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公开(公告)号：CN102570910A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110360492.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02N6/00 , F22B33/00 , H01L31/052
CPC classification number: Y02E10/60
Abstract: 本发明公开一种聚光光伏光热太阳能综合利用系统，该系统包括聚光模组、跟踪支架、换热器单元、跟踪控制部分；聚光模组安装于跟踪支架上，跟踪支架接受跟踪控制系统的控制实现跟踪太阳，换热器单元通过循环管道与聚光模组的中央汇聚管道相连，可独立安装于跟踪支架附近。本发明的优点在于：具有较高的整体效率，实现单位面积能量产率最大化，同时应具有较低的生产，安装，维护成本，在系统寿命期内具有易升级的特点。
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公开(公告)号：CN102436266A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110360448.0
申请日：2011-11-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05D3/12
Abstract: 本发明公开的技术方案为：一种有全新的简易跟踪系统的聚光系统，该系统包括太阳能电池片、散热片、跟踪电路、模组盒体；其中跟踪电路安装在系统底部，与电池放在一个平面，跟踪电路以四个相同光探测器组成，把电池围起来，同时也作为散热片的一部分封装在模组盒体上。本发明的优点在于：跟踪系统简单易行，成本低廉，精度也不低，而且是全自动运行，由于光探测器响应速度快，使跟踪系统对光照变化很灵敏，跟踪速度也快。
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公开(公告)号：CN103094427A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310031481.8
申请日：2013-01-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种利用双面图形化衬底提高AlGaN基UV-LED发光效率方法，这种方法可以有效地降低AlGaN基LED中的应力及位错密度，获得高质量的、表面原子级平整的AlN模板，进而得到高质量的AlGaN外延层，从而提高LED的内量子效率。此外由于衬底的反面被刻蚀了对称的正方形图案的亚波长光栅，从而能够增加光的透射，得到非偏振光。本图形化蓝宝石衬底技术还具有工艺简单、成本低以及能够增强散热和避免晶体损伤等优点。
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公开(公告)号：CN102427092A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110360480.9
申请日：2011-11-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/052 , G02B3/08
Abstract: 本发明公开一种两次聚光光伏发电模组，其特征在于：该发电模组包括一级环形聚光透镜组、二次光线收集系统、太阳能电池片、散热片、模组盒体。本发明的优点在于：聚光光伏模块紧凑简单，系统厚度得到降低，用料和重量大量减少，装配方便，系统效率高，降低了整个模块的成本；可以实现高聚光比，并且降低对跟踪器精度的要求。
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公开(公告)号：CN101901854A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010193582.1
申请日：2010-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应力过渡层上形成应力完全弛豫的底部InGaAs子电池，将InGaAs子电池粘接在具有散热性的轻质基板上，采用氢氟酸腐蚀掉牺牲层，Ge或GaAs衬底自然剥离得到InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池。本发明采用低价格、低密度、散热性好的新基板取代了传统器件制备所牺牲掉的昂贵的Ge或GaAs衬底，实现Ge或GaAs衬底的多次重复利用，大大降低了太阳能电池的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859814A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010189112.8
申请日：2010-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1-x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/GexSi1-x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本发明用低价格的Si衬底取代了传统生长方法所必需使用的昂贵的Ge衬底，进行高效太阳能电池的生长；同时在Si衬底可以生长出更大面积、低缺陷密度的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池，大大降低了InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池的生产成本。
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公开(公告)号：CN119562610A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411587139.0
申请日：2024-11-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F30/222 , H10F71/00 , H10F77/12 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/18 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/16 , G01J3/28
Abstract: 本发明涉及一种半导体异质结光电探测器领域，具体涉及一种偏压可调光电探测器及制备方法与应用，所述的探测器自下而上依次为：衬底、缓冲层、p型宽禁带半导体层、p型窄禁带半导体层，所述p型窄禁带半导体层部分覆盖p型宽禁带半导体层，所述探测器还包括第一金属电极和第二金属电极，其中，所述第一金属电极设置在所述p型宽禁带半导体层上，所述第二金属电极设置在所述p型窄禁带半导体层上，所述第一金属电极与所述p型窄禁带半导体层不接触，所述p型宽禁带半导体层的禁带宽度为3.1～5eV，所述p型窄禁带半导体层的禁带宽度为0.3～1.2eV。制备的探测器灵敏性高、功耗低，结构简单，可应用于光电探测。
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公开(公告)号：CN119265700A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411279439.2
申请日：2024-09-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于六方氮化硼材料制备领域，公开了一种多层六方氮化硼单晶薄膜制备方法，包括以下步骤：(1)准备非对称性衬底，在衬底上引入硼源材料的固态薄膜，通过低压氮化反应以及后续的高温退火，从而在衬底上形成多个离散、且定向分布的六方氮化硼单晶晶域薄膜；(2)对形成有多个离散、且定向分布的六方氮化硼单晶晶域薄膜的衬底，进行MOCVD外延生长，从而以六方氮化硼单晶晶域薄膜为形核点继续生长得到连续的、多层的六方氮化硼单晶薄膜。本发明通过对制备方法的整体流程工艺进行改进，利用两步法、采用两种硼源完成六方氮化硼单晶多层薄膜的生长。
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公开(公告)号：CN119069586A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411554099.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及光子晶体增强出光的深紫外micro‑LED芯片及其制备方法，属于发光电子技术领域。本发明在MESA台面周围暴露的n‑AlGaN外延层利用纳米球刻蚀技术制备出周期性光子晶体结构，从而实现深紫外micro‑LED光提取的提高。本发明提出通过在暴露的n‑AlGaN层引入周期与有源层发射波长相当的光子晶体结构，通过光栅衍射效应增加了光的散射路径，提高了深紫外micro‑LED的光提取效率；同时选择对紫外光具有较高反射率的Al基金属膜作为N电极连接金属，不仅可以连接不同台面周围的N电极以形成完整回路，又可反射紫外光至衬底一侧，进一步提高了芯片的光提取效率，最终提高了整个深紫外芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN118367080A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410464108.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片的封装结构和封装方法，属于半导体封装技术领域，所述封装结构中基板组件包括基板本体、焊盘和围坝；焊盘位于基板本体上表面的中间区域；围坝位于基板本体上表面的外围且周向分布于焊盘，在远离焊盘一侧具有带台阶凹槽；围坝一侧最高点经焊盘到围坝另一侧的最高点覆盖的区域构成凹槽空间，凹槽空间内壁除预设位置以外沉积有反射膜，芯片组件贴装于预设位置上；透镜盖板组件包括：一体设计的玻璃透镜和其周围的金属支架，不需要焊接治具通过改变围坝外侧形状，金属支架可以嵌入围坝台阶凹槽中实现定位；相应的玻璃透镜宽度可以变大，有利于LED出光，同时焊接过程中产生的金属颗粒无法溅射到腔体内部，保护了芯片。
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