-
公开(公告)号：CN113984907B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111297764.8
申请日：2021-11-04
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提供一种声发射传感器动态和静态特性标定方法，包括以下步骤：准备声发射采集仪、声发射传感器、铝板、氧化锆小球、前置放大器和计算机；将铝板平放于光滑桌面上，桌面须进行水平校准；将声发射传感器固定在铝板上，在距离声发射传感器9cm的位置垂直固定一把钢尺；将氧化锆小球在距离铝板1cm距离自由释放，每次释放增加；将氧化锆小球在距离铝板大于等于15 cm距离自由释放，每次释放减小；根据声发射传感器输入‑输出关系间接计算其静态特性和动态特性。该标定方法能够对声发射传感器进行较好的标定，在声发射传感器性能评价和标定等领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113969039B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111297776.0
申请日：2021-11-04
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提供一种利用Fe2O3改性超声探头背衬层的方法是由Fe2O3粉末、环氧树脂和固化剂制备超声探头的背衬层。通过调节Fe2O3含量控制背衬层声学特性，进而提高超声探头性能。本发明的目的在于提供利用Fe2O3改性超声探头背衬层声学特性的方法，具有成本低、易操作、抗腐蚀和可减小二次反射波对接收信号的影响，在提高声发射传感器提取有用信息和应用于工作环境恶劣的土木工程监测领域具有广泛的应用前景。
-
-
公开(公告)号：CN108585850B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201810618082.4
申请日：2018-06-15
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Eu2+2xZr3Mo9O36+3x，其中‑0.05≤x≤0.025。本发明先将Eu2O3、ZrO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料，经球磨、干燥、过筛后于600℃的温度下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒，压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体，于550~650℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：较低的烧结温度（550~650℃），制备工艺较为简单，制备过程环保，成本较低，是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。
-
公开(公告)号：CN110395768A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811256131.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于微电子新材料技术领域，具体涉及一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法。该方法以耐高温的柔性云母作为衬底材料，金属薄膜或氧化物薄膜作为底电极材料，对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜。本发明首次在柔性衬底上直接高温生长具有自极化效应的铁酸铋基薄膜，其化学组成为Bi(Fe1-x-yMnxTiy)O3，其中0＜x≤0.05，0＜y≤0.05。本发明工艺简单有效，所制备的铁酸铋基薄膜耐弯折、电极化特性优越、电荷保持力强、抗疲劳性能好，且无需人工极化就表现出良好的压电性能，在柔性铁电存储、柔性压电传感等技术领域中具有很大的应用潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105693241B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610093469.3
申请日：2016-02-22
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Li3（Mg1‑xCox）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、CoO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1175~1225℃烧结，制得掺杂离子后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂Li3Mg2NbO6中的镁离子，能够显著降低陶瓷材料内部的介电损耗，提高该陶瓷材料的温度稳定性，其介电常数达到14.74~16.22，品质因数Q·f达到67,900~89,800 GHz，谐振频率温度系数为‑10.28~‑3.61 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN104844197B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510231730.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑yXyO3‑δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。
-
公开(公告)号：CN105732031A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610033053.2
申请日：2016-01-19
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3251 , C04B2235/656 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂改善微波介电特性的Li3Mg2NbO6陶瓷材料及制备方法，其组成为Li3（Mg1?xNix）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、NiO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1050~1100℃烧结，制得掺杂后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明由于采用了Ni2+掺杂，在保证原有微波介电性能稳定的情况下，显著降低制备温度，其介电常数达到14.57~16.50，品质因数Q·f达到43,947?71,023 GHz，谐振频率温度系数为?17.4~?31.8 ppm/℃。本发明制备工艺简单，过程环保,在工业上有着极大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN105693241A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610093469.3
申请日：2016-02-22
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Li3（Mg1-xCox）2NbO6，其中0≤x≤0.1；先将Li2CO3、MgO、CoO和Nb2O5按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1175~1225℃烧结，制得掺杂离子后的Li3Mg2NbO6陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂Li3Mg2NbO6中的镁离子，能够显著降低陶瓷材料内部的介电损耗，提高该陶瓷材料的温度稳定性，其介电常数达到14.74~16.22，品质因数Q·f达到67,900~89,800 GHz，谐振频率温度系数为-10.28~-3.61 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN104045335B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410309940.9
申请日：2014-07-02
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe2O4薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi5Ti3FeO15薄膜，所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.026 seconds)
