发光器件和包括其的电子设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116347913A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202211734080.4

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物,所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物,所述第一化合物包括第一过渡金属,所述第二化合物包括第二过渡金属,所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同,|HOMO(1)‑HOMO(2)|为约0.05eV至约0.4eV,并且|λmax(1)‑λmax(2)|为约0nm‑约30nm,其中HOMO(1)、HOMO(2)、λmax(1)、和λmax(2)如本文中所描述的。

    发光器件和包括其的电子设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115458700A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202210649534.1

    申请日:2022-06-08

    Abstract: 提供发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、及在第一电极和第二电极之间的发射层,其中第一电极为反射性电极,发射层包括i)第一发射层、以及在第一发射层和第二电极之间的ii)第二发射层,第一发射层包括能够发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物,λP(1)为第一光谱的发射峰波长(nm),第二发射层包括能够发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物,λP(2)为第二光谱的发射峰波长(nm),发射层可发射具有第三光谱的第三种光,λP(3)为第三光谱的发射峰波长(nm),λP(1)小于λP(2),|λP(1)‑λP(2)|大于0nm且小于或等于30nm,且|λP(2)‑λP(3)|和|λP(3)‑λP(1)|各自大于或等于0nm且小于或等于30nm。

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