公开(公告)号：CN102318072B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201080008205.4

申请日：2010-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的IGBT元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，并且所述IGBT元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的IGBT检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

公开(公告)号：CN102017140B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980116449.1

申请日：2009-04-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/34 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种半导体装置，具有：第1层叠体，其依次包括第1散热板(110)、第1绝缘层(112)、第1导电层(113)以及第1半导体元件(10)；第2层叠体，其依次包括第2散热板(121)、第2绝缘层(122)、第2导电层(123)以及由不同于所述第1半导体的半导体材料形成的第2半导体元件(20)；连接部(130)，其对所述第1导电层和所述第2导电层进行电连接，其中，所述第1层叠体和所述第2层叠体之间处于热绝缘状态。

公开(公告)号：CN102804359A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980159805.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

公开(公告)号：CN102414817A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159079.X

申请日：2009-09-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管漂移区内形成有寿命控制区。二极管漂移区和IGBT漂移区在二极管区和IGBT区之间的边界区内连续。边界区内形成有第1分离区和第2分离区。第1分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与阳极区相接。第2分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与体区相接，且与第1分离区分离。

公开(公告)号：CN102376709A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。

公开(公告)号：CN102318072A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008205.4

申请日：2010-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

Abstract: 本发明提供了一种具有在同一个半导体衬底中的IGBT元件区和二极管元件区的反向导电型半导体器件。电流检测区与所述IGBT元件区相邻布置，并且所述IGBT元件区的集电极区延伸以与电流检测区的集电极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的IGBT检测电流中的不稳定性。以相同的方式，电流检测区与所述二极管元件区相邻布置，并且二极管元件区的阴极区延伸以与所述电流检测区的阴极区连接。能够抑制由IGBT和二极管之间的界线部分所引起的二极管检测电流中的不稳定性。

公开(公告)号：CN102017140A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116449.1

申请日：2009-04-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/473

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/34 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 一种半导体装置，具有：第1层叠体，其依次包括第1散热板(110)、第1绝缘层(112)、第1导电层(113)以及第1半导体元件(10)；第2层叠体，其依次包括第2散热板(121)、第2绝缘层(122)、第2导电层(123)以及由不同于所述第1半导体的半导体材料形成的第2半导体元件(20)；连接部(130)，其对所述第1导电层和所述第2导电层进行电连接，其中，所述第1层叠体和所述第2层叠体之间处于热绝缘状态。

公开(公告)号：CN101897027A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120102.X

申请日：2008-12-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 青井佐智子 ,  杉山隆英 ,  铃木隆司 ,  添野明高 ,  西脇刚

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种IGBT(10)，具有n+型的发射区(34)、n-型的漂移区(26)、被设置在发射区(34)和漂移区(26)之间的p型的体区(28)、在体区(28)内从发射区(34)朝向漂移区(26)延伸的沟槽栅(40)、和与沟槽栅(40)的表面接触的绝缘体的突出部(60)。突出部(60)的至少一部分突出至漂移区(26)内。突出部(60)对从表面部半导体区供给的电子移动至沟槽栅(40)的下方的情况进行物理性抑制，由此，能够抑制空穴被该电子吸引而在沟槽栅(40)的下方集中的情况。其结果为，能够对栅电容由于载流子的集中而随时间变动的情况进行抑制，从而能够提供高耐压量的IGBT(10)。