掺杂剂源及其制造方法
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101636819B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200880008599.6

    申请日:2008-10-28

    CPC classification number: H01L21/2225

    Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源,并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20~50摩尔%、Al2O3为30~60摩尔%(其中不包括30摩尔%)、B2O3为10~40摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,或者,该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成,该硼成分挥发层含有SiO2为30~60摩尔%、Al2O3为10~30摩尔%、B2O3为15~50摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,该耐热层含有SiO2为8~30摩尔%、Al2O3为50~85摩尔%、B2O3为5~20摩尔%、RO(R是碱土金属)为0.5~7摩尔%的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括:使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序;使得到的浆料成型,得到生片的工序;和对生片进行烧结的工序。

    玻璃卷
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114555501B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202080072657.2

    申请日:2020-11-11

    Inventor: 森弘树

    Abstract: 玻璃卷(1)包括将层叠膜(5)呈卷状卷绕而成的结构,所述层叠膜(5)具备:玻璃膜(2);保护膜(3);以及粘接层(4),其设置于玻璃膜(2)与保护膜(3)之间,并将玻璃膜(2)粘接于保护膜(3)。保护膜(3)的宽度(A)比玻璃膜(2)的宽度(B)大,保护膜(3)的宽度方向的两端部(3x)分别从玻璃膜(2)伸出。玻璃膜(2)的宽度(B)比粘接层(4)的宽度(C)大,玻璃膜(2)的宽度方向的两端部(2x)分别从粘接层(4)伸出。

    玻璃膜的制造方法
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116710247A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202180089447.9

    申请日:2021-12-27

    Abstract: 本发明提供能够防止操作性的降低并且不给玻璃膜的上表面造成损伤地沿着切断预定线将母玻璃膜精度良好地切断的玻璃膜的制造方法。一种玻璃膜(G)的制造方法,在对母玻璃膜(MG)的切断预定线(L1)赋予了弯曲应力的状态下,在切断预定线(L1)的一部分形成初始裂纹(D),由此使初始裂纹(D)沿着切断预定线(L1)进展而将母玻璃膜(MG)切断,其中,在上表面(2a)侧产生负压吸引力的平台(2)上,以形成作为母玻璃膜(MG)的端部(A)伸出的部分的伸出部(B)的方式载置母玻璃膜,在伸出部(B)设置切断预定线(L1)。

    玻璃卷筒、玻璃卷筒的制造方法及品质评价方法

    公开(公告)号:CN111417600B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN201980006065.8

    申请日:2019-01-29

    Inventor: 森弘树 森浩一

    Abstract: 本发明的技术课题为提供在利用卷对卷方式的情况下能够防止带状玻璃膜发生斜行、单侧松弛的玻璃卷筒。本发明是形成有褶皱(5)的带状玻璃膜(2)卷成卷状而成的玻璃卷筒(1),带状玻璃膜(2)具备有效区间(6),该有效区间(6)是宽度方向的一侧端缘(2g)与另一侧端缘(2h)平行地延伸的区间,且其前端部(6a)及末端部(6b)分别与带状玻璃膜(2)的宽度方向平行地延伸,在分别沿着带状玻璃膜(2)的沿着一侧端缘(2g)的第一位置(P1)及沿着另一侧端缘(2h)的第二位置(P2)测定有效区间(6)的沿着表面(2f)的从前端部(6a)到末端部(6b)的长度的情况下,所测定的第一测定长度(L1)及第二测定长度(L2)的两个测定长度(L1、L2)之差为两个测定长度(L1、L2)中的较长测定长度的400ppm以下。

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