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公开(公告)号：CN205723600U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620373028.4
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构，在衬底上生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，U/N‑GaN单晶薄膜中生成纵向穿透位错，在U/N‑GaN单晶薄膜上生长应力释放层，应力释放层中生成纵向V型凹槽，V型凹槽位于穿透位错正上方；在应力释放层上生长多量子阱有源层，并在有源层上延伸保持V型凹槽；在有源层上生长P‑AlGaN层，并在P‑AlGaN层上延伸保持V型凹槽；在V型凹槽的斜面上覆盖一层U‑GaN并延伸至P‑AlGaN层表面；在V型凹槽中填满P‑GaN并将V型凹槽填平，覆盖在延伸至P‑AlGaN层表面的U‑GaN上。本实用新型可以增加空穴的有效注入，提高发光二极管的发光效率。
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