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公开(公告)号：CN115692204A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211466320.7
申请日：2022-11-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/41 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，形成第一氧化层；定义栅极位置和源端区域，去除源端区域的第一氧化层；在栅极位置形成栅极多晶硅结构；形成P型体区、P+区、N+区、NLDD区；形成第二氧化层；刻蚀去除漏端区域的第二氧化层及第一氧化层形成凹槽；在源端区域、覆盖多晶硅层并刻蚀多晶硅层露出栅极多晶硅结构顶部；定义漏端多晶硅结构的形貌，刻蚀多晶硅层，形成漏端多晶硅结构；在源极多晶硅结构侧壁以及漏端多晶硅结构的侧壁分别形成侧墙；在漏端区域的硅基底内形成漏端N+区；在形成覆盖源端区域、栅极多晶硅结构顶部以及漏端多晶硅结构顶部的金属硅化物；形成第三氧化层；形成屏蔽罩。
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公开(公告)号：CN115360165A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211049792.2
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体互连结构及其制造方法，其中，所述半导体互连结构包括衬底，所述衬底上依次设置有第一介质层和第一金属层；第二介质层，设置于所述第一金属层上且覆盖所述第一金属层的表面；第一通孔，设置于所述第二介质层中且位于所述第一金属层的上方，所述第一通孔沿轴向的截面呈上宽下窄的碗型；第二金属层，设置于所述第二介质层上且填满所述第一通孔，所述第二金属层沿所述第一通孔的轴向的截面呈Y型。本发明通过形成截面呈碗型的第一通孔来形成截面呈Y型的第二金属层，提高了第二金属层的截面形状的周长，降低高频条件下趋肤效应带来的负面影响，从而降低损耗，提高了产品性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN111986998A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010984316.4
申请日：2020-09-18
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括：硅衬底；外延层，其形成于硅衬底上，其厚度大于30微米，其中形成有漂移区和沟道区，漂移区中形成有源区和体区，沟道区的一侧形成有漏区；栅氧层，其形成于外延层上；栅极，其形成于所述栅氧层上；第一金属硅化物层，其形成于栅极上；氧化物层，其形成于第一金属硅化物层和外延层上；第二金属硅化物层，其形成于氧化物层上；层间介质，其形成于氧化物层和第二金属硅化物层上；深接触孔，其形成于层间介质、外延层和硅衬底中，其底端与硅衬底接触。本申请不需要设置高电阻率衬底即可实现降低高频损耗的技术效果，因此不需要通过使用TSV工艺实现接触孔和高电阻率衬底的连接。
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公开(公告)号：CN104659031B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201310589766.3
申请日：2013-11-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，包括不同电容密度的MOS电容，其中对需要采用较厚电容介质层的小电容密度的MOS电容一的电容介质层采用硅局部氧化层来实现、而对需要采用较薄电容介质层的大电容密度的MOS电容二的电容介质层采用形成于硅表面的介质层来实现，本发明的硅局部氧化层是通过在硅衬底中刻蚀形成沟槽并氧化形成的。MOS电容一和二的下极板都由重掺杂的硅衬底组成，MOS电容一和二的上极板由相同的正面金属刻蚀后形成。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构的制造方法。本发明能够使工艺流程比较简单易于实施，并使器件性能更加稳定。
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公开(公告)号：CN104716177B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310671894.2
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种改善漏电的射频LDMOS器件，在栅氧化层之上具有硅化物阻挡层，在硅化物阻挡层之上具有屏蔽环阻挡层。在漏极之上具有引出端粘附层，在引出端粘附层之上具有漏极引出端。在屏蔽环介质层上具有屏蔽环粘附层，在屏蔽环粘附层上具有金属法拉第屏蔽环。所述引出端粘附层和屏蔽环粘附层为相同的多晶硅或钛材料。所述漏极引出端和金属法拉第屏蔽环为相同的金属或金属硅化物材料。本申请还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本申请可以得到更小的漏电并且加强屏蔽作用，改善产品可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137667B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201110396915.5
