公开(公告)号：CN104576731B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201310485697.1

申请日：2013-10-17

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  李昊 ,  周正良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种射频LDMOS器件，在外延层中具有体区和漂移区；在体区中具有源区；在漂移区中具有漏区。在部分漂移区之上、或者在部分漂移区和部分外延层之上具有垫氧化层。在部分源区和部分体区之上、或者在部分源区和部分体区和部分外延层之上具有栅氧化层。垫氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。在垫氧化层和栅氧化层之上具有多晶硅栅极。栅极由主体、第一延伸部、第二延伸部所组成。栅极主体仅在栅氧化层的上方，栅极的各个延伸部仅在垫氧化层的上方。本申请还公开了其制造方法。本申请可以提升栅的可靠性，并改善IGSS失效，提升器件的良品率。

公开(公告)号：CN104485360B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410842286.8

申请日：2014-12-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  周正良 ,  陈曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/66 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件，漂移区由第一注入区和第二注入区组成；第一注入区位于多晶硅栅的第二侧面到第一法拉第屏蔽层的第二侧面之间；第二注入区位于第一法拉第屏蔽层的第二侧面到漏区之间并将漏区包围；所述第二法拉第屏蔽层的第二侧面为靠近所述漏区一侧的侧面，通过调节第二注入区的掺杂浓度调节第二法拉第屏蔽层的第二侧面底部的漂移区的最大电场强度；第一注入区的掺杂浓度大于第二注入区的掺杂浓度，第一注入区的掺杂浓度越大，第一注入区的电场强度越大、射频LDMOS器件的击穿电压越大、饱和电流也越大。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压和饱和电流，提高器件的功率密度。

公开(公告)号：CN104425589B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310365073.6

申请日：2013-08-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  蔡莹 ,  周正良 ,  李昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在多晶硅栅的顶部表面形成的第一金属硅化物层的厚度大于在源漏区表面形成的第二金属硅化物层的厚度，第一金属硅化物层和第二金属硅化物层都由形成有硅表面的钛和氮化钛经快速热退火后形成。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。本发明通过第一金属硅化层的加厚能降低栅极的电阻，容易保证栅极低电阻；第二金属硅化物层的厚度不会随着第一金属硅化层的厚度的增加而增加，能通过降低第二金属硅化物层的厚度来降低第二金属硅化物层对源区和漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使射频LDMOS器件的反向击穿电压稳定，从而能整体提高器件的击穿电压、提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104425588B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310365072.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  周正良 ,  李昊 ,  蔡莹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种RFLDMOS器件，在多晶硅栅的顶部表面形成的第一金属硅化物层的厚度大于在源漏区表面形成的第二金属硅化物层的厚度，第二金属硅化物层形成在源区和漏区的接触孔底部。本发明还公开了一种RFLDMOS器件的制造方法。本发明通过第一金属硅化层的加厚能降低栅极的电阻，容易保证栅极低电阻；能通过降低第二金属硅化物层的厚度来降低第二金属硅化物层对源区和漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使RFLDMOS器件的反向击穿电压稳定，从而能整体提高器件的击穿电压、提高器件的可靠性。本发明不需要额外采用光刻版来定义第二金属硅化物层的形成区域，能减少一个光刻工艺步骤，降低工艺成本。

公开(公告)号：CN104167432B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310187583.9

申请日：2013-05-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 马彪 ,  周正良 ,  遇寒

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。

公开(公告)号：CN103035610B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210187195.6

申请日：2012-06-08

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 周正良 ,  遇寒 ,  蔡莹

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法，在P型基板上生长P型外延；生长氧化硅热氧层，其上淀积氮化硅层；光刻和干刻形成场氧开口；淀积氧化硅阻挡层，光刻和干刻打开场氧开口处的氧化硅阻挡层，刻蚀P型外延至基板上形成沟槽；湿法去除氧化硅阻挡层，生长场氧；光刻和湿法刻蚀去除沟槽内的场氧，进行小角度大剂量P型离子注入；淀积非掺杂多晶硅；回刻去除氮化硅层上面的多晶硅；再次进行热氧化；光刻和湿法刻蚀去除沟槽上的热氧化层，向沟槽内的多晶硅垂直注入P型离子；进行热开销使注入离子扩散。本发明降低了电阻，完全满足MOS管接地端通过硅晶片背面引出的要求，并降低接地金属连线引起的高电感对射频性能的影响。

