公开(公告)号：CN102449734A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023860.7

申请日：2010-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  玉祖秀人 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/24 ,  C30B23/00 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种制造易于具有大直径的碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制得；以及以当俯视观察时所述多个SiC衬底(20)并排排列的方式将所述多个SiC衬底(20)的端面(20B)相互连接的步骤。

公开(公告)号：CN102449732A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023692.1

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  增田健良 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)以及包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；在基底衬底(10)的主表面上形成包括硅的Si膜(30)；通过将SiC衬底(20)放置在Si膜(30)的顶部上以便使所述SiC衬底(20)与所述Si膜(30)接触来制造堆叠的衬底；以及通过加热所述堆叠的衬底，至少使Si膜(30)中的与基底衬底(10)接触的区域和与所述SiC衬底(20)接触的区域转换成碳化硅，来将基底衬底(10)和SiC衬底(20)接合。

公开(公告)号：CN102379026A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015070.4

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 在提供的用于制造半导体衬底的方法中，准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的组合衬底(80P)。在第一和第二碳化硅衬底(11、12)之间，存在具有开口(CR)的间隙(GP)。在开口(CR)之上形成用于间隙(GP)的封闭层。该封闭层至少包括硅层。硅层被碳化以形成包括碳化硅的、在开口(CR)之上封闭间隙(GP)的盖子(70)。将来自第一和第二碳化硅衬底(11、12)的各个第一和第二侧面(S1、S2)的升华物沉积到盖子(70)之上，形成用于封闭开口(CR)的连接部。去除盖子(70)。

公开(公告)号：CN301633739S

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201030628777.5

申请日：2010-11-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Designer： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

Abstract: 1.外观设计产品名称：半导体基板。2.外观设计产品用途：该产品包含上下两层基片，主要用于制作集成电路芯片等电子装置。3.设计要点：在于上层基片上表面的形状、构造、式样及装饰图案。4.基本设计：设计1。5.最能表明设计要点的视图：设计1立体图。6.关于设计1、2和4的后视图与主视图对称，省略设计1、2和4的后视图；设计1、2和4的左视图与右视图对称，省略设计1、2和4的左视图。关于设计3后视图、左视图、右视图与设计3主视图相同，省略设计3后视图、左视图和右视图。