层背离绝缘保护层一侧的所述凹槽作为空隙；采用聚焦离子束对所述初始样品进行切割，形成测试样品，切割采用的切割面经过所述空隙且垂直于所述半导体衬底层。
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公开(公告)号：CN119496042A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202510073864.4
申请日：2025-01-17
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 深圳麦克韦尔科技有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，公开了多结垂直腔面发射激光器及其制备方法。激光器包括衬底层、外延结构、第一氧化层和第二氧化层，外延结构包括第一反射镜层、包括多个势垒层和隧道结的有源层和第二反射镜层；具有第一氧化孔的第一氧化层设置在隧道结的一侧上，第二氧化层设置在隧道结的另一侧上，具有与第一氧化孔同心的第二氧化孔，第一氧化层的氧化深度大于第二氧化层；一个隧道结、第一氧化层和第二氧化层形成一个集成结构，置于驻波场的一个波谷内。形成在隧道结两侧设置上长下短的氧化层的光场限制结构，保证谐振腔内有更多的高阶光模式，既能够对横向电流有效限制，也能够避免串联电阻增大，驻波场有效腔长缩短，光电转换效率进一步提高。
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公开(公告)号：CN119070132A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411580010.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器薄膜复合结构及其制备方法。半导体激光器薄膜复合结构包括：衬底；介质膜，位于衬底一侧；金属膜，位于介质膜背向衬底一侧的表面；还包括，半无序界面区域，位于衬底与介质膜之间；半无序界面区域的有序度S介于0到1之间；半无序界面区域为衬底和介质膜的界面区域；半无序界面区域为衬底材料的组成原子与介质膜材料的组成原子共同形成的混合区域。本发明提供的半导体激光器薄膜复合结构可以在不改变介质膜成分以及厚度的情况下，提升介质膜与半导体激光器衬底的结合强度，有效防止半导体激光器薄膜容易脱落，进而提高半导体激光器的良率，同时保证半导体激光器的光学性能和电学性能。
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公开(公告)号：CN118112399B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410534321.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: G01R31/311 , H01S5/042 , G01J5/00 , G06F30/398 , G06F30/392 , G06T7/00
Abstract: 本申请公开了高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，其中高功率半导体激光芯片性能评估方法包括：在待测芯片N面电极上设置窗口；使待测芯片保持工作状态，待测芯片量子阱有源区产生自发辐射；使自发辐射成像于待测芯片外部；在待测芯片外部通过光谱仪获取自发辐射的光谱，得到待测芯片在工作状态下的量子阱温度的二维分布；在待测芯片外部通过CCD相机获取自发辐射成像的图像，得到待测芯片在工作状态下的量子阱内载流子的二维分布。本申请公开的高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，能够获得分辨率自由调节的工作状态下待测芯片量子阱内温度与载流子浓度的分布，操作方便，简单易行，有效提高评估结果准确度。
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公开(公告)号：CN116632648B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310884837.6
申请日：2023-07-19
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种边发射半导体发光结构及其制备方法，边发射半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上依次层叠的下限制层、有源层和上限制层；边发射半导体发光结构具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在边发射半导体发光结构的慢轴方向排布；边发射半导体发光结构具有位于第一侧壁和第二侧壁之间的电流注入区，电流注入区与第一侧壁和第二侧壁均间隔设置；位于电流注入区在慢轴方向上至少一侧的特征槽，特征槽至少位于上限制层中，特征槽具有朝向电流注入区的特征侧壁；特征侧壁的表面设置有若干朝向所述电流注入区的凸起。边发射半导体发光结构能降低功率抖动。
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