公开(公告)号：CN103325942B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310254038.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。

公开(公告)号：CN104129981A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN103951424A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410108705.5

申请日：2014-03-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  梅全静 ,  李从英 ,  郭靖栋 ,  杨长红

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成MgZrNb2O8介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成MgZrNb2O8介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1)配制Zr、Mg离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb的柠檬酸水溶液；3)MgZrNb2O8陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度(低于100nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN103708838A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310448813.2

申请日：2013-09-28

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元单斜结构ZnZrNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元单斜结构ZnZrNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1)配制Zn与Zr离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb离子的柠檬酸水溶液；3)三元ZnZrNb2O8纳米前驱体的合成及介质陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约30nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN102775141A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210290899.6

申请日：2012-08-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  胡广达 ,  杨锋 ,  岳云龙

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN102154636B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201010593790.0

申请日：2010-12-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  焦璐 ,  孙雯 ,  钟仿仿 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C23C20/08

Abstract: 本发明涉及微电子与光电子材料领域，特别涉及一种P型高透射率（100）-取向的LaNiO3纳米导电薄膜的制备方法。采用以下步骤：按摩尔比1:1称取硝酸镧和硝酸镍作为溶质，溶剂水：乙醇：柠檬酸：聚乙二醇摩尔比为=200：200：2：1，溶液浓度为0.08～0.20mol/L；将前驱体溶液沉积在衬底材料上烘干，热处理：氧气气氛下从350℃以10℃/分钟的速率升温到450℃，450℃预处理10min，再以15℃/分钟的速率升温到600℃，在氮气气氛下退火20分钟，退火温度为600℃～650℃。提高了LaNiO3薄膜电极的表面均匀性和极化程度，(100)取向度高，表面粗糙度小，电阻率低，透射率高。

公开(公告)号：CN102244192A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110123826.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  芦泽宇 ,  杨锋 ,  胡广达

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  C01G23/00 ,  C01G49/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法，该薄膜以通式(1-x)Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3-xBiFe0.97Mn0.03O3表示，所述钛酸铋钠基为Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3，所述铁酸铋基为BiFe0.97Mn0.03O3；其中，x为BiFe0.97Mn0.03O3的摩尔含量，0

公开(公告)号：CN102154636A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010593790.0

申请日：2010-12-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  焦璐 ,  孙雯 ,  钟仿仿 ,  武卫兵 ,  杨长红

IPC: C23C20/08

Abstract: 本发明涉及微电子与光电子材料领域，特别涉及一种p型高透射率（100）-取向的LaNiO3纳米导电薄膜的制备方法。采用以下步骤：按摩尔比1:1称取硝酸镧和硝酸镍作为溶质，溶剂水：乙醇：柠檬酸：聚乙二醇摩尔比为=200：200：2：1，溶液浓度为0.08～0.20mol/L；将前驱体溶液沉积在衬底材料上烘干，热处理：氧气气氛下从350℃以10℃/分钟的速率升温到450℃，450℃预处理10min，再以15℃/分钟的速率升温到600℃，在氮气气氛下退火20分钟，退火温度为600℃～650℃。提高了LaNiO3薄膜电极的表面均匀性和极化程度，(100)取向度高，表面粗糙度小，电阻率低，透射率高。

公开(公告)号：CN118317681B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410440861.5

申请日：2024-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  刘通 ,  黄世峰 ,  李成龙 ,  程新

IPC: H10N30/06 ,  H01L21/027 ,  B81C1/00 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明公开了一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，包括以下步骤：在硅晶圆的上表面由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层；在硅晶圆的下表面生长绝缘层；分别对硅晶圆上表面、下表面使用光刻板进行第一轮光刻，暴露出上电极和下电极；分别在硅晶圆上、下表面生长Au，镀在上电极表面和下电极表面；分别在硅晶圆上、下表面使用光刻板进行第二轮光刻，上表面刻蚀至压电薄膜层，下表面刻蚀至下电极层。本发明将上下电极分别设置于硅晶圆的上下表面，从根本上避免了器件短路的问题，极大的提高了成品率。同时本发明仅用3张光刻版，整个工艺流程简洁，降低了时间成本及工艺难度，提供了生产效率。

公开(公告)号：CN118026594A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410141388.0

申请日：2024-01-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  郭瑞 ,  赵耀庭 ,  李文龙 ,  余致尧 ,  林秀娟 ,  杨长红 ,  王守德

IPC: C04B28/00 ,  H05K5/02 ,  H01G11/52 ,  H01G11/78 ,  C04B14/30 ,  G04G17/08 ,  A44C11/00 ,  C04B111/80 ,  C04B111/82

Abstract: 本发明公开了一种具有装饰和储能功能的Fe2O3/水泥复合材料，该复合材料不仅可以用于制备手机背板、表壳、项链等日用装饰品，还能用于超级电容器的储能。Fe2O3/水泥复合材料利用过渡金属和离子缺陷，通过离子跃迁反射600‑800nm波长可见光，并吸收多余可见光，最终获得橙红色水泥复合材料，结合其优异的力学特性(28d抗压强度＞30MPa)，该材料能够满足手机背板、表壳、项链等装饰品的力学和光学特性。与此同时，Fe2O3被包覆在水泥基体中并构成导电网络，促进了离子的迁移，随着Fe2O3含量的增加复合材料的储能密度、放电时间逐渐增加，由该材料制备的水泥基超级电容器能够接受不同电压值的电流充电，并且在一定时间内点亮灯泡等电器，在收集潮汐、太阳、风能等绿色能源方面具有广泛的应用前景。