公开(公告)号：CN114639688B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202210248806.7

申请日：2022-03-14

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王利忠 ,  袁广才 ,  宁策 ,  王东方 ,  雷利平

IPC: H10D86/60 ,  H10D86/01

Abstract: 本发明涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。上述显示基板，其第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。换言之，在制备显示基板时，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极在共同的一次mask工艺中形成，而无需各自通过一次mask工艺来制备。这样就减少了一次mask工艺，具体来说，节省了一次mask工艺所需要的时间，也节省了一次mask工艺所需要的物料和设备等成本，从而一方面提高了显示基板的制备效率，另一方面也降低了显示基板的成本。

公开(公告)号：CN115298823B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202180000125.2

申请日：2021-02-01

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 关峰 ,  袁广才 ,  董学 ,  宁策

IPC: H10D86/60 ,  G09F9/30

Abstract: 一种驱动背板及其制备方法、显示装置。驱动背板包括衬底基板(100)、设置于衬底基板(100)一侧的第一栅极(1)、设置于第一栅极(1)远离衬底基板(100)一侧的有源层(2)、设置于有源层(2)远离衬底基板(100)一侧的第二栅极(3)，第二栅极(3)在衬底基板(100)上的正投影位于第一栅极(1)在衬底基板(100)上的正投影中，且在平行于衬底基板(100)方向，第一栅极(1)在衬底基板(100)上的正投影的边缘伸出第二栅极(3)在衬底基板(100)上的正投影的边缘。

公开(公告)号：CN119605351A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380009254.7

申请日：2023-05-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王东方 ,  宁策 ,  胡合合 ,  王利忠 ,  刘凤娟 ,  刘威

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131

Abstract: 一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上的信号线；缓冲层，其位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧；以及有源层，其位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧。有源层包括第一电极区、第二电极区以及位于所述第一电极区和所述第二电极区之间的沟道区。第一电极区包括第一电极。第二电极区包括第二电极。第一电极延伸穿过过孔，以连接到所述信号线，所述过孔至少延伸穿过所述缓冲层。所述第二电极和所述第一电极的至少一部分的材料与所述沟道区的材料相同。沟道区的导电性与所述第一电极的导电性不同并且与所述第二电极的导电性不同。

公开(公告)号：CN113690322B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202110969328.4

申请日：2021-08-23

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王利忠 ,  袁广才 ,  宁策 ,  胡合合 ,  姚念琦 ,  薛大鹏 ,  董水浪 ,  雷利平 ,  许晨

IPC: H10D30/67 ,  H01L23/367 ,  H10D86/60 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

Abstract: 本申请公开一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，涉及半导体技术领域。薄膜晶体管，包括：金属层；散热层，所述金属层与所述散热层连接。通过设置散热层，散热层与金属层连接，由于薄膜晶体管的运行需要通过向电极通电，通常较大部分的热量的产生来自于作为电极的金属层，散热层可以直接对薄膜晶体管中发热的金属层进行散热，能够解决较大电子迁移率的薄膜晶体管的发热问题。

公开(公告)号：CN119403224A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411467934.6

申请日：2024-10-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 顾鹏飞 ,  宁策 ,  刘凤娟

IPC: H10D86/60 ,  H10D86/01

Abstract: 本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：基底；位于基底上的源极，源极沿第一方向延伸；位于源极远离基底一侧的半导体层；位于半导体层远离基底一侧的栅绝缘层；位于栅绝缘层远离基底一侧的栅极，栅极沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉；其中，半导体层包括导体化的第一部分和未导体化的第二部分，第一部分作为漏极，第二部分在基底上的正投影与源极在基底上的正投影交叠，第二部分在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影内，第一部分在基底上的正投影与栅极在基底上的正投影不交叠。本发明有利于提高显示基板的像素密度。

公开(公告)号：CN119213360A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380008826.X

申请日：2023-04-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 王利忠 ,  曲燕 ,  童彬彬 ,  郭晖 ,  宁策 ,  周天民

