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公开(公告)号：CN102668280A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN101765951B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101741015B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910253800.3
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/18311 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器装置，其包括连接到热沉的基板；由半导体分布式布拉格反射器形成于该基板上的第一反射层；形成为接触该第一反射层的第一腔阻挡层；形成为接触该第一腔阻挡层的有源层；形成为接触该有源层的第二腔阻挡层；以及由半导体分布式布拉格反射器形成为接触该第二腔阻挡层的第二反射层。该第一腔阻挡层包括一半导体材料，该半导体材料的热导率大于形成该第二腔阻挡层的半导体材料的热导率。
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公开(公告)号：CN101604819B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910145943.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。在表面发射激光器元件中，在倾斜的衬底上，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于穿过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并且关于穿过电流通过区域中心并平行于Y轴的轴对称，并且围绕电流通过区域的氧化层的厚度在+Y轴方向比在+X和-X方向大。光输出部分在X轴方向的开口宽度小于光输出部分在Y轴方向的另一开口宽度。
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公开(公告)号：CN101582562B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910139045.6
申请日：2009-05-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324695A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110273300.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18355 , G03G15/04072 , G03G15/0435 , G03G2215/0404 , H01S5/18311 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了表面发射激光器、阵列、光学扫描装置和成像设备，其中所述表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
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公开(公告)号：CN102224646A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146798.8
申请日：2009-11-24
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一中表面发射激光器器件，其用以在垂直于衬底的方向上发射激光，包括围绕发射激光的发射表面上的发射区域的p侧电极；以及形成在发射区域的中心部分的外侧且在发射区域之内的外侧区域上以降低其反射率低于中心部分的透明介电膜。所述发射区域内的外侧区域在两个相互垂直的方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号：CN102136677A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110037067.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN101939882A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104470.X
申请日：2009-02-09
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18344 , H01S5/18358 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H04N1/113 , H04N1/1215
Abstract: 公开一种表面发射激光器元件。所述表面发射激光器元件包括：包括有源层的共振器结构主体、夹住共振器结构主体的第一和第二半导体分布式布拉格反射器以及限制结构，该限制结构能够通过由第一半导体分布式布拉格反射器中的包含铝的待被选择性氧化的层的选择性氧化而形成而同时界限注入电流和振荡光的横向模式。待被选择性氧化的层的厚度是28nm，并且当振荡阈值电流变成最小值时的温度为大约17℃。
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公开(公告)号：CN101794967A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010155366.8
申请日：2006-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18 , B41J2/45 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166
Abstract: 能够容易地提高单一基本横模的输出的面发光激光元件，包括：反射层、谐振器隔离层、活性层、选择氧化层。所述选择氧化层被设置在与振荡光的电场的驻波分布的第4周期的节对应的反射层中的位置、和在与活性层侧相反方向上，与第4周期的节相邻接的与驻波分布的腹对应的反射层中的位置之间。
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