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公开(公告)号：CN107799636B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201711027161.X
申请日：2017-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种紫外LED及其制作方法，本发明技术方案中，设置p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻。氮化镁层的两侧表中至少一个表面与一层氮化镓层相邻，通过这种设置，可以使得Mg原子周围分布更多的Ga原子，可以显著降低Mg受主的激活能，从而提高p型掺杂的AlXGa1‑XN材料中空穴浓度。
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公开(公告)号：CN107464864B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710718915.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。
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公开(公告)号：CN107895753B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201711122687.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成SiN缓冲层；在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层背离SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层层；其中，SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。该制作方法通过在SiN缓冲层与AlN缓冲层之间设置多层SiN与AlN混合层，降低了Si衬底的发光二极管外延层中氮化物的应力，进而使有源区的晶体质量得以有效提高，最终有效的提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN106025007B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610557362.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN107464864A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710718915.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107331741A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710595928.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/10
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro LED阵列基板，其中，Micro LED芯片采用垂直结构，将第一电极和第二电极分别制作在不同侧，通过在隔离层上设置网格结构的电极网，只需设置一个第二电极与电极网形成电连接，即可实现多个Micro LED子芯片独立发光，而无需通过每个Micro LED子芯片都设置第二电极进行发光控制，电极网设置在隔离层上，且电极网位置与隔离层位置相对设置，避免了电极网对有效发光区域的遮挡，从而极大地减小电极的挡光面积，对比现有技术，增加了Micro LED芯片的发光面积，有效提高了Micro LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN105789396A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273690.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法，在衬底上表面蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上外延生长复合缓冲层，反应温度至1000℃左右；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成；生长完复合缓冲层再升高外延生长温度至1050℃以上依次进行外延生长非故意掺杂层及第一型导电层；降低外延生长温度至低于800℃在第一型导电层上外延生长有源层；升高温度至900℃以上，在有源层上依次生长第二型导电层及欧姆接触层。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105762247A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610117133.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02505 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层制作方法：一，在衬底上制作AlN缓冲层；二，在AlN缓冲层上依次生长多组复合结构缓冲层，每组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层都使用脉冲法生长，并且生长AlN层时TMAl和NH3的脉冲周期都比生长上一个AlN层时的TMAl和NH3的脉冲周期递减1个，而生长GaN层时TMGa和NH3的脉冲周期都比生长上一个GaN层时的TMGa和NH3的脉冲周期递增1个，直至生长最后一组复合结构缓冲层中的AlN层时，TMAl和NH3的脉冲周期减小为0。本发明可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命，同时能够精确控制外延层的厚度，提高原子的表面迁移率。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN107331742B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710596447.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V‑pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V‑pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。
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