公开(公告)号：CN108336187A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810148539.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 伍泳斌 ,  钟福新 ,  高云鹏 ,  黎燕 ,  莫德清

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/07 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜；在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。

公开(公告)号：CN106591922B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201710064971.6

申请日：2017-02-05

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 高云鹏 ,  钟福新 ,  黎燕 ,  江瑶瑶 ,  莫德清

IPC: C25D11/34

Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L N2H4.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。

公开(公告)号：CN104562067B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510045938.X

申请日：2015-01-29

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王伟 ,  王苏宁 ,  黎燕 ,  莫德清 ,  朱义年

IPC: C25B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；（2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894～0.8684V。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极，制备工艺简便、无污染，制备的纳米硒有较好的光电性能。

公开(公告)号：CN104327102A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410519062.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 张秀清 ,  范超逸 ,  黎燕 ,  张淑华

IPC: C07F1/08

Abstract: 本发明公开了一种双核铜配合物的应用。该双核铜配合物的分子结构图为：；上述双核铜配合物应用于切割质粒DNA。本发明的双核铜配合物具有核酸酶活性，能够在一定程度上切割DNA，对探索金属配合物与DNA的作用以及设计新的DNA结构探针等方面具有一定的指导意义。

公开(公告)号：CN103924277A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410163723.3

申请日：2014-04-23

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 钟福新 ,  王丹宇 ,  莫德清 ,  王伟 ,  黎燕 ,  王苏宁 ,  朱义年

IPC: C25D9/08

Abstract: 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。（1）将1.2800g～1.7067gCdSO4、0.0115g～0.0128gH2SeO3、0.9g～1.9gNa2SO4和100mL水混合，置于30℃～50℃水浴中;（2）以ITO导电玻璃为阴极，高纯铂片为阳极，放入上述溶液中，在1.9V～2.4V直流电压下沉积30～50分钟，制得CdSe薄膜;（3）将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合，用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10，置于40℃～50℃水浴中;（4）以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极，高纯铂片为阳极，放入步骤（3）电解液中，在1.2V～1.5V直流电压下沉积5～10分钟。本发明采用两次电化学沉积法，简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。