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公开(公告)号：CN1289447C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03800236.1
申请日：2003-03-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/21 , C07C17/395 , C07C17/10 , C09K5/04
CPC classification number: C09K5/045 , B01J23/26 , B01J23/42 , C07C17/10 , C07C17/21 , C07C17/395 , C07C19/08 , C09K2205/24
Abstract: 本发明涉及一种生产高纯度五氟乙烷的方法，包括(1)将四氯乙烯氟化的步骤，获得含有杂质的粗五氟乙烷，和(2)使含有杂质的粗五氟乙烷与氧气和/或含氧化合物在催化剂存在下接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1276903C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN01801719.3
申请日：2001-06-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/10 , C07C17/395
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/383 , C07C17/395
Abstract: 本发明旨在提供用包含分子中有氯原子的化合物的CF3CHF2高收率制备CF3CF3的方法，以及CF3CF3的用途。本发明方法中，在氟化催化剂存在下，含有CF3CHF2和分子中有氯原子的化合物的气体混合物与氟化氢反应，从而将作为主要杂质的CClF2CF3转化为CF3CF3，并且在稀释气体存在下，使含CF3CF3的CF3CHF2与氟气体在气相进行反应。
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公开(公告)号：CN1254460C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02802579.2
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/383 , C07C17/20 , C07C17/354 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200-450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1-3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150-400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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公开(公告)号：CN1225302C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN01802242.1
申请日：2001-07-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01D53/73 , B01D53/501 , B01D53/56 , B01D53/60
Abstract: 一种处理燃烧废气的方法，它包括给燃烧废气脱硝，用氨对它脱硫，对脱硫产生的废水或洗涤收集到的粉尘灰所得到的废水用碳酸钙过滤，调节滤液的pH值，加入二氧化碳和/或碳酸水溶液，然后加入絮凝剂以使固体物质沉降，然后从上清液中回收氨。将回收的氨加到脱硝后的气体中用于处理燃烧废气。
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公开(公告)号：CN1214444C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气，通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体；(2)用于半导体生产设备的净化气，该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到；(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法；(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气，可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1386299A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01802037.2
申请日：2001-07-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405
Abstract: 本发明涉及(1)用于半导体生产设备的净化气,通过以一特定比例使SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体混合获得该气体;(2)用于半导体生产设备的净化气,该气体以一特定比例混合SF6和F2、NF3中的一种或两种以及惰性气体和含氧气体得到;(3)使用所述气体净化半导体生产设备的方法;(4)包括使用所述净化气的净化步骤的生产半导体器件的方法。使用本发明用于半导体生产设备的蚀刻速率高的净化气,可以以优异的性价比对半导体生产设备进行纯化并维其运行。
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公开(公告)号：CN1161952A
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN97102131.7
申请日：1997-01-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/269
Abstract: 生产全氟化碳的方法，包括使氢氟化碳与氟气在汽相中、在较高的反应温度下在第一反应区中接触获得气态反应混合物的步骤；和将气态反应混合物作为稀释气体引入第二反应区中和将其在该区中于较高的反应温度下与必要时与氟气一起送入第二反应区的氢氟化碳接触的步骤，送入第二反应区的氢氟化碳与在第一反应区中的氢氟化碳不同。
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公开(公告)号：CN1085888A
公开(公告)日：1994-04-27
申请号：CN92112813.4
申请日：1992-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/395 , C07C19/08
Abstract: 在三氯乙烯与氟化氢反应制1，1，1，2-四氟乙烷的过程中，粗1，1，1，2-四氟乙烷经如下几个步骤高度提纯；对粗1，1，1，2-四氟乙烷进行初步提纯除去氯化氢至浓度不高于2％，将经过初步提纯的，含有一种或多种不饱和杂质及至少与不饱和杂质量等摩尔的氟化氢的1，1，1，2-四氟乙烷在汽相中与氟化反应催化剂接触，从而降低不饱和杂质的含量。
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