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公开(公告)号：CN118210175A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211627276.3
申请日：2022-12-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本申请提供了一种阵列基板、扫描驱动方法、制备方法及显示装置。阵列基板包括显示区，显示区设置有多行多列的子像素阵列；子像素阵列中，第n行子像素与第一栅线连接，第n+1行子像素与第二栅线连接，第一栅线与第二栅线连接；子像素阵列的同一列中，第n行子像素和第n+1行子像素各与一条数据线连接。本申请的技术方案可实现双行扫描，减少数据扫描时间，增加液晶偏转时间，进而显示效果。
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公开(公告)号：CN117832287A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410009954.2
申请日：2024-01-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786 , H10K59/13 , H10K71/00
Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制备方法、显示装置，薄膜晶体管包括衬底，第一金属层位于衬底一侧，第一金属层包括栅极，第一绝缘层位于第一金属层背离衬底一侧，有源层位于第一绝缘层背离衬底一侧，有源层包括第一半导体子层和第二半导体子层，第二半导体子层位于第一半导体子层背离衬底一侧，第一半导体子层材料载流子迁移率大于第二半导体子层材料载流子迁移率，有源层包括沟道及位于沟道两侧的第一区域和第二区域，第二金属层位于有源层背离衬底一侧，第二金属层包括第一极和第二极，第一极和第二极分别与第一区域和第二区域耦接。本公开实施例可以有效避免对第一半导体子层的刻蚀损伤，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113130327B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110417709.1
申请日：2021-04-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/34 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN113777819A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010518762.6
申请日：2020-06-09
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/13357 , G02B6/00 , G06K9/00
Abstract: 一种显示面板和显示装置，该显示面板具有触摸侧，包括相对设置的阵列基板和对置基板，阵列基板包括图像传感器阵列，图像传感器阵列包括多个图像传感器，多个图像传感器中的每个包括感光元件，感光元件配置为可接受被触摸在触摸侧的纹路反射的光以用于纹路采集；对置基板包括遮光层，遮光层包括阵列排布的多个第一开口，在垂直于显示面板的板面的方向上，多个第一开口与多个图像传感器的感光元件一一对应且至少部分重叠。该显示面板内集成的图像传感器阵列可以实现更好的纹路采集与识别效果。
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公开(公告)号：CN113130327A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110417709.1
申请日：2021-04-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/34 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107093557B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201710281923.2
申请日：2017-04-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：形成第一层有源层，包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，第二层有源层覆盖第一层有源层和第一层有源层所在表面中未被第一层有源层覆盖的位置；在第二层有源层表面形成遮盖层，遮盖层包括遮盖区，遮盖区位于源极区和漏极区之间，且遮盖区与源极区和漏极区之间具有间隔；对第二层有源层进行掺杂，在第二层有源层和第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在第二层有源层和第一层有源层不重叠的位置且未被遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，遮盖区与源极区和漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。本发明解决了现有的制造方法工艺复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN104849240B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510310261.8
申请日：2015-06-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 邸云萍
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明的实施例提供种光透过率检测装置和方法,涉及生产测试制造技术领域,能够直接检测阵列基板的光透过率,解决了现有工艺中只有完成对盒之后才能检测阵列基板的光透过率的问题,保证了生产的正常进行,降低了成产成本。该装置包括:封闭箱体包括可开合的门体,封闭箱体不透光;光源设置在封闭箱体内部;光电池设置在封闭箱体内部,且与光源相对设置;基板放置部件设置在光电池与光源之间;处理器与光电池连接,用于根据光电池输出的第光强度信息和第二光强度信息获取待检测基板的光透过率;第光强度信息是光源发出的光未经待检测基板的强度,第二光强度信息是光源发出的光经过待检测基板后的强度。
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公开(公告)号：CN104637873B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510072623.4
申请日：2015-02-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 邸云萍
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，公开一种显示基板制备方法，包括：在金属催化基底上形成石墨烯层；通过一次构图工艺将金属催化基底形成掩膜图形；以金属催化基底形成的掩膜图形作为掩模对石墨烯层进行刻蚀以形成石墨烯图形；去除残余金属催化基底。上述显示基板制备方法中在形成石墨烯图形时光刻胶等不与石墨烯接触，而是利用石墨烯生成时的金属催化基底作为掩模对石墨烯层进行构图，进而能够防止光刻胶与石墨烯层的直接接触，进而减小了石墨烯层在构图时受到的污染，提高石墨烯层构图之后的导电性，进而提高显示基板的产品质量。
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公开(公告)号：CN107768310A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710984474.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 邸云萍
IPC: H01L21/8249 , H01L27/06 , G06K9/00
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及指纹识别器件，该阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成一层多晶硅层，对多晶硅层进行构图，多晶硅层的图案在衬底基板上的正投影位于多个目标区域内；采用第一掺杂工艺，向对应于PIN型二极管的第一子区域，以及P型晶体管的第一子区域和第二子区域内的多晶硅层掺P型离子；采用第二掺杂工艺，向对应于PIN型二极管的第二子区域，以及N型晶体管的第一子区域和第二子区域内的多晶硅层掺N型离子。本发明实施例提供的制作方法，实现了将晶体管的工艺制程与PIN型二极管的工艺制程集成到一起，从而简化阵列基板的工艺流程，降低成本。
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公开(公告)号：CN105655410A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610228688.8
申请日：2016-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 邸云萍
IPC: H01L29/786 , H01L29/16 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7866 , H01L27/1214 , H01L29/1604 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，提供了一种非遮光型薄膜晶体管以及包括该非遮光型薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管结构为非遮光型底栅结构，其有源层由微晶硅有源层和非晶硅有源层两层构成；微晶硅有源层设置在栅绝缘层的上方，且其与源极和漏极相对应的两个区域分别伸出于栅极；非晶硅有源层仅存在于被栅电极遮挡的源极和漏极之间；这两层有源层薄膜的厚度可自由分配，微晶硅有源层可设置得尽量薄些，非晶硅有源层可设置得相对厚些，由此能够有效抑制背光照射下导致的关态电流上升，且能够提高TFT器件的迁移率和开态电流，增大开态电流与关态电流之比。
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