公开(公告)号：CN118156126B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410286838.5

申请日：2024-03-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  王增将 ,  任檬檬 ,  王孝秋 ,  张宝林

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明实施例公开一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件。该金刚石半导体器件的制备方法包括：提供金刚石衬底；在金刚石衬底的一侧旋涂光刻胶；图案化光刻胶得到光刻胶平面结构；对光刻胶平面结构进行退火，得到石墨电极；其中，石墨电极的形状与光刻胶平面结构的形状相同，退火的温度大于或等于金刚石的生长温度。本实施例提供的技术方案工艺简单、易实现、成本更低，不会对金刚石材料本身造成损伤，且金刚石表面的碳原子和石墨电极中的碳原子成键，使得金刚石和石墨电极之间界面的缺陷密度较小，降低界面电阻，提高接触性能，提高金刚石半导体器件的性能，为金刚石半导体器件的实现提供了新方法。

公开(公告)号：CN118156126A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410286838.5

申请日：2024-03-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吴国光 ,  王增将 ,  任檬檬 ,  王孝秋 ,  张宝林

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明实施例公开一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件。该金刚石半导体器件的制备方法包括：提供金刚石衬底；在金刚石衬底的一侧旋涂光刻胶；图案化光刻胶得到光刻胶平面结构；对光刻胶平面结构进行退火，得到石墨电极；其中，石墨电极的形状与光刻胶平面结构的形状相同，退火的温度大于或等于金刚石的生长温度。本实施例提供的技术方案工艺简单、易实现、成本更低，不会对金刚石材料本身造成损伤，且金刚石表面的碳原子和石墨电极中的碳原子成键，使得金刚石和石墨电极之间界面的缺陷密度较小，降低界面电阻，提高接触性能，提高金刚石半导体器件的性能，为金刚石半导体器件的实现提供了新方法。