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公开(公告)号：CN106206893B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610557361.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO2和In2O3构成。本发明还公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管制作方法。本发明有效提高ITO电流扩展效果，减小电极的遮光面积，提高有源区光的萃取率，提高芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN106025793A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557020.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0657 , H01S5/10 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
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公开(公告)号：CN106025007B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610557362.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105789396A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273690.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法，在衬底上表面蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上外延生长复合缓冲层，反应温度至1000℃左右；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成；生长完复合缓冲层再升高外延生长温度至1050℃以上依次进行外延生长非故意掺杂层及第一型导电层；降低外延生长温度至低于800℃在第一型导电层上外延生长有源层；升高温度至900℃以上，在有源层上依次生长第二型导电层及欧姆接触层。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105762247A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610117133.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02505 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层制作方法：一，在衬底上制作AlN缓冲层；二，在AlN缓冲层上依次生长多组复合结构缓冲层，每组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层都使用脉冲法生长，并且生长AlN层时TMAl和NH3的脉冲周期都比生长上一个AlN层时的TMAl和NH3的脉冲周期递减1个，而生长GaN层时TMGa和NH3的脉冲周期都比生长上一个GaN层时的TMGa和NH3的脉冲周期递增1个，直至生长最后一组复合结构缓冲层中的AlN层时，TMAl和NH3的脉冲周期减小为0。本发明可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命，同时能够精确控制外延层的厚度，提高原子的表面迁移率。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN106816509B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN106025019B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610425763.X
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN106206865B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610557039.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的n型欧姆接触层高度相同，位于同一水平面内。本发明还公开高压发光二极管的制作方法。本发明解决高压发光二极管电极桥接提高发光功率时，电极桥接存在高度差造成工艺难度大及成品率低的问题。
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公开(公告)号：CN106816509A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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