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公开(公告)号：CN119581993A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510134531.8
申请日：2025-02-07
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体光子晶体发光结构及其制备方法，半导体光子晶体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层、第二半导体层和保护层，所述第一半导体层中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中，所述保护层位于所述凹槽的内壁表面，所述第二半导体层位于相邻的凹槽之间的所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面且未延伸至所述凹槽中。半导体光子晶体发光结构的光场模式调控能力提高。
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公开(公告)号：CN119362145A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411884395.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种模式调控半导体发光结构及其制备方法，模式调控半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；光栅层，位于所述第一限制层和所述有源层之间和/或所述第二限制层和所述有源层之间；其中，所述光栅层包括：多个沿腔长方向间隔排布的光栅条；至少部分数量的所述光栅条在慢轴方向的长度不同；所述光栅条沿腔长方向在所述模式调控半导体发光结构的前腔面的正投影与所述前腔面的在快轴方向的中心轴相交。
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公开(公告)号：CN119362143B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411886875.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法和测试方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；有源层，位于半导体衬底层的一侧；第一电极层，位于所述半导体衬底层背离所述有源层的一侧；其中，第一电极层中具有多个开口，开口贯穿第一电极层，多个开口沿第一方向和第二方向呈周期性阵列排布，沿第一方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，沿第二方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，开口在第一方向的尺寸与多个开口在第一方向的周期尺寸的比值小于或等于60%，开口在第二方向的尺寸与多个开口在第二方向的周期尺寸的比值小于或等于60%。
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公开(公告)号：CN119362143A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411886875.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法和测试方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；有源层，位于半导体衬底层的一侧；第一电极层，位于所述半导体衬底层背离所述有源层的一侧；其中，第一电极层中具有多个开口，开口贯穿第一电极层，多个开口沿第一方向和第二方向呈周期性阵列排布，沿第一方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，沿第二方向相邻开口之间的间隔距离小于或等于10微米，开口在第一方向的尺寸与多个开口在第一方向的周期尺寸的比值小于或等于60%，开口在第二方向的尺寸与多个开口在第二方向的周期尺寸的比值小于或等于60%。
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公开(公告)号：CN119362145B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411884395.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种模式调控半导体发光结构及其制备方法，模式调控半导体发光结构包括：依次层叠的第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；光栅层，位于所述第一限制层和所述有源层之间和/或所述第二限制层和所述有源层之间；其中，所述光栅层包括：多个沿腔长方向间隔排布的光栅条；至少部分数量的所述光栅条在慢轴方向的长度不同；所述光栅条沿腔长方向在所述模式调控半导体发光结构的前腔面的正投影与所述前腔面的在快轴方向的中心轴相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118316394B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410734452.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 四川大学 , 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质，涉及无线能量传输技术领域，该方法应用于测量脉冲激光无线能量传输系统的测量设备，该系统包括：被脉冲激光照射的光伏电池阵列；该测量设备包括：光功率计、电子负载、示波器；该方法包括：脉冲激光器发射脉冲激光辐照至光伏电池阵列，电子负载为光伏电池阵列提供可调整的反向电压，通过示波器获取电子负载与光伏电池阵列之间的脉冲电流、脉冲电压，并通过光功率计获取光功率；调节电子负载提供的反向电压，并对脉冲电流、脉冲电压、光功率进行数据处理，以获得光伏电池阵列的最佳光电转换特性。有益效果为：整个系统简单易实行，提高了光电转换特性测量的准确性。
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公开(公告)号：CN117239953B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311500197.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 四川大学 , 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光伏阵列重构方法、装置及上位机，涉及激光无线能量传输技术领域，该方法包括：在激光无线能量传输过程中，采集光伏阵列预设节点处的短路电流；将短路电流输入到目标神经网络模型进行实时预测，获得最优阵列布局；其中，目标神经网络模型的构建通过对光伏阵列激光非均匀辐照产生的短路电流训练获得；基于最优阵列布局，对光伏阵列进行重构。最优重构布局由深度神经网络做出实时预测，阵列组件连接方式无需任何物理变更，且数据采集、布局预测和电气连接切换实时完成；光伏阵列在任意非均匀辐照激光下均能实时快速地重构，实现了高输出功率和高转换效率，减少了电流传感器复杂度的同时提升了重构速度。
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公开(公告)号：CN114883915A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210812048.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法，其中，半导体发光器件包括：半导体衬底层；第一布拉格反射镜；有源层；第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均有本体原子组；第一布拉格反射镜或第二布拉格反射镜中具有晶格调节原子，第一布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角和第二布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角不同，晶格调节原子与本体原子组中的原子不同。半导体器件可以通过衍射谱来判断是第一布拉格反射镜的周期厚度出现偏差还是第二布拉格反射镜的周期厚度出现偏差，降低了工艺成本，减少了资源浪费。
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公开(公告)号：CN114583556B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210477824.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：；；其中：，；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
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公开(公告)号：CN114855267A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210781178.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 四川大学
Abstract: 本申请提供一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法，所述晶圆外延生长系统包括：反应腔室，所述反应腔室适于容纳第一预设反应气体和第二预设反应气体，第一预设反应气体和第二预设反应气体用于在晶圆上沉积形成外延结构；进气系统，所述进气系统包括第一进气通道和至少一个第二进气通道；所述第一进气通道连接于所述反应腔室顶部的中心区域，所述第一进气通道适于向所述反应腔室输送所述第一预设反应气体；所述第二进气通道连接于所述反应腔室顶部的边缘区域，所述第二进气通道适于向所述反应腔室输送所述第二预设反应气体。本申请实现了对晶圆外延生长的控制，避免翘曲的形成。
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