公开(公告)号：CN105259490A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510740274.9

申请日：2015-11-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法，按照如下步骤实现：选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料；在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的半导体量子阱；分别测量两个半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号，得到光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值；分别测量两个半导体量子阱的光致电流效应电流，并对应将分别由Rashba以及Dresselhaus自旋轨道耦合引起的光致电流效应电流分离出来；根据测得的光致反常霍尔电导、普通光电导以及光致电流效应电流列方程，并求解出本征和非本征机制对光致反常霍尔效应电流的贡献。本发明结构设计简单，易于操作，有利于日后推广应用。

公开(公告)号：CN105226183A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510678680.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  曾泽村 ,  邱文彪 ,  程树英 ,  林培杰 ,  俞金玲 ,  周海芳 ,  郑巧

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  C23C14/35 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。

公开(公告)号：CN105140317A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510450613.X

申请日：2015-07-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  陈超 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  张红 ,  贾宏杰 ,  俞金玲 ,  郑巧

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明公开了一种Zn(O,S)薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。在真空条件下，通过电子束蒸发的方法蒸发ZnS陶瓷颗粒，使之沉积在玻璃衬底上形成ZnS薄膜，然后通过在氧气氛围下氧化ZnS薄膜的方法掺入O元素，形成Zn(O,S)薄膜。这种方法制作出的Zn(O,S)薄膜可以通过控制氧化温度来实现不同含量的O元素掺杂，它可以代替CdS用于薄膜太阳能电池的缓冲层中，不仅可以使电池器件的生产更加环保经济，而且它操作简单，制备出来的薄膜光学透过率高，禁带宽度大小可以调节，能增加光电子的收集效率从而增大电池的短路电流，提高太阳能电池的转化效率。

公开(公告)号：CN104753461A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510168541.X

申请日：2015-04-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 林培杰 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  陈志聪 ,  吴丽君 ,  章杰 ,  赖松林 ,  郑茜颖

IPC: H02S50/00 ,  G06K9/62

CPC classification number: H02S50/00

Abstract: 本发明涉及一种基于粒子群优化支持向量机的光伏发电阵列故障诊断与分类方法，具体包括以下步骤：步骤S1：采集光伏发电阵列工作于最大功率点时的若干个电气参数，得到电气参数样本组合；步骤S2：将每个电气参数样本进行归一化；步骤S3：根据归一化后的电气参数样本组合得到测试样本组合；步骤S4：采用PSO算法计算出最优的SVM核函数参数g和惩罚参数c；步骤S5：根据最优的核函数参数g和惩罚参数c对样本进行训练，得到训练模型；步骤S6：利用训练模型对光伏发电阵列的故障进行检测和分类。本发明能够有效提高光伏发电阵列故障检测和分类的准确性。

公开(公告)号：CN103606591A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0324

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN103257036A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310189745.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈涌海 ,  程树英

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明涉及一种室温下测量垂直腔面发射激光器腔模劈裂的方法，通过光弹性调制器对垂直腔面发射激光器发出的激光进行调制，在光电探测器探测的光强信号中，包含被光弹调制器调制的沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光强差，通过改变PEM的位相调制幅度φ0（实际上只需改变两次φ0的值），就可以将VCSEL器件沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光谱分离出来，从而得到腔模劈裂值。本发明可以在室温下用具有普通分辨率的光谱系统准确获得垂直腔面发射激光器的腔模劈裂，且测量设备十分简单，操作步骤简便快捷，有利于日后推广应用。

公开(公告)号：CN102291872A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110100907.1

申请日：2011-04-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  连永圣 ,  林培杰 ,  章杰 ,  赖松林

IPC: H05B37/02 ,  H04W84/18 ,  H04L29/08 ,  H02J7/00

CPC classification number: Y02B20/48 ,  Y02B20/72

Abstract: 本发明涉及一种基于ZigBee无线网络的太阳能路灯联网监控系统，其特征在于：包括组成ZigBee无线网络且设有控制器的复数个太阳能路灯以及与互联网连接的远程监控中心；所述的复数个太阳能路灯中的一个设置有第一GPRS通信模块；所述的远程监控中心设置有第二GPRS通信模块。本发明通过对系统各个部分及其功能模块的合理设计，提供了一套网络智能化的太阳能路灯照明方案，实现将一整片区域（城镇，校园，街道，公园，广场等）安装上带有所述新型控制器的太阳能路灯，并对它们进行无线联网监控和集中便捷管理。

公开(公告)号：CN119630168A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411886655.3

申请日：2024-12-20

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 吴炯桦 ,  王仁杰 ,  程树英 ,  邓辉

IPC: H10K30/20 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明涉及一种应用于室内光伏的双异质结构2D钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括ITO衬底、MeO‑2PACz空穴传输层、2D钙钛矿双异质结构吸收层、PC61BM电子传输层和Ag电极，所述2D钙钛矿双异质结构由DJ型和RP型钙钛矿组成。电子传输层的界面处还修饰了BCP层。本发明的制备方法可以在原始DJ型2D钙钛矿层表面形成一层新型RP型2D钙钛矿结构，有效减少了2D钙钛矿的界面缺陷，进而提高2D钙钛矿器件在室内光条件下的光伏性能。

公开(公告)号：CN117855319A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410022831.2

申请日：2024-01-08

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  陈金鹏 ,  程树英 ,  赵超

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  G02F1/01 ,  G02B27/28 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明涉及一种提升本征InAs/GaAs量子点圆偏振光电流响应的方法，该方法通过测试InAs/GaAs量子点的圆偏振光电流随外加偏压的变化趋势，来获得InAs/GaAs量子点光电流中圆偏振光电流占所有偏振相关光电流的比例，找出当圆偏振光电流占总的偏振光电流的比值为最大时对应的偏压值，以实现通过施加偏压提升圆偏振光电流响应。该方法调控效果明显，十分简单易行，成本低廉，极大提升了本征InAs/GaAs量子点对圆偏振光电流的响应，对于InAs/GaAs量子点在量子光学、光通信以及新型光电子器件的设计和应用具有重要的推广应用价值。

公开(公告)号：CN114944472B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210529015.1

申请日：2022-05-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 王星辉 ,  程受麟 ,  柯秉渊 ,  张红 ,  程树英

IPC: H01M4/139 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585

Abstract: 本发明公开了一种全固态薄膜锂电池的低温制备方法，该发明以旋涂纳米材料低温制备薄膜电极，并以低温溅射LiPON为固态电解质，实现全固态锂电池的低温制备。该步骤包括：利用旋涂先将纳米结晶电极粉末制备厚度可控、表面光滑和均一性好的薄膜电极，并通过溅射或进一步旋涂低温制备全固态薄膜锂电池。本发明具有可避免高温退火结晶、操作简便、容易实现、低温制备、可利用现有电极材料体系开发全固态薄膜锂离子电池等优点。