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公开(公告)号：CN105629657B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510843839.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN109752919A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811003099.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/54
Abstract: 本公开部分实施例提供一种适用于搜集用于影像错误补偿的信息的光罩。上述光罩包括一基板。上述光罩还包括形成于基板上的一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构。第一黑色边界结构以及第二黑色边界结构对基板的一中心同心分布。上述光罩也包括形成于基板上方的一第一图像结构以及一第二图像结构。第一图像结构以及第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的图案。第二图像结构、第二黑色边界结构、第一图像结构及第一黑色边界结构在远离基板的中心的一方向上按序排列。
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公开(公告)号：CN109581818A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811087076.7
申请日：2018-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种清洁方法，其中部分实施例提供一种在一光刻工具中清洁一感测器的方法而不须在光刻工具中进行重新校准。更具体而言，本公开实施例启示在性能表现偏移仍高于一偏移容忍度时，在短的时间间隔中利用氢自由基清洁感测器。在此公开中的清洁工艺之后，光刻工具可重新开始生产而不须重新校准。
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公开(公告)号：CN109581809A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811147885.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种检测倍缩光罩的方法，包括：通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第一高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第一高度的倍缩光罩的表面的第一图像，且通过在相对于倍缩光罩表面的参考表面高度的倍缩光罩表面的第二高度以光源扫描倍缩光罩表面，获得在第二高度的倍缩光罩的表面的第二图像，第二高度与第一高度不同，第一高度与第二高度之间的距离小于倍缩光罩的厚度，结合第一图像以及第二图像以获得倍缩光罩的表面轮廓图像。
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公开(公告)号：CN108803231A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201711306343.0
申请日：2017-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本公开实施例提供一种光刻掩模。光刻掩模包括基板，其包含低热膨胀材料。光刻掩模也包括反射结构，设置于基板上方。反射结构包括第一层和设置于第一层上方的第二层。至少第二层为多孔。光刻掩模的制造方法包括于基板上方形成多层反射结构，形成多层反射结构包括形成多个重复薄膜对，薄膜对各自包括第一层和多孔第二层。于多层反射结构形成上方盖层。于盖层上方形成吸收层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104049455B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310499322.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的实施例。该方法包括：提供衬底、反射层、覆盖层、硬掩模层，以及在其中形成开口。然后，在开口中和硬掩模层的顶面上方填充吸收层。提供平坦化工艺以去除位于硬掩模层的顶面上方的吸收层且在开口中形成吸收体，其中，吸收体顶部的宽度大于其底部的宽度。
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公开(公告)号：CN106353962A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510852193.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明提供了光刻掩模。光刻掩模包括包含低热膨胀材料(LTEM)的衬底。多层(ML)结构设置在衬底上方。ML结构配置为反射辐射。ML结构包含多个交错的膜对。每个膜对包括第一膜和第二膜。第一膜和第二膜具有不同的材料组分。每个膜对具有相应的厚度。对于多个膜对的至少一个子集，膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。本发明的实施例还涉及具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN106206265A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510859488.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/38 , G03F1/64 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法，包含：提供一承载晶圆；形成一内缩部分于承载晶圆上，内缩部分具有一倾斜部分于内缩部分的一边缘；接合一表层晶圆于承载晶圆上，以形成一开放区域于内缩部分内；图案化表层晶圆，以形成一表层膜于内缩部分之上以及一表层膜支持结构于倾斜部分之上；以及施加一机械力，以使表层膜从表层晶圆分离。该方法可保护光罩的图案化部分远离颗粒及其它污染物，表层可形成于表层晶圆之中且接着被机械地分离，还可有效率地制造有效的表层以保护光罩。
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公开(公告)号：CN105319832A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510133081.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
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公开(公告)号：CN104155846A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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