公开(公告)号：CN119310794A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411254025.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李环陵 ,  李信昌 ,  王锦焜

IPC: G03F1/62 ,  H01L21/027 ,  G03F1/64 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本申请涉及薄膜、薄膜‑光掩模结构以及形成半导体器件的方法。提供了一种薄膜，该薄膜包括薄膜膜，该薄膜膜具有提升的对氢等离子体的稳定性。该薄膜膜包括多个碳纳米管的网络。多个碳纳米管中的至少一个碳纳米管被多层保护涂层围绕，该多层保护涂层包括应力控制层以及应力控制层之上的氢渗透阻挡层。应力控制层和氢渗透阻挡层各自包括含Me氮化物或含Me氧氮化物，Me选自由Si、Ti、Y、Hf、Zr、Zn、Mo、Cr及其组合组成的组。应力控制层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第一Me浓度，氢渗透阻挡层中的含Me氮化物或含Me氧氮化物具有第二Me浓度，第二Me浓度小于第一Me浓度。

公开(公告)号：CN113126423B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN114859653A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210488674.5

申请日：2015-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  陈嘉仁 ,  李信昌 ,  严涛南

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 本发明提供了一种护膜结构、护膜掩模结构和护膜结构的形成方法。护膜结构包括由碳基材料制成的护膜薄膜。此外，护膜薄膜被配置为在光刻工艺中保护掩模结构。护膜掩模结构包括在掩模衬底上方形成有掩模图案的掩模衬底和设置在掩模衬底上的护膜框架。护膜掩模结构还包括设置在护膜框架上的护膜薄膜。

公开(公告)号：CN114783856A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210014908.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘仲轩 ,  林震洋 ,  宋古翔 ,  于大卫 ,  林冠文 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体电路的制造方法及半导体制造系统，在一种半导体元件的制造方法中，从装载端口取回半导体晶圆。将半导体晶圆传送至处理装置。在处理装置中，将半导体晶圆的表面暴露于电浆风的定向流，以从半导体晶圆的表面清除粒子。电浆风流是由环境电浆产生器产生，并将其以相对于半导体晶圆的表面的垂直平面的倾斜角导入持续预设的电浆暴露时间。在清除之后，将光阻层设置于半导体晶圆上。

公开(公告)号：CN114089596A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110835210.2

申请日：2021-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、在衬底上的反射多层堆叠、和在反射多层堆叠上的经图案化的吸收体层。经图案化的吸收体层包括合金，该合金包括钽和至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

公开(公告)号：CN113126423A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN111948897A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010806388.X

申请日：2015-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄道旻 ,  陈嘉仁 ,  李信昌 ,  石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。

公开(公告)号：CN105319832B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201510133081.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄道旻 ,  陈嘉仁 ,  李信昌 ,  石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。

公开(公告)号：CN106200274B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201510860072.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  连大成 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在各种实施例中，形成表膜薄膜，且所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置。本文中所揭示的一些实施例进一步提供包含薄膜和表膜框架的系统，所述表膜框架固定跨越所述表膜框架的所述薄膜。在一些实例中，所述表膜框架的一部分包含多孔材料，其中所述多孔材料包含所述多个孔隙通道。