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公开(公告)号：CN116171484A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180064527.9
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/316
Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。
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公开(公告)号：CN115136138A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015579.7
申请日：2021-02-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06G7/16 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 提供一种功耗得到降低的能够进行积和运算的半导体装置。半导体装置包括第一、第二电路，第二电路包括第一、第二开关、电流电压转换电路及第一晶体管。第一电路与第二电路的第一端子电连接，第一开关的第一端子与第二电路的第一端子电连接，第一开关的第二端子与电流电压转换电路的输入端子电连接，电流电压转换电路的输出端子与第一晶体管的第一端子电连接，第一晶体管的第二端子与第二开关的第一端子电连接，第二开关的第二端子与第二电路的第二端子电连接。第一电路具有：保持多个第一数据的功能；以及当向第一电路输入多个第二数据时，使对应于多个第一数据与多个第二数据的积和的电流量流过第二电路的第一端子的功能。
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公开(公告)号：CN113196606A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082076.4
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 二次电池随着反复充放电而发生劣化，这导致电池电压及电池容量的下降。防止二次电池由于劣化而以过度充电电流值被充电，并使二次电池长寿命化。通过考虑二次电池的劣化度控制充电来使二次电池长寿命化。在对二次电池进行充电时，由充电控制电路控制预定电流值，并且保护电路所包括的充电电流控制电路(具体而言，包括误差放大器的电路)决定流过二次电池的电流值。就是说，流过二次电池的电流值由充电控制电路和保护电路的一部分的充电电流控制电路的双方控制。
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公开(公告)号：CN104769842A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380058087.1
申请日：2013-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356
CPC classification number: G11C14/0072
Abstract: 提供一种半导体装置及其驱动方法，其中该半导体装置可以降低耗电量，还可以抑制由于停止或再次开始供应电源电压而导致的动作延迟。对应于在持续供应电源电压期间保持的数据的电位在停止供应电源电压之前保存于连接有电容元件的节点中。并且，由于将该节点用作栅极的晶体管的沟道电阻变化，因此通过再次开始供应电源电压载入数据。
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公开(公告)号：CN116097274A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180050124.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的结构的半导体装置。该半导体装置包括数字运算器、模拟运算器、第一存储电路、第二存储电路，其中，模拟运算器、第一存储电路及第二存储电路分别包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，第一存储电路具有将第一权重数据作为数字数据供应到数字运算器的功能，数字运算器具有使用第一权重数据进行积和运算的功能，第二存储电路具有将第二权重数据作为模拟数据供应到模拟运算器的功能，模拟运算器具有使用第二权重数据进行积和运算的功能，在模拟运算器及第二存储电路所包括的在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管中的至少一个中，源极‑漏极间流过的电流量为在该晶体管在亚阈值区域工作时流过的电流量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115552408A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180034710.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06G7/60 , G06G7/16 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个方式提供一种电路面积小且功耗低的半导体装置。一种半导体装置，包括第一至第四单元、电流镜电路、第一至第四布线，并且第一至第四单元的每一个包括第一晶体管、第二晶体管以及电容器。在第一至第四单元的每一个中，第一晶体管的第一端子与电容器的第一端子及第二晶体管的栅极电连接。第一布线与第一单元及第二单元的第二晶体管的第一端子电连接，第二布线与第三单元及第四单元的第二晶体管的第一端子电连接，第三布线与第一单元及第三单元的电容器的第二端子电连接，第四布线与第二单元及第四单元的电容器的第二端子电连接。电流镜电路与第一布线及第二布线电连接。
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公开(公告)号：CN113614727A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080018555.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从电路图或示出电路结构的文件制作网表的系统。本发明的一个方式是一种包括第一电子设备的AI系统，第一电子设备包括输入/输出接口、控制部及第一转换部，输入/输出接口与控制部电连接，第一转换部与控制部电连接。输入/输出接口具有将由于使用者的操作而生成的输入数据发送到控制部的功能，控制部具有将输入数据发送到第一转换部的功能。注意，输入数据为描绘了电路结构的电路图或示出了电路结构的文档文件。第一转换部包括构成神经网络的电路，第一转换部使用第一转换部的神经网络将输入数据转换为网表。
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公开(公告)号：CN113424445A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013870.6
申请日：2020-02-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K5/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H03F1/00 , H03F1/02 , H03F3/68
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。该半导体装置包括电容器、具有与电容器的第一电极电连接的第一输出端子的第一放大电路以及具有输入端子、第二输出端子、第一晶体管及第二晶体管的第二放大电路，电容器的第二电极与输入端子电连接，输入端子与第一晶体管的栅极及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二输出端子电连接，第二晶体管具有向输入端子供应电位并保持该电位的功能，第二晶体管的沟道形成区域包括包含铟和镓中的至少一个的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN107783745A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710675739.6
申请日：2017-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/14
CPC classification number: G09G5/397 , G09G3/20 , G09G3/3208 , G09G3/3648 , G09G5/006 , G09G2300/023 , G09G2300/0426 , G09G2300/046 , G09G2300/0842 , G09G2310/067 , G09G2310/08 , G09G2320/0613 , G09G2330/021 , G09G2340/02 , G09G2340/04 , G09G2340/045 , G09G2340/12 , G09G2350/00 , G09G2352/00 , G09G2360/144 , G06F3/1407
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置、显示方法。在从处理器对显示器单元发送图像数据时，将图像数据分为照片图像部分及其他部分那样的两个以上的部分，对这些部分分别进行适当的压缩处理，由此生成对应的进行了压缩的数据。由于进行了压缩的数据的总和变小，所以优选发送到显示器单元。进行了压缩的数据在显示器驱动器中进行了解压缩，成为进行了解压缩的数据。通过显示器单元将进行了解压缩的数据用于显示。为了将进行了解压缩的数据合并，除了数值运算以外也可以使用包括反射型像素及自发光型像素的显示器单元。
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公开(公告)号：CN102792677A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012932.2
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
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