公开(公告)号：CN102184873B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110100795.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  杨振亮 ,  吴茂 ,  刘荣军 ,  任淑彬 ,  曲选辉

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征是按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa压力下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气气氛中1000～1100℃烧结16～24h，冷却后得到具有一定强度和孔隙度的金刚石/硅/碳多孔基体。将所制备的金刚石/硅/碳多孔基体置于石墨坩埚中，用液相渗透的渗料填埋后将坩埚整体置于高真空烧结炉中进行真空液相渗透0.5-1h，渗透温度1450～1550℃，真空度-0.08～-0.01MPa。冷却后即获得致密的金刚石-碳化硅电子封装材料。

公开(公告)号：CN102176436B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110065272.6

申请日：2011-03-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  杨振亮 ,  吴茂 ,  刘荣军 ,  任淑彬 ,  曲选辉

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h。然后在10～50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h，随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中，将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h，渗透温度1500～1650℃，真空度-0.08～-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低，并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。

公开(公告)号：CN102586704A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210080907.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  刘骞 ,  张昊明 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  曲选辉

IPC: C22C47/04 ,  C22C47/14 ,  C22C49/00 ,  C22C101/10 ,  C22C121/02

Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。

公开(公告)号：CN101545057B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200910084424.X

申请日：2009-05-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  任淑彬 ,  何新波 ,  沈晓宇 ,  淦作腾 ,  董应虎 ,  秦明礼

IPC: H01L23/36 ,  C22C1/00 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种制备高导热金刚石/Cu复合材料的方法。其特征是在制备复合材料前，先采用磁控溅射的方法在金刚石粉体表面镀覆0.1-5μm Cr-B复合层后，金刚石表面镀覆Cr-B复合层的厚度为0.1-5μm，Cr与B的比例为30-70∶70-30，金刚石粉体的粒度为10-150μm，金刚石与Cu的体积比为55-75∶45-25。再采用粉末冶金、热压或熔渗工艺与Cu进行复合的方法来提高金刚石/Cu的导热性能，通过在金刚石与Cu之间建立由金刚石+(Cr-B)C+基体Cu组成的强化学键界面过渡层后，复合材料的热导率由原来的170W/m·K左右提高到500W/m·K以上。该方法不仅可以有效地提高金刚石/Cu复合材料的热导率，而且可以防止金刚石粉体的高温石墨化。

公开(公告)号：CN101545057A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910084424.X

申请日：2009-05-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  任淑彬 ,  何新波 ,  沈晓宇 ,  淦作腾 ,  董应虎 ,  秦明礼

IPC: C22C1/00 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种制备高导热金刚石/Cu复合材料的方法。其特征是在制备复合材料前，先采用磁控溅射的方法在金刚石粉体表面镀覆0.1－5μm Cr－B复合层后，金刚石表面镀覆Cr－B复合层的厚度为0.1－5μm，Cr与B的比例为30－70∶70－30，金刚石粉体的粒度为10－150μm，金刚石与Cu的体积比为55－75∶45－25。再采用粉末冶金、热压或熔渗工艺与Cu进行复合的方法来提高金刚石/Cu的导热性能，通过在金刚石与Cu之间建立由金刚石+(Cr－B)C+基体Cu组成的强化学键界面过渡层后，复合材料的热导率由原来的170W/m·K左右提高到500W/m·K以上。该方法不仅可以有效地提高金刚石/Cu复合材料的热导率，而且可以防止金刚石粉体的高温石墨化。

公开(公告)号：CN1644276A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510011102.4

申请日：2005-01-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  何新波 ,  任淑彬 ,  叶斌 ,  秦明礼

IPC: B22D19/16

Abstract: 本发明提供了一种制备具有高体积分数的SiCp/Al复合材料零件方法，是将SiC粉末与多聚合物组元石蜡基粘结剂混合成均匀的喂料，喂料经制粒后在注射成形机上注射成形，所得SiC预成形坯经过溶剂和热脱脂后在1000～1150℃温度下预烧结，最后通过无压熔渗方法在1100～1200℃温度下、N2气氛中将Al合金熔液渗透到SiC骨架中，从而获得具有高体积分数的SiCp/Al复合材料零件。本发明的优点在于可直接制备出具有复杂形状的SiCp/Al复合材料零部件，同时，SiC体积分数高、复合材料组织均匀、致密度高，可实现批量生产SiCp/Al复合材料零件，生产成本低。

