公开(公告)号：CN109309122B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201811080383.2

申请日：2018-09-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王珂 ,  卢鑫泓 ,  胡合合 ,  杨维 ,  宁策

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板；在衬底基板上设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中，第一薄膜晶体管包括：第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第二薄膜晶体管包括：第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。第二源极和第二漏极中的一个作为第一电极，第一电极与第一栅极同层设置，且材料均相同；第二源极和第二漏极中的另一个作为第二电极，第二电极与第一源极以及第一漏极同层设置，且材料均相同。该阵列基板中仅需要设置三层导电结构，相对于相关技术中的阵列基板需要至少四层导电结构，该阵列基板的制造工艺较为简单。

公开(公告)号：CN107179644B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201710356912.6

申请日：2017-05-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨维 ,  宁策

IPC: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有的显示基板制作过程中，大面积的金属电极层很容易被氧化，影响其应有功能的问题。该显示基板，包括：依次设置在衬底基板上的金属电极层、绝缘层和保护电极层；绝缘层上与金属电极层对应的位置设置有开口；保护电极层通过绝缘层上的开口覆盖金属电极层。由于在金属电极层上方的绝缘层中设置有开口，并使保护电极层通过开口覆盖金属电极层的上表面，以保护金属电极层不被氧化，由于可以通过绝缘层上的开口减少金属电极层上表面被氧化的部分，因而在绝缘层进行后续退火工艺时，可以减少被氧化的电容层进一步向下表面延伸的程度。

公开(公告)号：CN109994047B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201910277126.6

申请日：2019-04-08

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王珂 ,  宁策 ,  胡合合 ,  杨维 ,  黄华

IPC: G09F9/30 ,  H04N5/225 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明提供了全面屏显示面板及其制作方法和全面屏显示装置。该全面屏显示面板包括显示背板、发光元件、封装层和偏光片，所述全面屏显示面板的显示区划分为第一显示区和第二显示区，全面屏显示面板的一侧设置有光学器件，其中，光学器件在显示区上的正投影位于第一显示区中，且第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。该全面屏显示面板的第一显示区的透光率高，在组装成显示装置以后，光学器件可透过屏幕进行采光，使光学器件的采光效果好，增强使用性能，第一显示区在实现显示画面的同时集成图像采集和成像的功能，在显示装置中无需设置刘海区域，实现真正的全面屏显示，用户体验好。

公开(公告)号：CN113241351A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110668421.1

申请日：2021-06-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王利忠 ,  宁策 ,  邸云萍 ,  童彬彬 ,  黄睿 ,  周天民 ,  杨维 ,  王东方 ,  雷利平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本文公开一种阵列基板，包括：基底和设置在基底上的至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括：依次叠置在基底上的第一有源结构层、第一栅极结构层和第一源漏结构层；第二薄膜晶体管包括：依次叠置在第一栅极结构层上的第二有源结构层、第二栅极结构层和第二源漏结构层；第一栅极结构层包括：第一栅极；第二栅极结构层包括：叠置的第二栅极辅助电极和第二栅极；第二栅极设置在第二栅极辅助电极远离基底的一侧；第二栅极辅助电极是透明电极；第二栅极辅助电极在第一方向上的长度比第二栅极在第一方向的长度长。本文提供的阵列基板能够改善阵列基板的性能，提高像素开口率。

公开(公告)号：CN108493198B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201810336384.2

申请日：2018-04-11

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨维

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 一种阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成第一薄膜晶体管，其包括分两次构图工艺分别形成第一源极和第一漏极，与第一辅助源极和第一辅助漏极；在衬底基板上形成第二薄膜晶体管，其包括通过一次构图工艺形成第二源极和第二漏极，其中第一辅助源极、第一辅助漏极、第二源极以及第二漏极在同一次构图工艺中形成；第一源漏极和第一辅助源漏极在垂直于衬底基板方向上的长度之和大于第二源漏极在垂直于衬底基板方向上的长度。该阵列基板的制作方法可以有效解决采用低温多晶硅材料的薄膜晶体管与采用金属氧化物材料的薄膜晶体管的制作工艺兼容性问题以保证了工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN108231795B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201810003159.7

