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公开(公告)号:CN105453190B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201480044109.3
申请日:2014-08-07
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C23C18/31 , C09D5/24 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/2053 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C25D5/02 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K3/181 , H05K2201/09009
Abstract: 本发明提供了一种通过电磁波的直接辐射形成导电图案的方法,该方法能够通过简化的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案,而且即使聚合物树脂本身不包含特殊的无机添加剂,也能适当地实现具有白色或各种颜色等的聚合物树脂产品以及由此形成的具有导电图案的树脂结构。所述通过电磁波的直接辐射形成导电图案的方法包括:通过在包含二氧化钛(TiO2)的聚合物树脂基底上选择性地辐射电磁波形成具有预定表面粗糙度的第一区域;在所述聚合物树脂基底上形成导电种子;通过对具有导电种子形成在其上的聚合物树脂基底进行电镀形成金属层;以及从聚合物树脂基底的第二区域上去除导电种子和金属层,其中,所述第二区域具有比第一区域更小的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN104854027B
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201480003273.X
申请日:2014-05-16
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/113 , B01J19/18
CPC classification number: C01B33/113 , B01J19/18 , C01B33/182 , C23C14/24 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C14/5873 , C23C14/588
Abstract: 本发明公开一种用于制备SiO的设备与方法,其可通过连续收集SiO来降低SiO的制备成本。该用于制备SiO的设备包括反应单元,该反应单元被配置为接收SiO制备材料并通过加热使所接收的材料发生反应来生成SiO气体;以及收集单元,该收集单元被配置为将其内部温度保持为低于该反应单元的内部温度,该收集单元包括位于其内部空间中的旋转部件,其中该收集单元通过将由该反应单元生成的SiO气体经由形成于其至少一侧上的入口导入并使所导入的SiO气体沉积于该旋转部件的表面上来收集SiO沉积物。
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公开(公告)号:CN105493200B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201480043857.X
申请日:2014-12-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C08K3/32 , C08K2003/321 , H05K1/095 , Y10T428/24802 , Y10T428/24909 , C08L69/00
Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物,以及具有导电图案的树脂结构,所述组合物能够通过简化工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案,并且更有效地满足艺术要求例如实现各种颜色等。用于形成导电图案的组合物包含:聚合物树脂;以及非导电金属化合物,该非导电金属化合物包含第一金属和第二金属,并且是具有预定化学结构的三维NASICON结构。所述用于形成导电图案的组合物可以是通过电磁波照射形成导电图案的组合物,其中通过电磁波照射由所述非导电金属化合物形成包含所述第一金属或其离子的金属核。
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公开(公告)号:CN103987660B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380004099.6
申请日:2013-11-29
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B33/113 , H01M10/05
CPC classification number: H01M4/48 , C01B33/113 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/485 , H01M10/052 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅的制备方法、由该法制备的氧化硅以及包括该氧化硅的二次电池,在所述制备方法中,通过从含有较大量氧的氧化硅中减少氧的量来适当地控制硅和氧的量。根据所述氧化硅的制备方法,在还原性气氛下对含较大量氧的氧化硅(第一氧化硅)进行热处理来减少氧化硅(第一氧化硅)中氧的量,并制备包含合适量的硅和氧的氧化硅(第二氧化硅)(Si:SiO2=1:0.7~0.98),从而提高所述二次电池的容量特性和初始效率并确保其稳定性和和循环特性(寿命特征)。
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公开(公告)号:CN103400932B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201310309148.9
申请日:2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料:Bi1?xMxCuwOa?yQ1yTeb?zQ2z。在此,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素;Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素;x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号:CN103178202B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201310054899.0
申请日:2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料:Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中:0≤x 0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号:CN105474331A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480045195.X
申请日:2014-08-07
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C23C18/31 , C09D5/24 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/2053 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C25D5/02 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K3/181 , H05K2201/09009
Abstract: 本发明涉及一种通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法,以及具有通过该方法形成的导电图案的树脂结构,所述方法在聚合物树脂中不含特定无机添加剂的情况下,能够通过较简单的工艺和输出功率相对较低的电磁波辐射而在多种聚合物树脂产品或树脂层上形成微细导电图案。所述通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法包括:通过在含有碳类黑色颜料的聚合物树脂基底上选择性地辐射所述电磁波,形成具有预定表面粗糙度的第一区域;在所述聚合物树脂基底上形成导电种子;通过对其上形成有所述导电种子的聚合物树脂基底进行电镀,形成金属层;以及从所述聚合物树脂基底的第二区域脱除所述导电种子和所述金属层,其中,所述第二区域具有小于所述第一区域的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN105474330A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480044106.X
申请日:2014-07-24
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C23C18/31 , C09D5/24 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1641 , C23C18/1689 , C23C18/204 , C23C18/2053 , C23C18/22 , C23C18/30 , C23C18/32 , C23C18/38 , C25D5/02 , C25D5/56 , H05K1/0296 , H05K1/09 , H05K3/02 , H05K3/181 , H05K2201/09009
Abstract: 本发明提供一种通过电磁波的直接辐射来形成导电图案的方法,即使在聚合物树脂本身不含有特定无机添加剂的情况下,所述方法也能够通过简化的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成精细导电图案,本发明还涉及其上形成有导电图案的树脂结构。通过电磁波的直接辐射形成导电图案的方法包括:通过向聚合物树脂基底上选择性地辐射电磁波来形成具有预定表面粗糙度的第一区域;在所述聚合物树脂基底上形成导电种子;通过对其上形成有导电种子的聚合物树脂基底进行电镀来形成金属层;以及从所述聚合物树脂基底的第二区域脱除所述导电种子和金属层,其中,所述第二区域具有小于所述第一区域的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN103502143B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201280020543.9
申请日:2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , C01G51/00 , C01G30/00 , H01L31/032
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , C01P2002/54 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示:[化学式1]InxCo4Sb12-n-zQ'nSez,其中Q′为选自O和S中的至少一种,0<x≤0.5,0<n≤2,0≤z<2。
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公开(公告)号:CN103517872B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201280022977.2
申请日:2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C01G51/00 , C01B19/00 , H01L35/16 , H01L31/042
CPC classification number: C01G51/006 , C01B19/002 , H01L35/18
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示:[化学式1]InxCo4Sb12-n-zQ'nTez,其中Q′为选自O、S和Se中的至少一种,0
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