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 本公开提供一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板光线透过率低的问题。阵列基板包括：基底、位于基底一侧的第一信号线和第二信号线；第一信号线和第二信号线交叉限定像素区；阵列基板还包括：位于基底上且设置于像素区的第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括：第一半导体层；第一半导体层包括：相连接的第一连接部、第二连接部和第三连接部；第一连接部在基底上的正投影与第二信号线在基底上的正投影交叠；第三连接部在基底上的正投影落在相邻的第二信号线在基底上的正投影之间，且与第一信号线在基底上的正投影交叠；第二连接部的延伸方向与第一连接部的延伸方向之间具有第一夹角；第一夹角的角度为90度至180度。

公开(公告)号：CN119137747A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380008655.0

申请日：2023-04-13

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 胡合合 ,  宁策 ,  王利忠 ,  王东方 ,  黄睿 ,  顾鹏飞 ,  王超璐 ,  刘凤娟 ,  李正亮 ,  贺家煜 ,  黄杰 ,  姚念琦 ,  赵坤 ,  李菲菲

IPC: H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：设置在衬底(100)上的第一极(231)、第二极(232)、有源层(230)和栅极(233)。第一极(231)位于有源层(230)靠近衬底(100)的一侧，第一极(231)和有源层(230)之间设置有第一绝缘层(101)，第一绝缘层(101)开设有第一过孔(K1)。有源层(230)通过第一过孔(K1)与第一极(231)电连接。栅极(233)与有源层(230)之间设置有第二绝缘层(102)。栅极(233)在衬底(100)的正投影与第一过孔(K1)在衬底(100)的正投影至少部分交叠，栅极(233)在靠近衬底(100)一侧的表面为第一表面(2331)，栅极(233)在远离衬底(100)一侧的表面为第二表面(2332)。第一表面(2331)和第二表面(2332)的平坦度不同。

公开(公告)号：CN119029020A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202310610030.3

申请日：2023-05-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 顾鹏飞 ,  刘凤娟 ,  宁策

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、驱动基板，半导体器件包括衬底基板和位于衬底基板之上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：有源结构、环栅结构、栅绝缘结构、源极和漏极。其中，有源结构与衬底基板相距设定距离，沿平行于衬底基板的第一方向，有源结构包括相对的第一端和第二端；环栅结构，位于第一端和第二端之间，且环绕有源结构的外周设置；栅绝缘结构，位于环栅结构与有源结构之间；源极和漏极，沿第一方向分别位于环栅结构的两侧，且与有源结构电连接。本发明提供的半导体器件采用水平环栅结构的薄膜晶体管，通过环栅结构提高薄膜晶体管的栅控能力，降低小尺寸薄膜晶体管因短沟道效应产生的漏电流。

公开(公告)号：CN118857353A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410868661.X

申请日：2024-06-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 李菲菲 ,  崔钊 ,  宁策 ,  李正亮 ,  胡合合 ,  黄杰 ,  姚念琦 ,  贺家煜 ,  赵坤 ,  付续

IPC: G01D5/48

Abstract: 本申请提供了一种超声波传感器及其制备方法、超声波成像器，涉及传感器技术领域，旨在提高超声波传感器的性能。该超声波传感器包括衬底及设置于衬底上的多个超声波传感单元，每个超声波传感单元包括层叠的第一堆叠结构、第二堆叠结构和超声波换能器，第二堆叠结构和超声波换能器设置于第一堆叠结构的远离衬底的一侧。第一堆叠结构包括第一晶体管，第二堆叠结构包括第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管与超声波换能器电连接。上述超声波传感器可应用于超声波成像器中，以实现图像的采集和生成。

公开(公告)号：CN113838801B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010591840.5

申请日：2020-06-24

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 黄杰 ,  宁策 ,  李正亮 ,  胡合合 ,  贺家煜 ,  姚念琦 ,  赵坤 ,  曲峰 ,  许晓春

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。