-
公开(公告)号：CN1655356B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
-
公开(公告)号：CN101452931B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN100490149C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510062519.3
申请日：2005-03-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/31604 , H01L23/5228 , H01L28/24 , H01L37/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
-
公开(公告)号：CN1677670A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062519.3
申请日：2005-03-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/31604 , H01L23/5228 , H01L28/24 , H01L37/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
-
公开(公告)号：CN100521205C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1677668A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
-
公开(公告)号：CN101452931A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810189692.3
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
-
公开(公告)号：CN1677671A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
-
公开(公告)号：CN100394588C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
-
公开(公告)号：CN100385666C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.036 seconds)
