固态摄像装置
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101009294B

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN200710008163.4

    申请日:2007-01-26

    Inventor: 中柴康隆

    CPC classification number: H01L27/14678 G06K9/0004 H01L27/1464

    Abstract: 一种背面入射型的固态摄像装置,其具有半导体衬底、半导体层、和光接收部分。半导体衬底具有电阻率ρ1。半导体层位于半导体衬底的表面上。半导体层具有电阻率ρ2。其中,ρ2<ρ1。光接收部分位于半导体层中。在该固态摄像装置中,在半导体衬底的内部或者半导体层的内部对从摄像对象到半导体衬底的背面上的入射光进行光电转换,并且光接收部分对通过光电转换产生的信号电荷进行接收,从而对摄像对象进行摄像。

    半导体器件
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103022002A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210382395.7

    申请日:2009-06-05

    Inventor: 中柴康隆

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底(10)上形成多层布线层(400)、第一电感器(310)和第二电感器(320)。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层,其中t≥3。将第一电感器(310)设置在多层布线层(400)中的第n布线层中。第二电感器(320)被设置在多层布线层(400)中的第m布线层中并位于第一电感器(310)上方,其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器(310)上方的任何电感器。第一电感器(310)和第二电感器(320)组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件(300)。

    半导体器件
    57.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117895978A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311150845.4

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 一种半导体器件包括:绝缘衬底和上部电感器,上部电感器形成在绝缘衬底上并且是在不同电位之间执行非接触式通信的变压器的组件。此处,上部电感器被配置为施加有第一电位。上部电感器形成为使其与下部电感器磁耦合,下部电感器被配置为施加有与第一电位不同的第二电位。

    半导体装置
    58.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117747589A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202310951346.9

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。半导体芯片包括下布线层、形成在下布线层上的多层布线层,以及形成在多层布线层上的上布线层。这里,下布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度,并且上布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度。作为变压器的组件的下电感器被设置在下布线层中,并且作为变压器的组件的上电感器被设置在上布线层中。

    半导体器件
    59.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116916739A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310259674.2

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。施加有第一电位的电感器被与电感器连接的第一布线围绕,并且与施加有与第一电位不同的第二电位的第二布线连接的焊盘被设置在第二布线外部,使得第一布线被第二布线围绕。

    半导体器件
    60.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115377210A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210472083.9

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜,该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。

Patent Agency Ranking