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公开(公告)号：CN118117447A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311810766.1
申请日：2023-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种激光器的制备方法及激光器，涉及半导体技术领域，能够降低激光器出光阈值。激光器的制备方法包括：在基底上设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；在激光器外延片背离基底的一侧表面设置保护层；对设置有保护层的激光器外延片进行切割，以得到激光条；对激光条进行电化学腐蚀；去除电化学腐蚀后的激光条的保护层，得到激光器。
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公开(公告)号：CN117810305A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311862981.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L33/00 , H01L33/60 , H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法；所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液电化学刻蚀处理电极，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对多孔AlGaN样品进行浸泡处理，后干燥处理后的多孔AlGaN样品，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V；该方法克服了分布式布拉格反射器中AlGaN层存在的低折射率差、大晶格失配和高应变积累的缺陷。
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公开(公告)号：CN117326593A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311340732.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼钨纳米片及其制备方法，属于纳米材料领域。所述方法包括：将钼源溶液旋涂于第一衬底，将钨源和催化剂的混合溶液旋涂于第二衬底；将硫源放入分区加热装置的第一温区，将所述第一衬底和所述第二衬底放入所述分区加热装置的第二温区，并控制所述第一衬底以及所述第二衬底的间距；将所述分区加热装置置于载气氛围，相对于载气流动方向，所述第一温区位于所述第二温区的上游侧；所述分区加热装置进行设定加热方式加热，得到二硫化钼钨纳米片。通过调控第一衬底与第二衬底的间距，实现生长的单层二维二硫化钼钨合金组分的可控，钨组分具有0到0.8的较大范围可调。
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公开(公告)号：CN117059474A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310818220.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请涉及一种超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构的制备方法，包括如下步骤：在基底上制备GaN层，得到GaN外延片；对所述GaN外延片表面进行清洁后，用氧等离子体处理所述GaN外延片；配制含钼酸根的碱性溶液，并将所述碱性溶液均匀设置到氧等离子体处理后的GaN外延片上，去除溶剂，得到预制衬底；以单质硫为硫源对所述预制衬底进行化学气相沉积，在所述预制衬底表面形成MoS2层，得到所述超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构。本申请可以形成超大尺寸的二硫化钼/氮化镓混维异质结构，二硫化钼的覆盖率高，且容易形成尺寸较大的单层二硫化钼单晶，且实施步骤简单，能够快速制备超大尺寸二硫化钼/氮化镓混维异质结构。
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公开(公告)号：CN109742220B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201811588605.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种含液态量子点的白光LED及其制备方法，所述含液态量子点的白光LED制备方法的步骤包括：液态量子点稀释，配置浆料，丝网印刷并干燥，低温烧结，封装并固化。本发明有效避免了蓝光危害，显著提高了白光LED的显色指数及光色一致性，降低了LED的色温，并有效减缓了因有机聚合物老化而导致的光效降低情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524526B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN111129261A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911311802.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED的制备工艺方法及白光LED，包括：制备白光转换板，白光转换板包括：YAG：Ce3+黄色荧光粉层、AlN膜及蓝宝石基底，蓝宝石基底上沉积有AlN膜，AlN膜上覆盖有荧光粉层；将LED芯片阵列固定在已清洁的金属围坝支架内部；利用点胶机在金属围坝支架上点涂密封剂；将白光转换板放置在金属围坝支架上后，在150～160℃温度下烘烤1～1.5h；其中，AlN膜的热导率为300W/(m·K)；AlN膜可以提供高效热导通道；荧光粉颗粒被LED芯片激发产生的巨大热量可经高效热导通道迅速导出至散热器与外部环境中，降低荧光粉的工作温度，提高大功率白光LED的光效与光照质量。
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公开(公告)号：CN109742212A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811569659.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装结构，包括侧壁反射透镜、密封剂、LED芯片及金属围坝支架，所述LED芯片位于金属围坝支架中心内，所述侧壁反射透镜位于所述金属围坝支架上，所述金属围坝支架通过所述密封剂与所述侧壁反射透镜相连接，所述侧壁反射透镜为一平面平面石英片，其四个侧壁镀有高反射金属层，所述高反射金属层包括Al金属；本发明还提供了所述种LED封装结构的封装方法。该发明使用高反射金属层，可以将LED侧壁逃逸的光线反射到正向出光，提高了发射光的利用率，最终提高了深紫外LED的光提取效率，工艺流程简单，使用方便，适用于规模生产，在发光器件的光学设计中具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109727847A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811625620.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法，所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法为：采用物理气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积30nm厚的AlN缓冲层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层。本发明有效降低了AlN外延层的位错缺陷密度，改善了表面品平整度，并有效减少了AlN薄膜的表面裂纹。
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公开(公告)号：CN109437364A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811140313.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯，包括杯身、杯盖，所述杯盖活动设置于所述杯身上，所述杯盖上还设有固定座、UVC-LED光源、石英柱、电解组件，所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B，所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中，所述UVC-LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方，所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能，同时使得电器部件可放置于密闭空间中，而电解组件放置于开放空间中，UVC-LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。
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