-
公开(公告)号：CN101636278B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200880008650.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2437 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24324 , Y10T428/21 , Y10T428/25
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)SbxS100-x(原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。
-
公开(公告)号：CN1906043B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580001529.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B9/04 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 在通过照射光、或者通过施加电能来记录再生信息的信息记录介质中，通过以含有如下材料的方式形成产生可逆性相变的记录层，就能够得到在高线速度下且广线速度范围内确保高擦去性能与优质记录保存性的信息记录介质，所述材料含有Ge、Bi、Te以及元素M且以(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1-y]100-x(mol％)(式中，M表示从Al、Ga以及In中选择的至少一种元素，x以及y满足80≤x＜100、0＜y≤0.9)表示。
-
公开(公告)号：CN101496104B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
-
公开(公告)号：CN101317225A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044701.9
申请日：2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/462 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/505 , C04B35/553 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , G11B7/00454 , G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。
-
公开(公告)号：CN100440348C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101194310A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020272.1
申请日：2006-05-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2533 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种在高线速度且宽线速度范围内，确保高的记录消去性能和优良的记录保存性的信息记录介质。此种信息介质通过如下构成得到作为整体具有可产生相变化的组成的记录层，即：由在厚度方向上叠层的第1至第M(M为2以上的整数)的结构层，在将位于激光入射侧的第m的结构层设为第m结构层(m为整数，且满足1≤m≤M)的情况下，邻接的第m结构层与第m+1结构层具有相互不同的元素组成。在该信息记录介质中，构成记录层的至少一个第m结构层优选包含从Te、Bi、Sb、Ge、In、Ga、Al、Sn、Pb、Se及Si中选择的至少一种元素。
-
公开(公告)号：CN100346412C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100-N(摩尔%)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr-Cr-O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
-
公开(公告)号：CN100341060C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
-
公开(公告)号：CN1320541C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03822063.6
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学信息记录媒质包括基底以及设置在该基底上的至少m(m是2或大于2的整数)个信息层，m个信息层中的每一个包括记录层，并且如果将m个信息层按照从激光束入射侧开始的顺序称作第一到第m信息层，那么当把包含在第j(j是满足1≤j≤m-1的整数)信息层中的记录层当作第j记录层时，并且在第j记录层处于状态A时第j信息层的透射率为TAj(%)，以及在第j记录层处于状态B时第j信息层的透射率为TBj(%)时，在第j信息层中满足以下关系式：0≤|TAj-TBj|/(TAj，TBj)max≤0.10，其中(TAj，TBj)max是TAj和TBj中较大的值，并且第一到第(m-1)记录层中的至少一个记录层由复折射率与第m记录层的复折射率不同的材料制成。
-
公开(公告)号：CN1314028C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片(1)的表面形成记录层(4)及电介质层(2)和(6)，记录层(4)通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层(2)和(6)是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物-氟化系材料层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.036 seconds)
