-
公开(公告)号:CN118367080A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410464108.X
申请日:2024-04-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片的封装结构和封装方法,属于半导体封装技术领域,所述封装结构中基板组件包括基板本体、焊盘和围坝;焊盘位于基板本体上表面的中间区域;围坝位于基板本体上表面的外围且周向分布于焊盘,在远离焊盘一侧具有带台阶凹槽;围坝一侧最高点经焊盘到围坝另一侧的最高点覆盖的区域构成凹槽空间,凹槽空间内壁除预设位置以外沉积有反射膜,芯片组件贴装于预设位置上;透镜盖板组件包括:一体设计的玻璃透镜和其周围的金属支架,不需要焊接治具通过改变围坝外侧形状,金属支架可以嵌入围坝台阶凹槽中实现定位;相应的玻璃透镜宽度可以变大,有利于LED出光,同时焊接过程中产生的金属颗粒无法溅射到腔体内部,保护了芯片。
-
公开(公告)号:CN117553280A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311742137.X
申请日:2023-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: F21V29/58 , F21V29/502 , F21V9/32 , F21V9/38
Abstract: 本发明属于照明与显示技术领域,具体涉及一种集成液冷主动散热封装的透过式激光照明用荧光体。包括金属腔体,金属腔体的顶部设置有上盖板,金属腔体的底部设置有下盖板,金属腔体内流通有散热介质,散热介质为高透过率高热容的透明导热液体;上盖板、下盖板中至少有一个负载了透过式荧光薄膜;金属腔体内壁生长有高反射率材料。本发明提出的荧光体结构不仅有效解决了传统透过式激光光源的散热难、散热效率低下的问题,而且大幅提升了透过式激光光源的功率限制;改善了传统透过式激光光源的光色不均的问题,双侧盖板的荧光层可按需进行图形化制备,针对性地消除激光照明器件出光的不均匀区域,是对激光照明器件的初步二次光学设计。
-
公开(公告)号:CN116667137A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310593049.1
申请日:2023-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/02315 , H01S5/0233 , H01S5/028 , C09K5/14 , C09K11/02
Abstract: 本发明属于半导体制造和照明显示相关技术领域,公开了一种用于激光照明的微流道集成散热荧光体及其制备方法,该微流道集成散热荧光体自下至上依次包括微流道散热器、封装基板(1)和荧光体;微流道散热器内设置有微流道,这些微流道用于容纳液态冷却介质,实现对荧光体的散热;微流道散热器是通过增材制造工艺制备在封装基板(1)的下表面。本发明通过对微流道集成散热荧光体的细节结构和集成方式进行改进,在封装基板的一面通过增材制造工艺形成微流道结构保证微型化,在封装基板的另一面与荧光体相结合,以减少热界面,可有效解决荧光体换热效率低下导致的可靠性问题和器件功率受限问题。
-
公开(公告)号:CN118841823A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202410922953.7
申请日:2024-07-10
Applicant: 华中科技大学 , 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
IPC: H01S5/02315 , H01S5/02253 , H01S5/06 , H01S5/024
Abstract: 本说明书公开了一种激光器件,涉及半导体制造技术领域。该激光器件包括:导热基板,其上围设有腔体围坝,腔体围坝内部设置有三层台阶结构,且最底层台阶结构设置有上下贯通的通孔,通孔中放置激光二极管芯片,从下至上第一层台阶结构上放置准直透镜,第二层台阶结构上放置匀光透镜,第三层台阶结构上固设颜色转换器,颜色转换器包括支撑体、无机荧光体以及上透明基片,无机荧光体填充于支撑体上设置的通孔内,上透明基片固定在支撑体及无机荧光体的上侧,支撑体下侧固设于腔体围坝从下至上第三层台阶结构上。本发明通过准直透镜和匀光透镜使得照射到荧光材料的激光能量分布均匀,提高了光色品质,同时形成规整的小型化封装结构。
-
公开(公告)号:CN116658838A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310598845.4
