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公开(公告)号：CN112563158A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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公开(公告)号：CN112556612A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011442102.0
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G01B17/02
Abstract: 一种用于石英晶体振荡式薄膜厚度监视器的传感器头，其具有配置有驱动装置的传感器头主体，由驱动装置旋转驱动且在同一圆周上间隔设置有多个石英振子保持件，设置在传感器头主体上的掩膜体，并覆盖设置有各石英振子的保持件的上表面，且开设有朝向任意一个石英振子的成膜用窗口；传感器头具有固定在位于成膜用窗口正下方的传感器头主体部分上的第一电极；分别与各石英振子导通且向保持件下表面突出设置的第二电极；当保持件旋转到一个石英振子和成膜用窗口在上下方向上相匹配的相位时，第一电极和第二电极抵接并导通；还配置有绝缘体，其位于第一电极或第二电极任意一方的保持件的旋转方向两侧，且第一电极或第二电极中的任意另一方在其上滑动。
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公开(公告)号：CN111263831B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980004189.2
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴极装置(20)具备：旋转板(26)，其固定有磁路(27)；旋转机构(21)，其接受电机(21M)的动力，使旋转板(26)绕旋转轴(25)旋转；直线运动型并行连杆机构(22～24)，其具备将旋转轴(25)支承为能够旋转的末端执行器(24)、前端与末端执行器(24)连接且从末端执行器(24)以放射状延伸的六根连杆(23)、分别接受直线运动致动器(22M)的动力而使相邻的两根连杆(23)的基端沿着一方向移动的三个直线运动机构(22)；以及控制部(30)，其对旋转轴(25)基于各直线运动致动器(22M)的协调动作的位置变更以及旋转轴(25)基于电机(21M)动作的旋转进行控制。
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公开(公告)号：CN110959085B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980003674.8
申请日：2019-03-25
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 齐藤修司
IPC: F16K51/02 , F16K3/02 , F16K31/122
Abstract: 本发明提供一种结构简单且成本低廉的闸阀装置，其在阀板于一方向上形成长边的情况下，也能使阀板水平地保持该姿态并上下移动。本发明的闸阀装置(IV)是一种间隔在彼此连续设置的第一室和第二室之间并隔断两室的闸阀装置，其具有：连通块(Bc)，其具有允许第一室和第二室连通的连通路径(1)；以及阀单元(Uv)，其具有在隔断位置和打开位置之间自由进退的阀板(2)，所述隔断位置是坐置在连通路径上设置的座表面(11)上，隔断连通路径的位置、所述打开位置是离开座表面的位置；阀单元具有：有底筒状的阀箱(3)，以从打开位置向隔断位置的阀板的运动方向为上下方向，所述阀单元安装在连通块的上表面，阀板的上端部(21)插设在所述阀单元内，上端部(21)与所述阀单元的内侧壁(31)之间间隔有密封单元(32a，32b)；压力施加部(5)，以与阀箱的上内表面(33)相对的阀板的上表面(21b)为承压面，向该承压面施加气体压力；以及引导部(4)，其引导阀板的进退；当向承压面施加气体压力时，从阀箱突出并局部贯穿连通块的阀板下端部坐置在连通块的连通路径上设置的座表面上。
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公开(公告)号：CN112334595A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043138.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种以良好的膜厚分布在基板上形成树脂层的成膜装置。在成膜装置中，冷却台具有支承基板的支承面和与支承面相连的侧面部，构成为被支承面支承的上述基板的外周端从侧面部突出。防附着框部为环状，配置成包围冷却台的侧面部，在与基板的上述外周端相向的位置设有凹部，侧面部被凹部包围。气体供给部向支承面供给含有能量束固化树脂的原料气体。照射源与支承面相向，并向上述支承面照射使能量束固化树脂固化的能量束。真空槽容纳有冷却台、防附着框部、气体供给部以及照射源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109312450B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780038787.2
