一种低辐射镀膜钢化玻璃的生产方法

    公开(公告)号:CN101077825A

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200710013630.2

    申请日:2007-02-14

    Abstract: 本发明涉及一种低辐射镀膜钢化玻璃的生产方法,它包括一个炉体1,炉体中设有传送辊道3,其特征是将炉体分为四个功能室:加热室A、镀膜室B、均热室C和冷却室D,加热室中上下方分别设置有电加热装置2,镀膜室的上方设置有一组化学气相镀膜反应器4,均热室的上方设有一组热风强制加热器6、下方设有一组电加热器12,冷却室的上下方分别设置有冷风强制冷却器9。本发明的优点在于:生产方法工序简单,生产成本较低,同时也节约了大量的能源。可实现在一条生产线上连续生产低辐射镀膜钢化玻璃。制得的低辐射镀膜钢化玻璃既没有明显的光学干涉色,同时强度又达到钢化玻璃的标准。

    一种有序大孔二氧化硅涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN112759951A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202011559813.6

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明涉及一种有序大孔二氧化硅涂层的制备方法步骤如下:将基材浸泡于5%的氢氧化钠乙醇洗液和5%的盐酸洗液中各0.5h,在基材表面刮涂聚苯乙烯颗粒层,绕线棒采用不锈钢绕丝直径为2~20μm,刮涂速率为0.5~6cm/s,聚苯乙烯的乙醇分散液浓度为1~10%,粒径为50~800nm;按摩尔比四乙氧基硅烷1、无水乙醇34~37、水8~13、盐酸0.01~0.1、聚乙二醇0.01~0.05,配制二氧化硅溶胶,采用湿化学法在聚苯乙烯颗粒层上涂覆SiO2膜层,煅烧去除聚苯乙烯模板后留下反向复制的多孔SiO2涂层即可;热处理温度为380~550℃,保温时间为15min~120min。该方法步骤简单、高效。

    一种反射波长可调的反射增透玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN112499986A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011560991.0

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明公开一种反射波长可调的反射增透玻璃,在玻璃基板表面制备透明介质微球阵列结构层,微球直径100nm—500nm之间,透明介质微球直径决定反射对应波长的光线。制法如下:透明介质微球分散在无水乙醇等溶剂中,搅拌均匀分散,玻璃基板清洗表面并羟基化处理后,浸入介质微球悬浮液中垂直沉积24 h沉积在玻璃表面,100至200℃的高温烘干,得到表面介质微球的阵列结构的玻璃,能够增强反射与所选微球直径相关的特定波长的光波显示颜色。本发明的有益效果是:制备出具有一定颜色的平板玻璃,同时又不会明显降低玻璃基板的透过率,可以用于彩色太阳光伏电池的盖板玻璃以及于其他各种需要有效减少某种波长光波透过的场合。

    纳米SiO2小球改性热致变色VO2智能薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105236763B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201510585948.2

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 一种纳米SiO2小球改性热致变色VO2智能薄膜的制备方法,其特征在于,包括将原料五氧化二钒(V2O5)与分析纯草酸(C2H2O4)混合溶入溶剂无水乙醇,在烧杯中混合搅拌至原料全部溶解,加入稳定剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶液,搅拌10~30min,将该溶液转移入四口烧瓶置于100~120℃油浴锅中加热搅拌10~15h后加入分散有纳米SiO2小球的乳状液,继续加入适量吐温‑80,搅拌至形成均匀乳状液VO2镀膜溶胶,将所制备的湿膜在80~120℃烘箱中烘干,然后在惰性气氛炉中于500℃~600℃退火5~30min即得热致变色智能VO2薄膜。根据本发明实施例的纳米SiO2小球改性热致变色VO2智能薄膜的制备方法,用液相法镀膜,能够很好地引入模版从而达到控制薄膜表面形貌的目的。

    一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107546341B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710796080.X

    申请日:2017-09-06

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗柔性基底;S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm;本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜,具有更好的透过率和导电性能;对Ag膜层采用等离子体辐照,使Ag膜层成膜质量更好,整个复合膜系具有更好的透过率和导电性;SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好,不需要金属过渡层,且成本低廉,适合工业化生产。

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