公开(公告)号：CN104659095A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310601844.7

申请日：2013-11-25

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  周正良 ,  李昊 ,  蔡莹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/66681

Abstract: 本申请公开了一种射频LDMOS器件，在源极之上具有源区金属硅化物，在漏极之上具有漏区金属硅化物，源极和漏极的底面在同一水平面上，漏极的顶面高于源极的顶面，漏区金属硅化物的顶面高于源区金属硅化物的顶面。本申请还公开了其制造方法，先采用光刻和刻蚀工艺使漏极区域的硅材料表面高于其余区域的硅材料表面，然后同时在源极、漏极、栅极上形成金属硅化物，从而使得漏区金属硅化物的顶面高于源区金属硅化物的顶面。本申请通过器件结构和工艺优化使得漏端界面抬高，然后在同一步骤形成源极和漏极的金属硅化物。这样形成的射频LDMOS器件既能保证栅极电阻较小，又能确保漏极保留有足够的硅材料，可以得到更小的漏电流并且器件性能更加稳定。

公开(公告)号：CN104485360A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410842286.8

申请日：2014-12-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  周正良 ,  陈曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/66 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0684 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件，漂移区由第一注入区和第二注入区组成；第一注入区位于多晶硅栅的第二侧面到第一法拉第屏蔽层的第二侧面之间；第二注入区位于第一法拉第屏蔽层的第二侧面到漏区之间并将漏区包围；所述第二法拉第屏蔽层的第二侧面为靠近所述漏区一侧的侧面，通过调节第二注入区的掺杂浓度调节第二法拉第屏蔽层的第二侧面底部的漂移区的最大电场强度；第一注入区的掺杂浓度大于第二注入区的掺杂浓度，第一注入区的掺杂浓度越大，第一注入区的电场强度越大、射频LDMOS器件的击穿电压越大、饱和电流也越大。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压和饱和电流，提高器件的功率密度。

公开(公告)号：CN104425589A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310365073.6

申请日：2013-08-20

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  蔡莹 ,  周正良 ,  李昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66689

Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在多晶硅栅的顶部表面形成的第一金属硅化物层的厚度大于在源漏区表面形成的第二金属硅化物层的厚度，第一金属硅化物层和第二金属硅化物层都由形成有硅表面的钛和氮化钛经快速热退火后形成。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。本发明通过第一金属硅化层的加厚能降低栅极的电阻，容易保证栅极低电阻；第二金属硅化物层的厚度不会随着第一金属硅化层的厚度的增加而增加，能通过降低第二金属硅化物层的厚度来降低第二金属硅化物层对源区和漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使射频LDMOS器件的反向击穿电压稳定，从而能整体提高器件的击穿电压、提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN104425486A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310390259.7

申请日：2013-08-30

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 遇寒 ,  李昊 ,  周正良

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请公开了一种双拼电容，在重掺杂硅衬底上具有第一氧化硅，在第一氧化硅上具有氮化硅，在部分的氮化硅上具有第二氧化硅。第一部分的金属在氮化硅之上。第二部分的金属在第二氧化硅之上。由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第一部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第一电容器区域。由重掺杂硅衬底作为电容下极板，由第二部分的金属作为电容上极板，由第一氧化硅和氮化硅和第二氧化硅的总和作为两极板间介质，便构成了第二电容器区域。本申请还公开了其制造方法。本申请的双拼电容有利于电容品质因数的提升，并且可以缩小器件面积。其制造工艺得以简化、且成本降低。