申请日：2011-12-02
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/1045
Abstract: 本发明公开了一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法，P型硅衬底上形成P型外延，P型外延中形成N型低掺杂漏区、P阱和N型重掺杂漏区；P阱中形成N型重掺杂源区、P型重掺杂引出区；N型重掺杂漏区上方形成漏极钛金属硅化物层，P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上方形成源极钛金属硅化物层，多晶硅栅极上方具有栅极钛金属硅化物层，栅极钛金属硅化物层的厚度大于漏极钛金属硅化物层和源极钛金属硅化物层的厚度。本发明栅极的钛金属硅化物较厚，可以降低栅极的方块电阻，源极和漏极上的常规厚度钛金属硅化物避免对源漏和阱的结穿透造成漏电。
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公开(公告)号：CN103035719B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210315670.3
申请日：2012-08-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种射频LDMOS器件，包括金属塞和位于漏极区域的顶层金属下方的厚度较厚的场氧层。金属塞具有较小的电阻，故能减少器件的寄生电阻，较厚的场氧层能够减少器件的寄生电容，从而能提高器件的频率特性。同时金属塞还具有不横向扩散的特性，故还能减少器件的面积；场氧层的厚度增加也能相对减少层间膜的厚度，从而减少金属层的层数，最后能降低器件成本。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN104716177A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310671894.2
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/401 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/66681
Abstract: 本申请公开了一种改善漏电的射频LDMOS器件，在栅氧化层之上具有硅化物阻挡层，在硅化物阻挡层之上具有屏蔽环阻挡层。在漏极之上具有引出端粘附层，在引出端粘附层之上具有漏极引出端。在屏蔽环介质层上具有屏蔽环粘附层，在屏蔽环粘附层上具有金属法拉第屏蔽环。所述引出端粘附层和屏蔽环粘附层为相同的多晶硅或钛材料。所述漏极引出端和金属法拉第屏蔽环为相同的金属或金属硅化物材料。本申请还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本申请可以得到更小的漏电并且加强屏蔽作用，改善产品可靠性。
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公开(公告)号：CN104659031A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310589766.3
申请日：2013-11-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构，包括不同电容密度的MOS电容，其中对需要采用较厚电容介质层的小电容密度的MOS电容一的电容介质层采用硅局部氧化层来实现、而对需要采用较薄电容介质层的大电容密度的MOS电容二的电容介质层采用形成于硅表面的介质层来实现，本发明的硅局部氧化层是通过在硅衬底中刻蚀形成沟槽并氧化形成的。MOS电容一和二的下极板都由重掺杂的硅衬底组成，MOS电容一和二的上极板由相同的正面金属刻蚀后形成。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构的制造方法。本发明能够使工艺流程比较简单易于实施，并使器件性能更加稳定。
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公开(公告)号：CN103035514B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210152488.0
申请日：2012-05-16
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明公开了一种RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法，在P型硅衬底上生长P型外延，并在其上生长ON叠层，光刻和干刻ON叠层形成场氧开口，在硅层中刻蚀形成凹进；淀积氧化硅层并进行光刻和干刻，间隔打开氧化硅层并刻蚀深沟槽；相邻深沟槽之间的侧壁厚度为常规场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽宽度等于侧壁厚度加0.2～1.0μm；刻蚀去除氧化硅层；对硅片进行场氧化并消耗侧壁；淀积氧化硅并填充深沟槽，氧化硅高于氮化硅层；打开有氮化硅层的区域，化学机械平坦化去除氮化硅层上的氧化硅，平坦化其余位置的氧化硅；去除氮化硅层和氧化硅热氧层。本发明隔离结构的厚度大大提高，整个晶片表面形貌平整，降低了后续工艺的缺陷，流程简单易行，最小化工艺成本。
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