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种靶材使用效率高的靶材装置和溅射装置。将导磁率高于垫板(21)的导磁率的环状的高导磁率板(27)的表面(33)配置于与外侧磁体(25)的上端和内侧磁体(26)的上端所处的磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更接近溅射靶材(22)的位置，将背面(32)配置于与磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更远离于溅射靶材(22)的位置。从外侧磁体(25)的上端或内侧磁体(26)的上端释放出的磁力线中的位于下方的一部分磁力线进入高导磁率板(27)，通过内部并进入内侧磁体(26)的上端或外侧磁体(25)的上端，因此位于上方的磁力线变为与溅射靶材(22)的溅射面(24)平行，靶材使用效率提高。
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公开(公告)号：CN112112992A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010510948.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的闸阀包括阀箱、阀体、旋转轴、旋转轴驱动部、可动阀部、阀箱施力部、油压驱动部、油压产生部、驱动部、电源、第一无励磁操作式制动器、第二无励磁操作式制动器和用于解除所述第一无励磁操作式制动器及所述第二无励磁操作式制动器的运行的制动操作解除部。
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公开(公告)号：CN112112991A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010534041.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的闸阀包括：阀箱，具有第一开口部及第二开口部；阀体，位于阀箱内的中空部内；旋转轴，支撑阀体；旋转驱动部，能够旋转驱动阀体；中立阀部，将阀体连接到旋转轴；可动阀框部，设置于阀体；阀框施力部，连接中立阀部和可动阀框部；可动阀片部，设置于阀体；阀片施力部，连接可动阀框部和可动阀片部；阀箱施力部，能够使可动阀框部朝向与第一开口部的周边接触的阀关闭位置移动；和驱动部，用于驱动阀箱施力部。阀框施力部包括：阀框导向销，固定在中立阀部和可动阀框部中的一个上；贯穿孔，设置在中立阀部和可动阀框部中的另一个上；和阀框盘簧，朝向流道方向的相反方向对阀框导向销中的基部的周围及贯穿孔的周围施力。
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公开(公告)号：CN109844168B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201880003956.3
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供一种具有不使真空室对大气开放而可进行靶交换的构造的溅射装置用阴极单元。具有靶(Tg1，Tg2)并装设在真空室(Vc)内的本发明的溅射装置用阴极单元(CU)，其特征在于，包括：支撑框体(1)，其装设在真空室的外壁上；环形的可动座(2)，其受支撑框体支撑并可相对于真空室接近远离地进退；旋转轴体(3)，其受该可动座枢转支撑以便使可动座的内部空间(23)与靶的溅射面平行地延伸；至少一个靶支架(51，52)，以旋转轴体的轴线方向为X轴方向，以与X轴方向正交的可动座的进退方向为Z轴方向，所述靶支架朝旋转轴体的径向突出地设置在旋转轴体上，靶装卸自如地安装在所述靶支架的前端面上；准备室(Rc)，其设置在支撑框体的从Z轴方向上距离真空室的外壁面规定间隔的部分上，具有开关门(Rd)，且所述准备室独立于真空室并真空排气自如，并设置有使真空气氛的准备室回到大气压的排气阀Vv；以及一对真空波纹管(71，72)，其设置在可动座和准备室之间以及可动座和真空室之间并围绕靶支架；在靶支架上设置隔绝部(51a，51b)，在靶支架位于Z轴上且以靶朝向真空室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行接近移动到成膜位置上，隔绝部与形成在真空室上的第一开口(Vc1)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的真空室内部，并且以靶朝向准备室侧的姿态使可动座在Z轴方向上相对于真空室进行远离移动到更换位置上，隔绝部与形成在准备室上的第二开口(Rc2)的周边部紧密贴合，隔绝靶所在的准备室内部，隔绝部在远离第一开口和第二开口的可动座的中立位置上还具有使旋转轴体绕X轴旋转的旋转机构。
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公开(公告)号：CN109154075B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201880001998.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/316
Abstract: 氧化铝膜的形成方法包括使用具备以氧化铝作为主成分的靶材的单个真空室对各基板逐一进行一系列的处理。一系列的处理包括由下述处理构成：基板向真空室中的搬入(步骤S11)；溅射气体向真空室中的供给；氧化铝膜在基板上的形成(步骤S13)，其由使用溅射气体的等离子体的生成和使用等离子体的靶材的溅射构成；等离子体的生成的停止；以及基板从真空室中的搬出(步骤S14)。将从上次的形成后到此次的形成前的处理作为成膜间处理，连续的多次成膜间处理中的至少1次中包括氧气向真空室中的供给和停止(步骤S12)。
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