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公开(公告)号：CN105461754A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510628122.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的有机发光器件和制造有机发光器件的方法。所述有机金属化合物由式1表示，其中M选自铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、和铑(Rh)，和其中L1为由式2A表示的配体且L2为由式2B表示的配体，和其中式1中的L1和L2彼此不同。
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公开(公告)号：CN103864766A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310582433.8
申请日：2013-11-19
IPC: C07D403/14 , C07D401/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07F7/10 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D403/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/104 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , H01L51/0042 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , Y02E10/549 , C07D401/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07F7/0816 , C09K2211/1011 , C09K2211/1048 , C09K2211/1096 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0094
Abstract: 公开了用于有机光电子器件的化合物，包括其的有机发光二极管、和包括所述有机发光二极管的显示装置。由于优异的电化学和热稳定性，由化学式1表示的用于有机光电子器件的化合物提供具有在低驱动电压下改善的发光效率和优异的寿命的有机光电子器件。化学式1
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公开(公告)号：CN111269267B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911163447.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M为过渡金属，L1为由式2A表示的配体，L2为由式2B表示的配体，n1为1或2，其中，当n1为2时，两个基团L1彼此相同或不同，n2为1或2，其中，当n2为2时，两个基团L2彼此相同或不同，n1与n2之和为2或3，且L1和L2彼此不同。在式2A和式2B中，X1、环CY1、环CY2、环CY14、R1‑R3、R11‑R14、Z1‑Z3、a1、a2、a3、b1、和c1与说明书中描述的相同，且式2A和2B中的*和*'各自表示与式1中的M的结合位点。式1M(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111825721B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202010302656.4
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F15/00 , C09K11/06 , G01N33/00 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/18 , H10K50/10 , H10K85/30 , H10K85/40
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1、和n2各自独立地与本文中描述的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN119177446A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410805223.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂，其中所述氧化剂为不含金属的，所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物，所述第一重复单元不同于所述第二重复单元，并且所述第一重复单元为含氮的重复单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118547287A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201168.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/26 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C09K13/06 , C09K13/08
Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。
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公开(公告)号：CN111808140B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010267966.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1、和n2各自与在本文中描述的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN115073529A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210251124.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，n1与n2之和为2或3，且L1和L2彼此不同，其中Y1、Y4、X1、X21、环CY1、环CY21、环CY22、环CY14、A1、a1、a2、b1、c1、R11‑R14、R21‑R23、和Z1‑Z5如本说明书中所定义的，式2‑1和2‑2中的*和*'各自表示与M的结合位点，且式3中的＊表示与式2‑1中的环CY1的结合位点。式1M(L1)n1(L2)n2
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公开(公告)号：CN114520299A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111390463.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供发光器件和包括其的电子设备，所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括i)第一发射层以及ii)位于所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层，所述第一发射层与所述第二发射层直接接触，所述第一发射层包括掺杂剂、第一空穴传输化合物、和第一化合物，所述第二发射层包括掺杂剂、第二空穴传输化合物、和第二化合物，包括在所述第一发射层中的掺杂剂和包括在所述第二发射层中的掺杂剂彼此相同，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，并且在所述第二空穴传输化合物的HOMO能级和所述第二化合物的HOMO能级之间的差的绝对值为约0.3eV或更小。
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