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公开(公告)号：CN103603038A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310670277.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有水平式多孔喷淋装置的光辅助型MOCVD反应器，属于超导薄膜制备技术领域。其包括上下两个腔，上腔为由灯罩（1）和隔离板（2）围成的灯腔，下腔为反应腔；反应腔由水平喷淋头（4）、反应腔侧壁（5）和反应腔底座（7）围成；水平喷淋头（4）为具有一定厚度的长方体形结构，其由两个进气口、一个混气腔、多个等径等间距小出气孔和圆柱形空腔组成，多个小出气孔的出口均设置在圆柱形空腔内，水平喷淋头（4）安装在反应腔侧壁（5）的上方并与之焊接在一起。使用水平喷淋头增加了进气的横向分布均匀性，配合可旋转的基座可以确保基片生长速度的径向均匀，从而可确保至少3片直径2英寸的超导外延片均匀生长。
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公开(公告)号：CN101237016A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN118497582A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410946307.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于负热膨胀材料技术领域，提供了一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法，所述材料为ErCo2合金材料，所述ErCo2合金材料的原材料包括铒和钴，铒的摩尔数占原材料总摩尔数的1/3，钴的摩尔数占原材料总摩尔数的2/3。制备方法包括以下步骤：表面清洗；混合原材料；氩气保护；高压电弧熔炼；高温热处理。本发明提供的制备方法过程简单、成本较低，适合工业化生产；本发明提供的合金材料具有良好的导电性，且负热膨胀系数能够较好的满足于低温75 K以下工作环境的电路系统、集成电路和芯片对电极材料热匹配的特殊要求，可供给电子领域广泛应用，具有较为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118156126A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410286838.5
申请日：2024-03-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明实施例公开一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件。该金刚石半导体器件的制备方法包括：提供金刚石衬底；在金刚石衬底的一侧旋涂光刻胶；图案化光刻胶得到光刻胶平面结构；对光刻胶平面结构进行退火，得到石墨电极；其中，石墨电极的形状与光刻胶平面结构的形状相同，退火的温度大于或等于金刚石的生长温度。本实施例提供的技术方案工艺简单、易实现、成本更低，不会对金刚石材料本身造成损伤，且金刚石表面的碳原子和石墨电极中的碳原子成键，使得金刚石和石墨电极之间界面的缺陷密度较小，降低界面电阻，提高接触性能，提高金刚石半导体器件的性能，为金刚石半导体器件的实现提供了新方法。
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公开(公告)号：CN114678258A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210276892.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。结构薄膜依次由GaSb单晶衬底、p型Ga2O3纳米结构薄膜两部分组成。首先对GaSb单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的Sb形成的Sb替位SbO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成SbO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米结构可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量较高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097055B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110359099.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的As形成的As替位AsO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成AsO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米柱状结构还可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN109346400B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811208179.4
申请日：2018-10-17
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。包括如下步骤：利用MOCVD在c面蓝宝石上外延GaN薄膜，制成GaN/蓝宝石基底；将GaN/蓝宝石基底放置于高温氧化炉中，在900～1000℃下通入高纯氧气2～5小时后，升温至1100～1200℃继续通入氧气1～2小时；降温后得到Ga2O3/GaN/蓝宝石基底；利用MOCVD在Ga2O3/GaN/蓝宝石基底上采用温度渐变外延工艺继续外延Ga2O3，获得高质量的Ga2O3薄膜材料。本方法将GaN薄膜材料通过两步热氧化工艺制成Ga2O3/GaN/蓝宝石基底，并利用温度渐变工艺外延Ga2O3薄膜材料，可显著提高Ga2O3薄膜的晶体质量。该方法可用于Ga2O3基异质衬底器件的制备，且工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN108417488B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810213884.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法，所述复合绝缘结构由AlN薄膜层以及在所述AlN薄膜层表面氧化形成的氧化层构成，其中，AlN薄膜层用于抑制由隧穿引起较大漏电流的同时提高器件的散热能力，而氧化层由于具有较低的界面态密度和较高的致密平整度，有利于后续进行电器元件制作时使用；所述晶体管中的有源层生长于复合绝缘结构中的氧化层上，其利用复合绝缘结构中氧化层表面较低的界面态密度和较高的致密平整度特点，来改善晶体管中有源层与绝缘层之间的界面特性，进而降低晶体管的漏电流、提高工作速度以及散热能力。
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公开(公告)号：CN109978161A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910268608.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的卷积‑池化同步处理卷积核系统，属于机器学习中卷积神经网络加速技术领域。针对现有的机器学习方法采用软件实现，存在计算能力有限，成本较高等问题，本发明采用硬件设计实现机器学习，以卷积‑池化同步处理的方式来实现对卷积神经网络进行加速的目的，能够在准确率不改变的前提下，能够快速、低功耗、高效率的实现机器学习。现有的卷积神经网络通常的卷积核为固定大小，不能够适应各种设计需要，本发明中的卷积核，能够改变卷积核大小、步长等参数，能够适应各种情况下的设计需要。
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公开(公告)号：CN106098890B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610445392.1
申请日：2016-06-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n型带有斜切角的碳面SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑GaN电子提供层、InGaN基量子阱有源区、p‑Alx1Ga1‑x1N电子阻挡层、p‑GaN空穴注入层和上电极层构成。采用碳面SiC作为衬底，以获得氮极性的GaN基绿光LED器件，与传统的镓极性GaN器件相比，氮极性LED结构设计更有利于器件效率的提高。氮极性LED结构中电子阻挡层内的极化电场和外加正向偏压方向一致，有助于空穴的注入，降低器件的开启电压。同时，垂直结构LED可有效避免电流拥堵效应。本发明方法可以获得高效的GaN基绿光LED，进一步促进了GaN基绿光LED发展及其应用。
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