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公开(公告)号：CN101814321B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010119548.X
申请日：2010-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器功率选通电路，被配置为连接至具有内部电压的存储器阵列，其中，该功率选通电路包括具有输出信号的电路，该输出信号在内部电压低于第一阈值电压的情况下升高存储器阵列的内部电压以及在内部电压高于第二阈值电压的情况下降低内部电压，从而将内部电压保持在第一阈值电压和第二阈值电压之间。本发明还提供了一种保持具有内部电压的存储器阵列的数据的方法。
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公开(公告)号：CN102623436B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210011810.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/768 , H01L21/76832 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种分布式金属布线方法和系统。一个实施例包括金属_0层，该金属_1层位于金属_0层上方。金属_1层包括间单独的多个并联线，其中，并联线中都具有不同的信号，并且分布在整个金属_1层上。这种布局缩短了电流经过的距离，从而减小了金属_0层中的寄生电阻。另外，金属_1层中的这种分布式布局使得金属_2层中的连接不必带有通孔的锤头连接。
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公开(公告)号：CN102738065B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110232185.5
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1116 , H01L21/768 , H01L27/0207 , H01L27/11 , H01L2027/11887
Abstract: 一种用于形成字线解码器器件和具有字线解码器单元的其他器件的方法和布局，提供了使用非DPL光刻操作形成金属互连层，并且提供了使用下部金属层或中部金属层或者相邻引线材料缝合设置在末端的晶体管。可以将晶体管设置在纵向配置的字线解码器或者其他单元中或者附近，并且使用金属或引线材料连接的引线降低了晶体管之间的栅极电阻并且避免了RC信号延迟。本发明还公开了一种用于在半导体器件中形成器件单元的布局方案和方法。
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公开(公告)号：CN103928044A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015340.7
申请日：2013-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/18
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C13/0069 , G11C16/10 , G11C17/14 , H01L27/11226
Abstract: 本发明公开了一种存储器编程方法和存储器，该方法包括：确定存储器每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个存储单元；对存储器中的每列存储单元进行分组；优化每个子组的编码及连续第一编码值的存储单元的编码。通过对存储器中的每个存储单元晶体管的连接方式进行优化设计，从而有效减小了存储器阵列的面积，减少了与位线连接的晶体管的数量，降低了位线电容，有效提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN101740116B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910140788.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/412
Abstract: 本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)单元，包含一对交错耦合反向器，含有第一储存节点，以及第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有栅极，第一与第二源/漏极，分别与第一储存节点，读入字符线(read word-line，RWL)以及第一读入位线(read bit-line，RBL)相连，读入字符线以及第一读入位线在进行读取动作时被启动，而在进行写入动作时不被启动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102623436A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210011810.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/768 , H01L21/76832 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种分布式金属布线方法和系统。一个实施例包括金属_0层，该金属_1层位于金属_0层上方。金属_1层包括间单独的多个并联线，其中，并联线中都具有不同的信号，并且分布在整个金属_1层上。这种布局缩短了电流经过的距离，从而减小了金属_0层中的寄生电阻。另外，金属_1层中的这种分布式布局使得金属_2层中的连接不必带有通孔的锤头连接。
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公开(公告)号：CN102456392A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110311684.3
申请日：2011-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C7/222
Abstract: 一种存储器器件，提供了存储器器件和时钟偏移发生器，支持至少两个读取操作和写入操作，在存储器器件的读取-读取操作模式、读取-写入操作模式，写入-写入操作模式中，该至少两个读取操作和写入操作可以同时进行。在同时产生的沿会造成有害负载的操作模式中，时钟偏移发生器产生至少两个稳定和平衡的时钟信道，该时钟信道装载了至少两个时钟信号，并且，该时钟偏移发生器改变了时钟信号沿的相对时序，使得该沿及时位移。
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公开(公告)号：CN102237129A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010532045.5
申请日：2010-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/414
CPC classification number: G11C11/413 , G11C7/12
Abstract: 本发明揭露一种内存装置与静态随机存取内存(static random access memories；SRAM)装置。此内存装置包含位线偏压线路，用以在写入操作期间，偏压位线。位线偏压电路是操作来提供负偏压至位线。负偏压的强度与被提供至存储单元供应电压节点的存储单元供应电压的位准成反比。
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公开(公告)号：CN101840723A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010197245.X
申请日：2010-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C7/065 , G11C7/08 , G11C2207/005
Abstract: 本发明涉及一种感测放大器及其操作方法，该感测放大器具有一对晶体管(例如：晶体管P2与晶体管P3)用以在适切的状况条件下，致使在数据线DL与数据线DLB上的数据直接预设在感测放大器的内部节点(例如：节点S与节点SB)，从而可予以进行数据的读取。此外，晶体管P2与晶体管P3亦容许内部节点S与SB，共享由数据线DL与数据线DLB所构成的预先充电机制。
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公开(公告)号：CN101795059A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910146179.0
申请日：2009-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02M3/00
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/147
Abstract: 一种核心电源电压的供应方法、存储器阵列电路及集成电路，该存储器阵列电路具有随着一电源电压变化的一核心电源电压，包括一存储单元阵列，包括由核心电源电压所供电的多个静态随机存取存储单元，并且静态随机存取存储单元被排列成多个列与多个行；一电压产生电路，用以根据一参考电压，产生核心电源电压；以及一参考电压产生器，由一最大核心电源电压所供电，并接收电源电压，用以产生参考电压，其中核心电源电压会随着参考电压的变动而改变，直到核心电源电压相等于最大核心电源电压，并且参考电压为电源电压与一既定偏移电压的总合。本发明提供一种具有适应性的存储器核心电源电压的供应电路，使SRAM能有稳定的性能和静态噪声容限。
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