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公开(公告)号：CN104979369B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510377722.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H04N5/361
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN102725961B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201080061288.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 黑川义元
IPC: H03M1/10 , G09F9/00 , H01L27/146 , H01L29/786 , H03M1/60 , H04N5/357 , H04N5/3745
CPC classification number: H03K23/548 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H03M1/123 , H03M1/60 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 减少了包括光电传感器的半导体器件中的噪声。该半导体器件包括模拟/数字转换器和包括光电二极管的光电传感器。该模拟/数字转换器包括振荡电路（401）和计数器电路（402）。从光电传感器输出的第一信号（311）被输入至振荡电路（401）。振荡电路（401）具有将由第一信号（311）的振荡频率的变化所获得的第二信号（403）输出的功能。计数器电路（402）具有计数功能，通过该计数功能，在第二信号（403）被用作时钟信号的情况下由控制信号（407）执行加或减。在光电传感器的重置操作过程中，计数器电路（402）进行减法。在光电传感器的选择操作过程中，计数器电路（402）进行加法。因此，可校正模拟/数字转换器的输出值（321）。
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公开(公告)号：CN102193228B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110063231.3
申请日：2011-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333 , G06F1/32 , G06F3/041 , G06F3/0488
Abstract: 本发明名称是电子装置和电子系统。目的是提供一种显示装置，其中移动图像模式和消耗更少功率的静止图像模式可以在一个屏幕上自动或通过用户在一个显示屏上的操作来切换。该显示装置包括：显示面板，其包括用于检测由用户的触摸输入的光电传感器；用于在该显示屏的部分上显示键盘的显示控制电路；和存储介质，其存储用于控制供应给显示的键盘的静止图像区域的电力的程序(应用程序)。用于控制供应给该静止图像区域的电力的该程序实现节电。
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公开(公告)号：CN102812421B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180010222.6
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/18 , G01J1/42 , G01J1/4204 , G06F3/0416 , G06F3/042 , H01L27/14612
Abstract: 显示设备包括：包含与显示元件部分设置在一起的具有用于检测可见光的第一光电二极管的第一光电传感器部分的像素；以及包含与另一显示元件部分设置在一起的具有用于检测红外线的第二光电二极管的第二光电传感器部分的像素。第二光电传感器部分检测外部光中所包括的红外线，并且选择成像元件且根据第二光电传感器部分检测到的红外线的量来调节灵敏度。
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公开(公告)号：CN105336744A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510627465.4
申请日：2011-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 黑川义元
IPC: H01L27/12 , H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/232 , H04N5/335 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14614 , G01J1/44 , G01J2001/4446 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14616 , H01L29/7869 , H01L31/032 , H04N5/23248 , H04N5/335 , H04N5/374
Abstract: 半导体装置及其驱动方法。公开了包括能以高分辨率成像的光电传感器的半导体装置。该半导体装置包括具有光电二极管、第一晶体管、和第二晶体管的光电传感器。光电二极管根据光的强度产生电信号。第一晶体管在其栅极中存储电荷并将所存储的电荷转换为输出信号。该第二晶体管将该光电二极管产生的电信号传递至第一晶体管的栅极并保持存储在第一晶体管的栅极中的电荷。该第一晶体管具有背栅极且通过改变该背栅极的电位来改变该第一晶体管的阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102696109B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080060657.7
申请日：2010-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/36 , H04N5/374
CPC classification number: G02F1/1354 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L31/145 , H04N5/3696
Abstract: 半导体装置具有：光电二极管、第一晶体管以及第二晶体管。所述光电二极管具有将对应于入射光的电荷供给到所述第一晶体管的栅极的功能；所述第一晶体管具有累积供给到栅极的电荷的功能；所述第二晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。所述第二晶体管使用氧化物半导体形成。
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公开(公告)号：CN102792677B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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公开(公告)号：CN104584534A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043503.0
申请日：2013-08-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/32 , A61B6/00 , G01T1/20 , H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14663 , A61B6/4208 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/14612 , H01L31/0376 , H04N5/32 , H04N5/3745
Abstract: 提供一种能够以少量的X光照射来获得图像数据的成像装置。成像装置使用X光来获得图像且包括闪烁器及多个像素电路，这些像素电路排列成矩阵并与闪烁器重叠。在像素电路中使用具有极小截止态电流的晶体管使来自电荷累积部的电荷的泄漏能尽可能地降低，且累积操作在所有像素电路中能基本上同时地进行。累积操作与X光照射同步，使得X光照射量能降低。
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公开(公告)号：CN103597545A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027703.2
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 黑川义元
IPC: G11C11/413 , G06F12/08 , G11C11/412
CPC classification number: H01L27/1225 , G06F12/0864 , G06F12/0895 , G06F2212/1028 , G11C7/1006 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种能够进行低耗电量操作且高速缓存命中率得到提高的高速缓冲存储器及该高速缓冲存储器的驱动方法。两个数据存储部（第一存储部及第二存储部）和一个数据传送部设置在高速缓冲存储器所包括的存储器组内的一个存储单元中，并且被安排成使得在两个数据存储部之间能够通过数据传送部来转移数据。两个数据存储部之一能够存储从外部输入的数据并能够向与存储器组成对的比较电路输出数据。
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公开(公告)号：CN101140796B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200710149734.6
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/12 , G11C16/0416 , H01L27/112 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 谋求如无线芯片那样具有CPU和存储器的半导体装置的低功耗化。存储电路包括多个字线、多个位线、以及多个存储单元。根据存储于存储单元的数据(“高电平”或“低电平”)决定多个存储单元的结构。预先分析存储于存储电路中的程序等的数据排列。当数据包含较多的“高电平”时，通过使用不形成半导体元件的空单元来形成存储“高电平”的存储单元。
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