公开(公告)号：CN103548420A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024692.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H05B33/26 ,  C22C21/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  C22C21/00 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/5218

Abstract: 提供一种配线结构，其具有具备Al合金膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，该Al合金膜耐久性优异，即便使Al反射膜直接与有机层连接，也能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本发明涉及在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含发光层的有机层的配线结构，其中，所述Al合金膜含有特定的稀土类元素为0.05～5原子％，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。

公开(公告)号：CN103415926A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103222061A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180054334.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线构造，在有机EL显示器、液晶显示器等显示装置中，即使不设置蚀刻阻挡层，湿法蚀刻时的加工性也优异。本发明涉及一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。

公开(公告)号：CN103098220A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180044003.X

申请日：2011-09-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线结构，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使氧化物半导体层与构成例如源电极、漏电极的金属膜形成稳定的界面。本发明涉及一种布线结构，其是在基板上从基板侧起依次具有薄膜晶体管的半导体层和金属布线膜、并且在半导体层与金属布线膜之间具有阻挡层的布线结构，其中，上述半导体层包含氧化物半导体，上述阻挡层包含含有TiOx(x为1.0以上且2.0以下)的Ti氧化膜，且上述Ti氧化膜与上述半导体层直接连接，上述氧化物半导体包含含有选自In、Ga、Zn及Sn中的至少一种元素的氧化物。

公开(公告)号：CN103022144A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN102486694A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201010625208.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供光泽度高且色彩的表现力优异的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器具有透明导电膜及与透明导电膜连接的布线，其中，布线由含有稀土元素0.05～5原子％，且光泽度为800％以上的Al合金膜构成。

公开(公告)号：CN101253447B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680031383.2

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明可提供一种薄膜晶体管基板，构成源极、漏极配线的铝合金膜和透明电极直接连接，该源极、漏极配线和栅极配线的特性都良好，可使用大幅简化了的工序进行制造。即，上述薄膜晶体管基板具有栅极配线合于此正交配置的源极配线及漏极配线。另外，上述薄膜晶体管基板，构成上述栅极配线的单层铝合金膜的组成和构成上述源极配线及漏极配线的单层铝合金膜的组成相同。另外，本发明还提供一种具备有上述薄膜晶体管基板的显示器件。

公开(公告)号：CN102246311A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201080003575.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示出与透明基板或半导体层的高密接性、低电阻率以及优越湿式蚀刻性的Cu合金膜。本发明的显示设备用Cu合金膜，所述Cu合金膜是满足下述(1)以及(2)的要件的含氧合金膜，(1)所述Cu合金膜含有合计为0.10原子％以上10原子％以下的、从由Ni、Al、Zn、Mn、Fe、Ge、Hf、Nb、Mo、W以及Ca构成的组中选择的至少一种元素，(2)所述Cu合金膜具有含氧量不同的衬底层和上层，所述衬底层与所述透明基板或半导体层接触，所述衬底层的含氧量多于所述上层的含氧量。

公开(公告)号：CN100511690C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610114892.3

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。

公开(公告)号：CN100482853C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510138116.2

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

Abstract: 一种由铝合金构成的溅射靶，其中：作为合金成分，包含0.1～6原子%的从由Ag、Zn、Cu、Ni构成的一组中选择的至少一种，并且包含0.1～6原子%的从由Nd、Y、Fe、Co构成的一组选择的至少一种。