一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114933480B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202210630456.0

    申请日:2022-06-06

    Abstract: 一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料的制备方法,它涉及一种SiBCN复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiBCN陶瓷材料存在韧性低,应用可靠性低,烧结温度和压力高及现有短碳纤维在基体中分散不均匀、团聚的问题。方法:一、制备短碳纤维预制体;二、制备SiBCN浆料;三、制备多层短碳纤维‑SiBCN坯体;四、热解,得到具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。本发明不需要特殊的复合材料制备技术,制备工艺简单。本发明可获得一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。

    原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN114105646B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111562121.1

    申请日:2021-12-20

    Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法,它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1:h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt%Ti粉体,热压烧结。方法2:制备NB21混合粉,加立方硅粉、h‑BN粉和石墨,得SiBCN‑xwt%NB21粉体,热压烧结炉。方法3:TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨,得非晶/纳米晶复合粉体,热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术,制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷;适用于制备纳米晶复相陶瓷。

    氮化硼-锶长石高温透波复相陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109650863B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201910099462.6

    申请日:2019-01-31

    Abstract: 本发明公开一种氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料及其制备方法,涉及陶瓷基复合材料的制备领域,所述氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料的制备方法包括:S1:称取锶长石粉体与六方氮化硼粉体进行混合,得到原料粉体;S2:将所述原料粉体进行球磨,得到球磨粉末;S3:将所述球磨粉末进行搅拌烘干,得到原料粉末;S4:将所述原料粉末冷压成型,得到原料坯体;S5:对所述原料坯体进行热等静压烧结,得到氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料。本发明提供的氮化硼‑锶长石高温透波复相陶瓷材料的制备方法,通过将六方氮化硼引入锶长石中,使得制备的复相陶瓷材料不仅具有良好的可加工性能,还具有良好的介电和耐高温性能。

    氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112851363A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110085758.X

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法,属于陶瓷吸波材料技术领域。所述氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料包括硅硼碳氮陶瓷和分散在所述硅硼碳氮陶瓷内的氧化石墨烯,所述氧化石墨烯与所述硅硼碳氮陶瓷通过酰化反应形成的化学键连接,且所述氧化石墨烯呈平行排列的层状结构。本发明的氧化石墨烯通过酰化反应改性聚硼硅氮烷,聚硼硅氮烷相当于插层材料分布于相邻氧化石墨烯层之间,增大了相邻氧化石墨烯层之间的间距,破坏了氧化石墨烯层间的范德华力,并且氧化石墨烯键合在聚硼硅氮烷上,防止了氧化石墨烯滑移导致的分散不均匀问题,提高了氧化石墨烯在复合材料中分布的均匀性。

    一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111689778A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010611802.1

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 一种高致密SiBCN陶瓷材料及其制备方法,本发明涉及SiBCN陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决现有机械合金化-热压烧结法制备SiBCN陶瓷材料的密度低,尺寸小,生产效率低的问题。一种高致密SiBCN陶瓷材料由立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉制备而成。方法:称取立方晶系的硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉,并放入球磨罐中球磨,然后热压预烧结,最后封入包套进行热等静压,即完成高致密SiBCN陶瓷材料的制备。本发明用于高致密SiBCN陶瓷材料及其制备。

    一种基于选区激光熔化3D打印制备钛基纳米复合材料的方法

    公开(公告)号:CN109943786A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910374608.3

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 一种基于选区激光熔化3D打印制备钛基纳米复合材料的方法,涉及一种制备钛基纳米复合材料的方法。目的是解决钛及钛基复合材料的切削加工性差的问题。制备:球磨制备复合粉末,复合粉末中B4C粉末的含量为(0.5~1)wt%;利用选区激光熔化3D打印成形。本发明制备的复合材料质量轻,热力学稳定性高,强度高且耐磨性好,成形过程无需工装夹具或模具,易于实现“近净成形”,可以在短时间内大量制备,原材料来源广泛。制备的复合材料基体晶粒显著细化,原位生成的完全纳米级TiB晶须呈弥散状分布在基体晶粒边界,对复合材料起到了明显的强化效果,力学性能显著提升。本发明适用于3D打印制备钛基纳米复合材料。

    一种Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107226700A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201710430686.1

    申请日:2017-06-09

    Abstract: 本发明公开了一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法,属于氮化硅基陶瓷复合材料的技术领域。本发明是要解决现有氮化硅基陶瓷材料生产过程中烧结温度过高、烧结压力过大、机械加工性能差导致成本高、效率低的技术问题。本发明的Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料是由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末、α‑Si3N4粉末和六方BN粉末制成的。制备方法:步骤一、以质量分数计,将1.0%~1.5%的MgO粉末、3.2%~3.8%的Al2O3粉末、5.0%~5.5%的SiO2粉末、0.01%~50%的BN粉末和余量的α‑Si3N4粉末混合、加入介质,球磨;步骤二、然后烘干后研碎,过筛;步骤三、再装入模具内,预压成型;步骤四、再在惰性气体保护下烧结,得到Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料。本发明应用于Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料的制备领域。

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