申请日:2023-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: F21K9/20 , F21K9/62 , F21K9/64 , F21V7/28 , F21V9/38 , F21V29/71 , F21V29/89 , H01S5/00 , H01S5/024 , F21Y115/30
Abstract: 本发明公开了一种小型荧光转换白光和红外双发射激光照明装置,属于半导体制造技术领域,该装置包括封装基板、半导体激光芯片、荧光转换器、基台和盖板;封装基板设有腔体结构,腔体结构设有斜角侧壁,在斜角侧壁表面均匀涂覆反射涂层;半导体激光芯片设置于基台上,并位于腔体结构内;荧光转换器设置于斜角侧壁上,荧光转换器用于接收半导体激光芯片发出的激光光束并在光束的激发下发射出白光和/或红外光;盖板设置于封装基板的腔体结构上方。本发明实现了白光和红外双发射功能的一体化小型器件封装集成,即能够用于高亮度、远距离的白光照明,又增加夜视、感知等的红外照明功能,从而满足高亮度、多功能、集成化等照明需求。
-
公开(公告)号:CN118998644A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202411032483.3
申请日:2024-07-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: F21K9/64 , F21K9/20 , F21V9/30 , F21Y115/30
Abstract: 本发明属于半导体制造和照明显示技术领域,具体涉及一种激光照明用图案化荧光体及其制备方法,包括高导热基片和图案化荧光玻璃膜;图案化荧光玻璃膜为一个同心色盘,或多个同心色盘按照阵列结构排列,同心色盘中,荧光粉的浓度自圆心沿径向逐渐降低。先通过在线混合器动态调节浆料组分,再通过压力直写法连续地在高导热基片上制备梯度浓度的图案化荧光玻璃膜,经紫外固化及高温烧结制得荧光体,该荧光体具有连续变化的浓度梯度图案化结构,可定位、定量的适配蓝光激光激发源的能量分布,在大功率激光照明应用中表现出高亮度、高光效、高光色均匀性、高荧光发光饱和阈值优势,为实现大功率、均匀激光照明光源提供一种关键核心部件的优化方案。
-
公开(公告)号:CN118367085A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410469877.9
申请日:2024-04-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外和可见光波段的双波长LED器件及制备方法,属于光电子技术领域。该器件包括:陶瓷基板、荧光发光单元、三维石英透镜和深紫外LED发光单元;陶瓷基板为台阶结构,台阶结构的上表面中心处设置深紫外LED发光单元;在台阶结构的肩部上表面焊接三维石英透镜,形成腔体;荧光发光单元设置在台阶结构的台阶面,且与深紫外LED发光单元的侧边相距预设距离,荧光发光单元利用深紫外LED发光单元的侧面出光激发可见光;深紫外LED发光单元和荧光发光单元均位于三维石英透镜的腔体内部。利用深紫外LED的侧面出光激发可见光,指示出被深紫外光覆盖的区域,陶瓷基板的台阶结构可限制焊料助焊剂挥发。
-
公开(公告)号:CN118274276A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410372411.7
申请日:2024-03-29
Applicant: 华中科技大学 , 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
IPC: F21V5/04 , F21V5/10 , G02B1/00 , G02B1/11 , G02B7/02 , F21V13/00 , F21V9/30 , F21V9/45 , H01L33/50 , H01L33/64 , F21Y115/30
Abstract: 本发明属于半导体照明和显示技术领域,涉及一种高光提取、高导热无机荧光转换器及其制备方法和应用,所述无机荧光转换器包括:透镜、玻璃涂层、荧光玻璃层、导热基片和增透膜;其中,所述玻璃涂层和所述荧光玻璃层位于所述导热基片上表面,所述增透膜位于所述导热基片下表面,所述透镜设置于所述玻璃涂层和所述荧光玻璃层上方;所述无机荧光转换器为透过型结构。本发明利用透镜和增透膜提高了光子正向提取,增加了无机荧光转换器发光效率,有效提高了白激光光源发光亮度;利用四面导热结构改善了荧光玻璃层散热性能;无机荧光转换器中未使用有机粘接材料,避免有机材料在高温下出现失效甚至碳化,提高了无机荧光转换器长期可靠性。
-
-
-
-
-
-
-