申请日：2018-01-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨维

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板，包括两种薄膜晶体管，具体包括形成在衬底上的第一有源层；覆盖所述第一有源层上的第一栅绝缘层；形成在所述第一栅绝缘层上同层设置的第一栅极和第二栅极；覆盖所述第一栅极和第二栅极的第二栅绝缘层；形成在所述第二删绝缘层上的第二有源层和第二源漏极，所述第二源漏极与所述第二有源层电连接；覆盖所述第二有源层和第二源漏极的层间绝缘层；形成在所述层间绝缘层上的第一源漏极，所述第一源漏极与所述第一有源层电连接。本实施例提供的阵列基板、制作方法和显示装置能减少制备两种薄膜晶体管过程中的掩模数量，并解决工艺不兼容的问题。

公开(公告)号：CN110890481A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201911200515.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威 ,  杨维

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板的制备方法包括：形成阳极；在所述阳极上形成驱动结构层；翻转上述包括阳极和驱动结构层的结构，在所述阳极上形成发光结构层。本实施例提供的方案，由于驱动结构层在阳极上方完成，做完驱动结构层再翻转，漏电极与阳极连接处是一个小孔，漏电极与阳极连接的地方可以用于显示，因此提高了空间利用率，进一步提高了显示开口率及分辨率。

公开(公告)号：CN107425077B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201710349240.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 卢鑫泓 ,  王珂 ,  杨维

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示装置。该方法包括：在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案，其中，所述第一绝缘图案在所述基板上的正投影位于所述源极在所述基板上的正投影内；在所述基板、露出的所述源极和所述第一绝缘图案上依次形成层叠的有源层、第二绝缘图案和栅极；去除所述有源层上的部分所述栅极和所述第二绝缘图案，露出所述第一绝缘图案上的部分所述有源层；对露出的部分所述有源层进行等离子化处理，形成漏极。本发明实施例将部分有源层进行等离子化处理形成漏极，可减少一次掩膜板的使用，有利于简化制作流程，提升产能；改善欧姆接触较差的问题；有效降低了有源层金属和漏极金属交叠产生的电容。

公开(公告)号：CN110634890A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910961564.4

申请日：2019-10-11

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 周天民 ,  黄睿 ,  杨维 ,  王利忠 ,  强朝辉 ,  杨涛 ,  强力

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  G06K9/00

Abstract: 本申请公开了一种阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板以及并列设置在其上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一极连接第二晶体管的第二极；阵列基板还包括光敏二极管，光敏二极管包括第一光敏电极、第二光敏电极以及设置在第一光敏电极和第二光敏电极之间的光敏层，第一光敏电极与第一晶体管的第一栅极电连接。在上述设置中，第一晶体管和第二晶体管的输入端和输出端连接，以形成一个控制电路，该控制电路的均一性和稳定性大幅提升，当功能模块(例如：指纹识别模块)集成于显示面板时，指纹识别模块中的光敏二极管与控制电路连接时，控制电路能够更好地接收光敏二极管发出的电信号。

公开(公告)号：CN105977205B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610304950.2

申请日：2016-05-10

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 宁策 ,  杨维 ,  胡合合

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/426 ,  H01L21/425 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管的制备方法包括：形成半导体层；对所述半导体层的一区域的表面层进行改性处理，以使所述半导体层的所述区域在沿垂直于所述半导体层的第一方向上的一部分形成蚀刻阻挡层，所述半导体层在蚀刻阻挡层的平行于所述半导体层的表面的第二方向的两侧保留有未被改性处理的部分；以及在所述半导体层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述区域的垂直于所述第二方向的中线两侧，且在所述第二方向上彼此间隔。采用本发明的薄膜晶体管的制备方法，可以有效防止金属蚀刻液腐蚀有源层，提高薄膜晶体管的性能。