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公开(公告)号：CN106654860A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610986904.5
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34326
Abstract: 本发明公开了一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
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公开(公告)号：CN106450735A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611024885.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种石墨烯射频天线及其制备方法，所述天线包括：一种石墨烯射频天线，其特征在于，包括:衬底(1)、绝缘层(2)、馈电传输线(3)、接地电极(4)以及辐射贴片(5)；所述绝缘层(2)覆盖于所述衬底(1)上；所述馈电传输线(3)与辐射贴片(5)相连，覆盖于所述绝缘层上；所述馈电传输线(3)与所述接地电极(4)共面，共同组成共面波导馈电结构；所述辐射贴片(5)是石墨烯贴片。本发明设计的天线结构简单、制备方法简单，能够工作在超高频段，在高频段具有良好的工作性能。(2)上；所述接地电极(4)覆盖于所述绝缘层(2)
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公开(公告)号：CN106449806A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610825756.9
申请日：2016-09-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/105
Abstract: 本发明提出了一种基于非周期亚波长光栅的窄线宽可调谐高性能光探测器，涉及光电子技术领域。所述的高性能光探测器包括自下而上的滤波腔底镜(DBR)、滤波腔、滤波腔顶镜(DBR)、吸收腔和非周期亚波长光栅斜反射镜。本发明的光探测器通过电调谐或热调谐来改变滤波腔的光学腔长，实现波长的选择调谐功能；利用非周期亚波长光栅斜反射镜实现对入射光的多次不同角度的斜反射，使入射光能被吸收层反复吸收，从而实现器件的高速高量子效率性能。本发明具有易集成、窄线宽、可调谐、高量子效率、高频率响应带宽等特点，能够广泛应用于光通信及光信号处理领域。
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公开(公告)号：CN106159002A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610518488.6
申请日：2016-07-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0392 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/075 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线/量子点复合结构的中间带太阳能电池及其制备方法，属于纳米工程和纳米材料应用技术领域。所述的中间带太阳能电池包括衬底、绝缘层、纳米线/量子点径向异质结构、透明电极以及底电极，所述纳米线/量子点径向异质结构包括纳米线核、量子点层和纳米线壳层，量子点层包裹在纳米线核和壳层之间，纳米线核和壳层经过掺杂与量子点层共同形成径向pin结。可结合量子点中间带效应和纳米线阵列的“光阱”作用，扩展太阳能电池吸收的光谱范围，提高光吸收能力，从而提升电池效率。
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公开(公告)号：CN105742394A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610111817.5
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于黑磷/石墨烯异质结构的紫外探测器及其制备方法，本发明的探测器包括衬底、绝缘层以及黑磷/石墨烯异质结构，所述绝缘层覆盖于衬底上，所述黑磷/石墨烯异质结构由黑磷和石墨烯堆垛而成，位于所述绝缘层上。本发明利用黑磷/石墨烯异质结构弥补黑磷自身的不足，可在不影响黑磷自身优势的前提下提升探测器性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367370B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN105140330A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104516052A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310456388.1
申请日：2013-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122
Abstract: 本发明提供了一种微环谐振滤波器，该微环谐振滤波器包括：两个以上波导宽度不等的同心环形波导和一个直波导；各个同心环形波导的波导宽度被设置为：满足在输出的光谱上，每个环形波导对应的谐振波长相互重叠；所述直波导在最外环的环形波导的环外。本发明提供的一种微环谐振滤波器，通过使各个同心环形不等宽波导的波导宽度满足在输出的光谱上，每个环形波导对应的谐振波长相互重叠，能够抑制边模。
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公开(公告)号：CN103151710B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110401751.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
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公开(公告)号：CN101958753B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200910160632.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较，以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器，同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。
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