柔性滤波器的快速制造方法

    公开(公告)号:CN113571862B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202110508169.8

    申请日:2020-07-06

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 一种柔性滤波器的快速制造方法,包括以下步骤:(1)采用计算机进行柔性微波滤波器的仿真设计,得到柔性微波滤波器的理论结构尺寸参数;(2)采用常温湿法工艺将步骤(1)中已完成结构设计的柔性微波滤波器制备出来;(3)将步骤(2)中得到的柔性带通滤波器,进行电学性能测试和/或机械性能测试,若测试结果偏离预计值,则调整参数,返回步骤(1)和/或(2),重新制造柔性微波滤波器;若测试结果符合预计值,则将步骤(1)和(2)中的参数固定下来,进行柔性微波滤波器批量生产。本发明研究柔性微波滤波器的制造工艺参数的效率得到大大提升,仅需完成一个样品的试制,即可得到最佳的工艺参数,极大地降低了科研人员的人力成本。

    一种用于fA~pA量级微弱电流测量的ASIC

    公开(公告)号:CN112697842B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202011430106.7

    申请日:2019-01-30

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于fA~pA量级微弱电流测量ASIC,具有十个引脚,第一引脚为信号输入引脚,用于输入待测电流;第七引脚为电源地引脚;第十引脚为电源正极引脚;第二、三、四、五、六、八、九引脚为功能引脚,用于连接ASIC外围元件;第五引脚作为信号输出引脚,用于输出放大后的电压,并连接至中间放大器输入端;在ASIC内部,包括两个CMOS运算放大器构成的放大电路、四个CMOS传输门、七个CMOS反相器、三个电阻和两个电容;ASIC第七引脚连接至电源地端,ASIC第十引脚连接至电源正端;ASIC第一引脚为待测电流信号输入端,用于输入待测电流;ASIC第五引脚为放大电压信号输出端,用于输入放大的电压信号。

    一种三电极结构的湿度传感器芯片

    公开(公告)号:CN112229878B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202010011995.7

    申请日:2020-01-07

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片,该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU;湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极;湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构;第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层;第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构,湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层;第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻(湿敏电阻)结构,湿度敏感材料作为湿度敏感电阻(湿敏电阻)的湿度敏感材料;所述衬底是具备压电效应的晶体材料。

    一种用于fA~pA量级微弱电流测量的ASIC

    公开(公告)号:CN112697842A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202011430106.7

    申请日:2019-01-30

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于fA~pA量级微弱电流测量ASIC,具有十个引脚,第一引脚为信号输入引脚,用于输入待测电流;第七引脚为电源地引脚;第十引脚为电源正极引脚;第二、三、四、五、六、八、九引脚为功能引脚,用于连接ASIC外围元件;第五引脚作为信号输出引脚,用于输出放大后的电压,并连接至中间放大器输入端;在ASIC内部,包括两个CMOS运算放大器构成的放大电路、四个CMOS传输门、七个CMOS反相器、三个电阻和两个电容;ASIC第七引脚连接至电源地端,ASIC第十引脚连接至电源正端;ASIC第一引脚为待测电流信号输入端,用于输入待测电流;ASIC第五引脚为放大电压信号输出端,用于输入放大的电压信号。

    一种保养维修方便的卡匣式糊付机构

    公开(公告)号:CN112657765A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011449852.0

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种保养维修方便的卡匣式糊付机构,包括工作台,所述工作台右侧设置有固定座,所述工作台内部固定安装有第一电机,所述第一电机左侧转动连接有转轴,所述转轴上固定安装有转动齿轮,所述转动齿轮外表面啮合连接有传送带,所述固定座上方固定安装有固定杆,所述固定杆内部固定安装有第二电机,所述第二电机上方转动连接有丝杆,所述丝杆上方螺纹连接有伸缩杆,当机器需要清洗时,通过启动第二电机,第二电机带动丝杆转动,丝杆带动伸缩杆进行升降,继而就能够实现对上胶机构高度的调整,将上胶机构调高后,此时,工作人员再对机器进行清洗,继而就降低了清洗的难度,为工作人员节省大量的时间,提高了工作效率。