公开(公告)号：CN115747675A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211423575.5

申请日：2022-11-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 任淑彬 ,  于遵跃 ,  赵洋 ,  曲选辉

IPC: C22C38/24 ,  C22C38/22 ,  B22F1/065 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  C21D1/18 ,  C21D9/20

Abstract: 一种低摩擦系数耐腐蚀速滑冰刀刀片材料的制造方法，属于金属材料领域。本发明设计了一种由单一成分组成的刀片材料，其成分为：C：1.8～2.1％，Cr：13.5～14.5％，V：12～12.5％，Mo：1.5～1.8％，余量为Fe，通过雾化制粉、热等静压烧结、锻造开坯、轧制成形以及热处理工序获得刀片窄带材料。本发明合金中固溶大量的C、Cr、Mo和V元素，VC相的质量百分含量为13～15％，保证刀片具有良好的耐磨性，同时不会因含量过高而影响与冰面的摩擦系数。本发明所采用的热处理工艺在成分设计的基础上仅进行淬火处理，保证刀片具有低的摩擦系数，同时还具有高的硬度和强度以及耐腐蚀性能。

公开(公告)号：CN113770362B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202110984171.2

申请日：2021-08-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 任淑彬 ,  黄建国 ,  赵文茹 ,  肖承龙 ,  曲选辉

IPC: B22F3/24 ,  B22F3/14 ,  C25F3/16 ,  B22F1/12 ,  B22F1/142 ,  C22C1/05 ,  C22C21/00 ,  C22C9/00

Abstract: 一种碳纳米管‑金属基复合材料导热盘的制备方法，属于粉末冶金领域。首先采用浆料法制备金属基/碳纳米管复合粉末，即将预先退火的金属粉末与经过超声破碎分散的碳纳米管一同放在去离子水中进行机械搅拌，搅拌直至透明状后，再将溶液过滤所得粉末进行烘干，得到碳纳米管均匀分散在金属粉体表面的复合粉；接着将复合粉末装入石墨模具中，采用热压的方式压制成取向碳纳米管‑金属基复合材料。该方法具有界面可分离的显著优点，能够适用于目前各种模块化设备即插即用式的高效热输运工况，尤其利于在轨组装模块化航天器的发展；相比于基于垂直碳纳米管阵列的可分离式热界面材料，直接引入分散的碳纳米管不仅缩短了工艺流程，还极大地降低了制造成本。

公开(公告)号：CN111172471B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010100412.8

申请日：2020-02-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 任淑彬 ,  赵洋 ,  曲选辉

IPC: C22C38/30 ,  C22C38/04 ,  C22C33/04 ,  C21D8/02 ,  C21D1/18

Abstract: 一种冰球冰刀材料的制备方法，属于金属材料领域。本发明按质量比C：0.7～1.0％；Mn：0.6‑0.8％；Cr：14‑16％；Co:1‑1.5％；N:0.1‑0.15％，Co与N比例为10：1，余量为Fe进行配料，然后采用感应熔炼炉进行熔炼得到铸锭，将铸锭进行电渣重熔后得到电渣锭，然后锻造成长方体坯，锻造比3：1，锻造温度为1080‑1230℃，然后将锻造坯体进行热轧成板坯，热轧的温度为1150℃‑1200℃，热轧后板坯的厚度为4‑6mm。将热轧板坯进行淬火和回火处理，淬火工艺为1030‑1050℃，保温20分钟后油冷。回火工艺为350‑400℃，保温10‑15min，得到性能满足要求的冰球冰刀板坯材料。本发明工艺简单，成本低，适合批量化生产。

公开(公告)号：CN111283204A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010100403.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 任淑彬 ,  赵洋 ,  曲选辉

IPC: B22F5/00 ,  B22F3/15 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  B22F9/08 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/22 ,  C22C38/24 ,  C22C38/26 ,  C22C38/30 ,  C22C38/36

Abstract: 一种铬钼钒型速滑冰刀材料的制备方法，属于金属材料领域。采用气雾化制粉技术制备质量比为C：2.3-2.7％；Mn：