    一种基于光诱导的制备水溶性三元锌镉硒合金量子点的方法

    公开(公告)号:CN112011339A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010892775.X

    申请日:2020-08-31

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光诱导的制备水溶性锌镉硒(ZnCdSe)三元合金量子点的方法,制备方法包括以下步骤:(1)制备水溶性硒化锌(ZnSe)量子点;(2)利用甲醇或异丙醇对水溶性ZnSe量子点进行提纯;(3)将CdCl2溶液与巯基丙酸或巯基乙酸混合得到的Cd前驱体溶液,并通过NaOH溶液将该前驱体溶液的pH值调节至pH>9;(4)将Cd2+前驱体溶液与量子点溶液混合;(5)在混合溶液中加入还原剂水合肼(N2H4)或硼氢化钠(NaBH)4或硼氢化理(NaBH)4。并通过氮气或氩气对溶液进行除氧。(6)将溶液放置于波长小于420nm的紫外光线下进行光照,得到相应三元锌镉硒三元合金量子点。本发明操作简单,在室温下进行,开辟了一种新的制备ZnCdSe三元合金量子点的方法,该方法避免了采用中间阳离子进行连续交换引入的杂质,并且可以灵活调整三元纳米晶阳离子之间的比例,从而达到调控三元纳米晶光电特性的效果。

    一种用于传感器信号处理的全定制ASIC及其应用

    公开(公告)号:CN107450304B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201710704170.1

    申请日:2017-08-17

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明提供了一种用于传感器信号处理的全定制ASIC(为专门应用而设计的集成电路),所述ASIC专门用于消除周期性往复运动的周期测量中的系统误差;所述ASIC具有4个引脚,第一引脚为电源正极引脚,第二引脚为信号输入端,用于连接光电门电路的输出端,第三引脚为信号输出端,用于连接计时器和计数器,第四引脚为电源地线引脚。所述ASIC取消了现有技术中的运算放大器、电压比较器、A/D转换器,整个电路全部由CMOS电路构成开关电路,因此本发明的电路结构更简单,抗干扰能力更强,电路功耗更低。

    一种柔性微波滤波器的制造方法

    公开(公告)号:CN111864331A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010640641.9

    申请日:2020-07-06

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 一种柔性微波滤波器的制造方法,包括以下步骤:(1)采用计算机进行柔性微波滤波器的仿真设计,得到柔性微波滤波器的理论结构尺寸参数;(2)采用常温湿法工艺将步骤(1)中已完成结构设计的柔性微波滤波器制备出来;(3)将步骤(2)中得到的柔性带通滤波器,进行电学性能测试和/或机械性能测试,若测试结果偏离预计值,则调整参数,返回步骤(1)和/或(2),重新制造柔性微波滤波器;若测试结果符合预计值,则将步骤(1)和(2)中的参数固定下来,进行柔性微波滤波器批量生产。本发明研究柔性微波滤波器的制造工艺参数的效率得到大大提升,仅需完成一个样品的试制,即可得到最佳的工艺参数,极大地降低了科研人员的人力成本。

    一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法

    公开(公告)号:CN107974666B

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201711222248.2

    申请日:2017-11-28

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD‑window的方法,通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD‑window;在所述ALD‑window测定过程中,薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变;在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中,配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM,在ALD‑window测定过程中,薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高,通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm,最终得到Δm与T的函数关系,分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD‑window。

    一种电介质薄膜电学性质测量系统

    公开(公告)号:CN109709151A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910094588.4

    申请日:2019-01-30

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明揭示了一种电介质薄膜电学性质测量系统,包括探针台、电学测试装置和计算机,电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个MOS场效应管、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。电介质薄膜的漏电流大小通常介于数十fA至数十pA,通过合理选择外围电阻,前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级,该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大,可被电流测量装置准确测量出来,最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明独有的处理方式,有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。

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